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유기 발광 소자, 및 그 제조 방법(Organic light emitting device, and method of fabricating the same)

  • 기술번호 : KST2017000214
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 유기 발광 소자가 제공된다. 상기 유기 발광 소자는, 기판 상의 제1 전극, 상기 제1 전극 상의 정공 주입층, 상기 정공 주입층 상의 유기 발광층, 상기 정공 주입층 및 상기 유기 발광층 사이에 배치되고, 빗각 증착되어 상기 유기 발광층의 굴절률보다 작은 굴절률을 갖는 광 추출 패턴, 및 상기 유기발광층 상의 제2 전극을 포함한다.
Int. CL H01L 51/52 (2006.01) H01L 51/50 (2006.01) H01L 51/56 (2006.01)
CPC H01L 51/5275(2013.01) H01L 51/5275(2013.01) H01L 51/5275(2013.01) H01L 51/5275(2013.01) H01L 51/5275(2013.01) H01L 51/5275(2013.01) H01L 51/5275(2013.01)
출원번호/일자 1020150091399 (2015.06.26)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0001897 (2017.01.05) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.06.26)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최용훈 대한민국 서울특별시 동대문구
2 전영표 대한민국 서울특별시 중랑구
3 추동철 대한민국 경기도 성남시 분당구
4 김태환 대한민국 서울 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박상열 대한민국 서울 금천구 가산디지털*로 *** **층 ****호(나눔국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.06.26 수리 (Accepted) 1-1-2015-0622587-11
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2015.07.16 수리 (Accepted) 1-1-2015-0688830-36
3 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search		 2015.07.23 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search		 2015.07.24 수리 (Accepted) 9-1-2015-0048897-04
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.09.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0643167-21
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2015.11.11 수리 (Accepted) 1-1-2015-1098273-11
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.12.18 수리 (Accepted) 1-1-2015-1247116-13
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.12.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-1247102-74
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.02.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0089142-85
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2016.04.04 수리 (Accepted) 1-1-2016-0324245-34
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.05.02 수리 (Accepted) 1-1-2016-0422133-06
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.05.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0422157-91
13 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2016.07.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0483523-19
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.08.02 수리 (Accepted) 1-1-2016-0752414-26
15 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2016.08.02 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-0752430-57
16 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2016.09.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0639634-37
17 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)		 2016.10.05 수리 (Accepted) 7-1-2016-0057223-39
18 심사관의견요청서
Request for Opinion of Examiner		 2016.12.08 수리 (Accepted) 7-8-2016-0041564-82
19 등록결정서
Decision to grant		 2018.08.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0550742-20
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상의 제1 전극;상기 제1 전극 상의 정공 주입층;상기 정공 주입층 상의 유기 발광층; 상기 정공 주입층 및 상기 유기 발광층 사이에 배치되고, 빗각 증착되어 상기 유기 발광층의 굴절률보다 작은 굴절률을 갖는 광 추출 패턴; 및상기 유기발광층 상의 제2 전극을 포함하되, 상기 정공 주입층의 굴절률은, 상기 유기 발광층 및 상기 광 추출 패턴의 굴절률보다 크고, 상기 정공 주입층은, 상기 유기 발광층 및 상기 제1 전극 사이의 제1 부분, 및 상기 광 추출 패턴 및 상기 제1 전극 사이의 제2 부분을 포함하고, 상기 제1 부분의 두께는 상기 제2 부분의 두께보다 얇고, 상기 유기 발광층은, 상기 광 추출 패턴 사이의 공간을 채우고, 상기 광 추출 패턴을 덮는 것을 포함하는 유기 발광 소자
2 2
제1 항에 있어서, 상기 유기 발광층에서 방출되어 상기 광 추출 패턴으로 입사되는 광은, 상기 유기 발광층 및 상기 광 추출 패턴의 굴절률 차이로 인해 상기 유기 발광층과 상기 광 추출 패턴 사이의 계면에서 상기 기판을 향하여 굴절된 후, 상기 광 추출 패턴과 상기 정공 주입층의 굴절률 차이로 인해 상기 광 추출 패턴과 상기 정공 주입층의 계면에서 상기 기판을 향하여 굴절되고, 상기 유기 발광층에서 방출되어 상기 정공 주입층으로 입사되는 광은, 상기 유기 발광층 및 상기 정공 주입층의 굴절률 차이로 인해 상기 유기 발광층과 상기 정공 주입층 사이의 계면에서 상기 기판을 향하여 굴절되는 것을 포함하는 유기 발광 소자
3 3
제1 항에 있어서, 상기 광 추출 패턴은 역 사다리꼴 형태인 것을 포함하는 유기 발광 소자
4 4
제1 항에 있어서, 상기 정공 주입층의 두께는, 상기 제1 전극, 상기 광 추출 패턴, 및 상기 유기 발광층의 두께보다 얇은 것을 포함하는 유기 발광 소자
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
기판 상의 제1 전극;상기 제1 전극 상의 정공 주입층;상기 정공 주입층 상의 유기 발광층; 상기 정공 주입층 및 상기 유기 발광층 사이에 배치되고, 빗각 증착되어 상기 유기 발광층의 굴절률보다 작은 굴절률을 갖는 광 추출 패턴; 및상기 유기발광층 상의 제2 전극을 포함하되, 상기 정공 주입층의 굴절률은, 상기 유기 발광층 및 상기 광 추출 패턴의 굴절률보다 크고, 상기 정공 주입층은, 상기 제1 전극 및 상기 광 추출 패턴 사이에 배치되고 서로 이격된 정공 주입 패턴으로 정의되고, 서로 인접한 상기 정공 주입 패턴 사이의 상기 유기 발광층의 일부분은, 상기 제1 전극과 직접적으로 접촉되고, 상기 유기 발광층은, 상기 광 추출 패턴 사이의 공간을 채우고, 상기 광 추출 패턴을 덮는 것을 포함하는 유기 발광 소자
8 8
제1 항에 있어서,상기 유기 발광층의 두께는 상기 광 추출 패턴의 두께와 동일한 것을 포함하는 유기 발광 소자
9 9
제1 항에 있어서, 상기 정공 주입층은 WO3, Ta2O5, CeO2, Y2O3, Cr2O3, Ga2O3, TiO, HfO2, Ti3O5, TiO2, ZrO2, ZnO, Nb2O5, BaTiO3, PbTiO3, 또는 Pb(Zr)TiO3 중 적어도 어느 하나를 포함하는 유기 발광 소자
10 10
제1 항에 있어서, 상기 광 추출 패턴은 SiO2, MgF2, Al2O3, MoO3, BaF2, CaF2, CsBr, MgF2, KBr, MgO, HfO2, AlF3, MgF2, YbF3, LaF3, YF3, 또는 GdF3 중 적어도 어느 하나를 포함하는 유기 발광 소자
11 11
제1 전극을 갖는 기판을 준비하는 단계;상기 제1 전극 상에 정공 주입층을 형성하는 단계;빗각 증착되어 상기 정공 주입층보다 낮은 굴절률을 갖는 예비 광 추출막을, 상기 정공 주입층 상에 형성하는 단계;상기 예비 광 추출막을 패터닝하여, 광 추출 패턴을 형성하는 단계;상기 광 추출 패턴 사이의 공간을 채우고, 상기 광 추출 패턴을 덮고, 상기 정공 주입층보다 낮은 굴절률을 갖고, 상기 광 추출 패턴보다 높은 굴절률을 갖는 유기 발광층을 형성하는 단계; 및상기 유기 발광층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 광 추출 패턴을 형성하는 단계는, 상기 광 추출 패턴 사이에 노출된 상기 정공 주입층의 일부분을 제거하여, 상기 정공 주입층이 상기 유기 발광층 및 상기 제1 전극 사이의 제1 부분, 및 상기 광 추출 패턴 및 상기 제1 전극 사이에 배치되고 상기 제1 부분보다 두께가 두꺼운 제2 부분을 포함하는 유기 발광 소자의 제조 방법
12 12
삭제
13 13
제11 항에 있어서, 상기 광 추출 패턴의 폭(width)은, 상기 정공 주입층에 인접할수록 감소되는 것을 포함하는 유기 발광 소자의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한양대학교 산학협력단 이공분야 기초연구사업 / 중견연구자지원사업 / 도약연구 나노 복합체 기반 memristive 메모리 소자와 고효율 유기 발광 소자 개발