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유기 소자의 보호막 제조방법

  • 기술번호 : KST2015142196
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유기 소자의 보호막 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 유기 소자의 표면에 유기금속 소스를 흡착시키는 단계; 흡착되지 않은 유기금속 소스를 제거하기 위해 불활성 가스를 주입하는 단계; 산소를 포함하는 소스와 플라즈마를 주입하여 상기 유기금속 소스 내 금속과 반응시켜 유기 소자의 표면에 금속 산화물층을 형성하는 단계; 금속 산화물층을 형성하지 않은 잔류 유기금속 소스를 제거하기 위해 불활성 가스를 주입하는 단계; 및 상기 형성된 금속 산화물층을 플라즈마 처리하는 단계를 포함하는 유기 소자의 보호막을 제조하는 방법에 관한 것이다.상기 유기 소자의 보호막은 막 밀도가 우수하고 소수성을 나타내 외부로부터 소자 내부로 침투하는 산소, 수분 또는 불순물의 투과를 억제하여 유기 소자의 수명을 높일 뿐만 아니라, 단차가 큰 구조를 지닌 소자에도 바람직하게 적용된다. 이러한 유기 소자로는 적어도 하나의 폴리머층을 포함하는 비휘발성 폴리머 메모리 소자(PoRAM) 및 유기전계발광소자(OLED) 등이 가능하다.PoRAM, OLED, 수분, 산소, 금속 산화물, 원자층
Int. CL H01L 51/52 (2006.01.01) C23C 14/34 (2006.01.01) H01L 51/56 (2006.01.01) H01L 45/02 (2006.01.01)
CPC H01L 51/5253(2013.01) H01L 51/5253(2013.01) H01L 51/5253(2013.01) H01L 51/5253(2013.01) H01L 51/5253(2013.01)
출원번호/일자 1020070033114 (2007.04.04)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0840269-0000 (2008.06.16)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080620) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.04.04)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박종완 대한민국 경기 남양주시
2 김웅선 대한민국 서울 강동구
3 고명균 대한민국 서울 성동구
4 문연건 대한민국 서울 광진구 군
5 문준호 대한민국 서울 동작구
6 김태섭 대한민국 서울 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 장수영 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, *층(역삼동, 대아빌딩)(특허법인 신우)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.04.04 수리 (Accepted) 1-1-2007-0260167-81
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0105043-63
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.03.06 수리 (Accepted) 1-1-2008-0164211-18
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.03.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0164210-62
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
6 등록결정서
Decision to grant		 2008.06.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0321258-83
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
a) 유기 소자의 표면에 유기금속 소스를 흡착시키는 단계;b) 흡착되지 않은 유기금속 소스를 제거하기 위해 불활성 가스를 주입하는 단계;c) 산소를 포함하는 소스와 플라즈마를 주입하여 상기 유기금속 소스 내 금속과 반응시켜 유기 소자의 표면에 금속 산화물층을 형성하는 단계; d) 금속 산화물층을 형성하지 않은 잔류 유기금속 소스를 제거하기 위해 불활성 가스를 주입하는 단계; 및e) 상기 형성된 금속 산화물층을 플라즈마 처리하는 단계를 포함하는 유기 소자의 보호막 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 유기금속 소스는 Al, Ti, Si, Zr, Hf, La, Ta, Mg 및 이들의 조합으로 이루어진 금속 중에서 선택된 1종의 유기금속 전구체(precursor)인 것인 유기 소자의 보호막 제조방법
3 3
제 2 항에 있어서,상기 유기금속 전구체는 Al, Ti, Si, Zr, Hf, La, Ta, Mg 및 이들의 조합으로 이루어진 금속 중에서 선택된 1종의 금속을 포함하는 염화물, 수산화물, 옥시수산화물, 질산염, 탄산염, 초산염, 옥살산염, 시트르산염, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종인 것인 유기 소자의 보호막 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 단계 a)는 60 내지 250 ℃의 온도에서 수행하는 것인 유기 소자의 보호막 제조방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 단계 b) 및 d)의 불활성 가스는 Ar, N2 및 이들의 혼합 기체로 이루어진 군에서 선택된 1종인 것인 유기 소자의 보호막 제조방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 단계 c)의 산소를 포함하는 소스는 O2, O3, H2O, H2O2, N2O, CH3OH, C2H5OH, C3H7OH 및 이들의 혼합 기체로 이루어진 군에서 선택된 1종인 것인 유기 소자의 보호막 제조방법
7 7
제 1 항에 있어서,상기 단계 c)의 플라즈마는 50 W에서 200 W 범위에서 처리하는 것인 유기 소자의 보호막 제조방법
8 8
제 1 항에 있어서,상기 단계 a) 내지 c)를 100 내지 1000회 동안 수행하는 것인 유기 소자의 보호막 제조방법
9 9
제 1 항에 있어서,상기 단계 e)의 플라즈마는 50 W에서 500 W 범위에서 처리하는 것인 유기 소자의 보호막 제조방법
10 10
제 1 항에 있어서,상기 보호막은 1 내지 300 nm의 두께를 갖는 것인 유기 소자의 보호막 제조방법
11 11
제 1 항에 있어서,상기 보호막은 XRR(X-ray Reflectometry)로 측정한 막 밀도가 1
12 12
제 1 항에 있어서,상기 보호막은 소수성인 것인 유기 소자의 보호막 제조방법
13 13
제 1 항에 있어서,상기 보호막은 단일 박막 또는 다층 박막의 형태를 갖는 것인 유기 소자의 보호막 제조방법
14 14
제 1 항에 있어서,상기 유기 소자는 적어도 하나의 폴리머층을 포함하는 비휘발성 폴리머 메모리 소자(PoRAM) 또는 유기전계발광소자(OLED)인 것인 유기 소자의 보호막 제조방법
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패밀리정보가 없습니다
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