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기판에 산화물 반도체를 형성하는 단계;상기 산화물 반도체가 형성된 기판을 진공 분위기 하에서 저온 처리 하는 단계;상기 진공 분위기 상태에 수분을 주입하는 단계;를 포함하고, 상기 진공 분위기 하에서 저온 처리하는 단계 및 상기 수분을 주입하는 단계를 반복적으로 수행하는 것을 포함하며, 상기 수분을 주입하는 단계는 0
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제 1항에 있어서,상기 저온 처리는 100℃ 내지 250℃의 온도 범위에서 수행되는 것인, 산화물 반도체 박막의 제조 방법
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제 1항에 있어서, 상기 기판은 유리 기판, 플라스틱 기판, 실리콘 기판, 사파이어 기판, 질화물 기판 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 물질을 포함하는 것인, 산화물 반도체 박막의 제조 방법
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제 3항에 있어서,상기 플라스틱 기판은 폴리 에테르술폰(PES), 폴리 에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리에틸렌 테레프타레이트(PET), 폴리 카보네이트(PC), 폴리 스티렌(PS), 폴리 이미드(PI), 폴리 에틸린(PE) 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 물질을 포함하는 것인, 산화물 반도체 박막의 제조 방법
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제 1항에 있어서,상기 기판에 산화물 반도체를 형성하는 단계는 진공 공정, 용액 공정 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 공정에 의해 수행되는 것인, 산화물 반도체 박막의 제조 방법
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제 5항에 있어서,상기 진공 공정은 플라즈마 증착법, 전기 도금법, 가스 반응법, 열 증착법, 스퍼터링법, 화학기상 증착법, 레이저 처리 화학 기상 증착법, 이온 플레이팅법, 캐소드 아크 처리법, 제트 기상 증착법을 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 공정을 포함하는 것인, 산화물 반도체 박막의 제조 방법
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제 5항에 있어서, 상기 용액 공정은 스핀 코팅, 드롭 캐스팅, 잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅, 닥터 레이드, 분사법(spraying), 침지법(dipping), 롤-투-롤(roll-to-roll), 나노 임프린트 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 공정을 포함하는 것인, 산화물 반도체 박막의 제조 방법
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제 1항에 있어서,상기 진공 분위기는 10-1내지 10-4 토르(Torr) 분위기를 포함하는 것인, 산화물 반도체 박막의 제조 방법
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제 1항에 있어서,상기 산화물 반도체는 산화아연(ZnO), 산화인듐(In2O3), 산화주석(SnOx), 인듐-아연-산화물(In-Zn-O), 인듐-주석-산화물(In-Sn-O), 인듐-갈륨-아연-산화물(In-Ga-Zn-O), 아연-주석-산화물(Zn-Sn-O), 인듐-아연-산화물(In-Zn-O), 인듐-주석-산화물(In-Sn-O), 인듐-아연-주석-산화물(In-Zn-Sn-O), 인듐-티타늄-주석-산화물(In-Ti-Sn-O) 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 산화물 반도체를 포함하는 것인, 산화물 반도체 박막의 제조 방법
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