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뉴런 모방 회로

  • 기술번호 : KST2019000204
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 적은 개수의 트랜지스터로 비대칭 출력 펄스를 생성할 수 있는 저면적, 저전력 특성의 뉴런 모방 회로가 개시된다. 본 발명의 실시예에 따른 뉴런 모방 회로는 프리-뉴런(pre-neuron) 회로 및 포스트-뉴런(post-neuron) 회로의 출력신호들을 입력받고, 프리-뉴런 회로 및 포스트-뉴런 회로의 출력신호들에 따라 가중치가 변화하는 시냅스 소자; 프리-뉴런 회로 및 포스트-뉴런 회로의 출력신호들에 따라 시냅스 소자에 흐르는 전류에 의해 충전되는 커패시터를 포함하는 시냅틱 누적부; 및 커패시터의 충전 전압으로부터 비대칭 출력 펄스를 생성하고, 비대칭 출력 펄스가 포스트-뉴런 회로의 출력신호로서 시냅스 소자로 피드백되는 비대칭 펄스 생성부;를 포함하며, 상기 비대칭 펄스 생성부는, 커패시터의 충전 전압이 게이트로 입력되는 제1 트랜지스터; 커패시터의 충전 전압을 반전시켜 출력하는 제1 인버터; 제1 인버터의 출력신호를 반전시켜 제1 트랜지스터의 드레인 또는 소스로 출력하는 제2 인버터; 및 제2 인버터의 출력신호가 게이트로 입력되고 제2 인버터의 출력신호에 따라 커패시터를 방전시키는 제2 트랜지스터;를 포함한다.
Int. CL G06N 3/063 (2006.01.01) G06N 3/04 (2006.01.01)
CPC G06N 3/063(2013.01) G06N 3/063(2013.01)
출원번호/일자 1020170100385 (2017.08.08)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-2026332-0000 (2019.09.23)
공개번호/일자 10-2019-0016312 (2019.02.18) 문서열기
공고번호/일자 (20190927) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.08.08)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박병국 대한민국 서울특별시 서초구
2 박정진 대한민국 경기도 화성
3 이정준 대한민국 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
2 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교 산학협력단 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.08.08 수리 (Accepted) 1-1-2017-0764118-87
2 심사처리보류(연기)보고서
Report of Deferment (Postponement) of Processing of Examination
2019.03.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2019-0030656-52
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.05.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0359301-63
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
6 [출원서 등 보완]보정서
2019.07.04 수리 (Accepted) 1-1-2019-0688500-23
7 [공지예외적용 보완 증명서류]서류제출서
2019.07.04 수리 (Accepted) 1-1-2019-0688499-64
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.07.12 수리 (Accepted) 1-1-2019-0715238-99
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
10 등록결정서
Decision to grant
2019.08.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0568679-41
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
프리-뉴런(pre-neuron) 회로 및 포스트-뉴런(post-neuron) 회로의 출력신호들을 입력받고, 상기 프리-뉴런 회로 및 상기 포스트-뉴런 회로의 출력신호들에 따라 가중치가 변화하는 시냅스 소자;상기 프리-뉴런 회로 및 상기 포스트-뉴런 회로의 출력신호들에 따라 상기 시냅스 소자에 흐르는 전류에 의해 충전되는 커패시터를 포함하는 시냅틱 누적부; 및상기 커패시터의 충전 전압으로부터 비대칭 출력 펄스를 생성하고, 상기 비대칭 출력 펄스가 상기 포스트-뉴런 회로의 출력신호로서 상기 시냅스 소자로 피드백되는 비대칭 펄스 생성부;를 포함하며,상기 비대칭 펄스 생성부는,상기 커패시터의 충전 전압이 게이트로 입력되는 제1 트랜지스터;상기 커패시터의 충전 전압을 반전시켜 출력하는 제1 인버터;상기 제1 인버터의 출력신호를 반전시켜 상기 제1 트랜지스터의 드레인 또는 소스로 출력하는 제2 인버터; 및상기 제2 인버터의 출력신호가 게이트로 입력되고 상기 제2 인버터의 출력신호에 따라 상기 커패시터를 방전시키는 제2 트랜지스터;를 포함하는 뉴런 모방 회로
2 2
제 1 항에 있어서,상기 시냅스 소자는 흥분 시냅스 소자 및 억제 시냅스 소자를 포함하고,상기 흥분 시냅스 소자는 제1 트랜지스터 소자를 포함하고,상기 억제 시냅스 소자는 제2 트랜지스터 소자를 포함하고,상기 제1 트랜지스터 소자 및 상기 제2 트랜지스터 소자의 제1 게이트에 상기 프리-뉴런 회로의 출력신호가 입력되고,상기 제1 트랜지스터 소자 및 상기 제2 트랜지스터 소자의 제2 게이트에 상기 포스트-뉴런 회로의 출력신호가 입력되는 뉴런 모방 회로
3 3
제 2 항에 있어서,상기 시냅틱 누적부는 상기 시냅스 소자와 상기 커패시터 사이에 연결되는 커런트 미러를 더 포함하고,상기 커런트 미러는,상기 프리-뉴런 회로 및 상기 포스트-뉴런 회로의 출력신호들에 따라 상기 흥분 시냅스 소자 또는 상기 억제 시냅스 소자에 전류가 일정하게 흐르도록 상기 흥분 시냅스 소자 및 상기 억제 시냅스 소자에 연결되고, 상기 흥분 시냅스 소자 및 상기 억제 시냅스 소자 간의 차분 전류를 상기 커패시터로 출력하며,상기 커패시터는, 상기 커런트 미러에 의해 상기 흥분 시냅스 소자 및 상기 억제 시냅스 소자에 흐르는 전류로부터 고립되고, 상기 차분 전류에 의해 충전되는 뉴런 모방 회로
4 4
제 1 항에 있어서,상기 제1 트랜지스터 및 상기 제2 인버터의 출력단에 상기 비대칭 출력 펄스가 출력되는 뉴런 모방 회로
5 5
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 비대칭 펄스 생성부는,상기 제1 인버터의 출력신호가 게이트로 입력되고, 상기 제1 인버터의 출력신호에 따라 상기 커패시터의 충전 전압을 부스트하는 제3 트랜지스터;를 더 포함하는 뉴런 모방 회로
6 6
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 비대칭 펄스 생성부는,소정의 바이어스 전압이 게이트로 입력되고, 상기 바이어스 전압에 따라 상기 커패시터를 방전시키는 제4 트랜지스터;를 더 포함하는 뉴런 모방 회로
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 나노소재기술개발사업 서울대학교 원천기술개발사업 poly-Si TFT 기반 시냅스 모방 소자, 시냅스 구동회로 및 아키텍처 개발