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제 1 기판 상에 그래핀을 형성하는 단계; 상기 그래핀 상에 그래핀 전사용 고분자를 형성하는 단계; 상기 제 1 기판을 제거하는 단계; 상기 그래핀 전사용 고분자에 구비된 상기 그래핀을 제 2 기판 상에 전사하는 단계; 및 상기 그래핀 전사용 고분자를 제거하는 단계;를 포함하고,상기 그래핀 전사용 고분자는폴리스티렌; 및하기 화학식 1 로서 표시되는 화합물을 포함하고,카르복실기 또는 하이드록시기를 포함하지 않는 것인,그래핀의 전사 방법:[화학식 1](상기 화학식 1에서, 상기 R1 및 R2는 각각 독립적으로 H, 치환될 수 있는 선형 또는 분지형의 C1-C20의 알킬, 및 치환될 수 있는 C6-C20의 아릴이며,상기 치환은 C1-C6의 알킬 또는 C6-C20의 아릴에 의해 치환되는 것이고, 상기 n은 1 내지 10인 것임)
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제 9 항에 있어서,상기 그래핀 전사용 고분자를 형성하는 단계는 상기 그래핀 전사용 고분자를 용매에 분산시켜 상기 그래핀 상에 코팅하여 수행되는 것인, 그래핀의 전사 방법
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제 10 항에 있어서,상기 용매는 톨루엔, 헵탄, 사염화탄소, 벤젠, 자일렌, N-메틸피롤리돈, 테트라하이드로퓨란, 니트로벤젠, N,N-디메틸포름아미드, 디메틸설폭사이드, 디에틸카보네이트, 벤질 아세테이트, 디메틸 글루타레이트, 에틸아세토아세테이트, 이소부틸 이소부타노에이트, 이소부틸 아세테이트, 메타-크레졸 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 용매를 포함하는 것인, 그래핀의 전사 방법
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제 9 항에 있어서, 상기 제 1기판 및 제 2기판은 각각 독립적으로, 금속 기판, 플라스틱 기판, 유리 기판, 실리콘 기판, 사파이어 기판, 질화물 기판, 전도성 기판 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 물질을 포함하는 것인, 그래핀의 전사 방법
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제 10 항에 있어서, 상기 코팅은 스핀 코팅법, 스프레이 코팅법, 닥터블레이드 코팅법, 스크린 프린팅법, 딥 코팅법, 캐스트법, 량뮤어-블로젯법, 잉크젯 프린팅법, 노즐 프린팅법, 슬롯 다이 코팅법, 그래비어 프린팅법, 및이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 방법에 의해 수행되는 것인, 그래핀의 전사 방법
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제 9 항에 있어서,상기 제 1 기판 상에 상기 그래핀을 형성하는 단계는 상기 제 1 기판 상에 탄소 소스를 공급하면서 열처리하여 상기 그래핀을 성장시키는 것인, 그래핀의 전사 방법
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제 14 항에 있어서, 상기 탄소 소스는 탄소수 1 내지 7개의 탄소 함유 화합물을 포함하는 것인, 그래핀의 전사 방법
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제 15 항에 있어서, 상기 탄소 소스는 메탄, 에탄, 에틸렌, 일산화탄소, 에탄올, 아세틸렌, 프로판, 프로필렌, 부탄, 부타디엔, 펜탄, 펜렌, 사이클로펜타디엔, 헥산, 사이클로헥산, 벤젠, 톨루엔 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 물질을 포함하는 것인, 그래핀의 전사 방법
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