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식각 대상층 상에 희생막 패턴을 형성하고, 상기 희생막 패턴의 양측벽에 제1 스페이서를 형성하는 단계;상기 희생막 패턴을 제거하고, 상기 제1 스페이서의 양측벽에 제2 스페이서를 형성하는 단계;상기 제1 스페이서를 제거하고, 상기 제2 스페이서의 양측벽에 제3 스페이서를 형성하는 단계; 및상기 제2 스페이서를 제거하고, 상기 제3 스페이서를 식각 마스크로 상기 식각 대상층을 식각하여 패턴을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 제2 스페이서를 형성하는 단계는, ACL(Amorphous Carbon Layer) ALD 공정을 이용하여 상기 제2 스페이서를 형성하되, 상기 ACL ALD 공정은 100℃ 이하의 저온에서 수행되며, 상기 ACL ALD 공정은, 탄소 전구체와 플라즈마를 이용하여 상기 제2 스페이서를 형성하는 반도체 소자의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 제1 내지 제3 스페이서는, 각각 서로 다른 물질로 구성되는 반도체 소자의 제조 방법
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제1 항에 있어서상기 제2 스페이서는, 상기 제1 스페이서에 대해 식각 선택비를 갖는 물질을 포함하고,상기 제3 스페이서는, 상기 제2 스페이서에 대해 식각 선택비를 갖는 물질을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
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제1 항에 있어서상기 제1 스페이서는, 실리콘 산화물을 포함하고,상기 제2 스페이서는, 비정질 탄소층(Amorphous Carbon Layer; ACL)를 포함하고,상기 제3 스페이서는, 금속 산화물(Metal Oxide)을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
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제1 항에 있어서상기 제3 스페이서는, TiO2, HfO2, 또는 ZrO2를 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
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삭제
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삭제
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제1 항에 있어서, 상기 탄소 전구체는, 브롬화 탄소 전구체를 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 플라즈마는, RF(Radio Frequency), 또는 상기 RF 보다 높은 주파수의 VHF(Very High Frequency) 소스를 이용하여 생성되는 수소 플라즈마를 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
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10
제1 항에 있어서, 상기 제3 스페이서를 형성하는 단계는, PE(Plasma Enhanced) ALD 공정을 이용하여 상기 제3 스페이서를 형성하는 것을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
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제10 항에 있어서, 상기 PE ALD 공정은, RF(Radio Frequency), 또는 상기 RF 보다 높은 주파수의 VHF(Very High Frequency) 소스를 이용하여 생성되는 플라즈마를 이용하는 반도체 소자의 제조 방법
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12
순차적으로 형성되는 식각 대상층 및 하드마스크막 상에 희생막 패턴을 형성하고, 상기 희생막 패턴의 양측벽에 제1 스페이서를 형성하는 단계;상기 희생막 패턴을 제거하고, 상기 제1 스페이서의 양측벽에 제2 스페이서를 형성하는 단계;상기 제1 스페이서를 제거하고, 상기 제2 스페이서를 식각 마스크로 상기 하드마스크막을 식각하여 하드마스크 패턴을 형성하는 단계;상기 하드마스크 패턴의 양측벽에 제3 스페이서를 형성하는 단계; 및상기 하드마스크 패턴을 제거하고, 상기 제3 스페이서를 식각 마스크로 상기 식각 대상층을 식각하여 패턴을 형성하는 단계를 포함하는반도체 소자의 제조 방법
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제12 항에 있어서, 상기 제1 내지 제3 스페이서는, 각각 서로 다른 물질로 구성되는 반도체 소자의 제조 방법
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제12 항에 있어서상기 제2 스페이서는, 상기 제1 스페이서에 대해 식각 선택비를 갖는 물질을 포함하고,상기 제3 스페이서는, 상기 식각 마스크에 대해 식각 선택비를 갖는 물질을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
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제12 항에 있어서상기 제1 스페이서는, 실리콘 산화물을 포함하고,상기 제2 스페이서는, 비정질 탄소층(Amorphous Carbon Layer; ACL)를 포함하고,상기 제3 스페이서는, 금속 산화물(Metal Oxide)을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
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제12 항에 있어서, 상기 제2 스페이서를 형성하는 단계는, ACL(Amorphous Carbon Layer) ALD 공정을 이용하여 상기 제2 스페이서를 형성하는 것을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
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제16 항에 있어서, 상기 ACL ALD 공정은, 탄소 전구체와 플라즈마를 이용하여 상기 제2 스페이서를 형성하는 반도체 소자의 제조 방법
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제17 항에 있어서, 상기 탄소 전구체는, 브롬화 탄소 전구체를 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
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제12 항에 있어서, 상기 제3 스페이서를 형성하는 단계는, PE(Plasma Enhanced) ALD 공정을 이용하여 상기 제3 스페이서를 형성하는 것을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
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