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기판 상에 촉매층을 형성하는 단계;화학기상증착법을 사용하여 상기 촉매층 상에 탄소화합물을 주입하는 동시에 상기 촉매층 상 및 상기 촉매층과 상기 기판 사이에 그래핀층을 형성하는 단계; 및상기 촉매층을 상기 기판 상에서 제거하는 단계; 를 포함하고,상기 촉매층을 상기 기판 상에서 제거하는 단계에서, 상기 촉매층이 제거됨으로써 상부에 그래핀층이 별도의 전사공정 없이 위치된 기판을 형성하는 것을 특징으로 하고,상기 그래핀층을 형성하는 단계의 온도는 150℃ 내지 450℃인 것을 특징으로 하는 그래핀 제조방법
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제1항에 있어서,상기 기판은 패턴된 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 제조방법
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제1항에 있어서,상기 기판은 산화물, 질화물, 금속, 합금, 유리 또는 고분자를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 제조방법
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제1항에 있어서,상기 기판은 SiO2, indium-tin oxide(ITO), SnO2, TiO2, Al2O3, ZnO, TiO2, HfO2, ZrO2, Si3N4, TiN, GaN, AlN, InN, 알루미늄(Al), 팔라듐(Pd), 크롬(Cr), 망간(Mn), 금(Au), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 로듐(Rh), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 우라늄(U), 바나듐(V), 지르코늄(Zr), 타이타늄(Ti), 폴리에틸렌 테레트탈레이트(polyethylene terephthalate; PET), 폴리에틸렌 술폰(polyethylene sulfone; PES), 폴리메틸 메타크릴레이트(polymethyl methacrylate; PMMA), 폴리이미드(polyimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyehylene naphthalate; PEN) 또는 폴리카보네이트(polycarbonate; PC)를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 제조방법
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제1항에 있어서,상기 촉매층은 구리(Cu), 니켈(Ni), 철(Fe), 코발트(Co), 백금(Pt), 이리듐(Ir), 황동(brass), 청동(bronze) 또는 스테인레스 스틸(stainless steel)을 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 제조방법
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제1항에 있어서,상기 탄소화합물은 450℃ 이하에서 그래핀 합성을 가능하게 하는 탄소화합물인 것을 특징으로 하는 그래핀 제조방법
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제1항에 있어서,상기 탄소화합물은 천연 흑연, 합성 흑연, 고정렬 열분해 흑연(Highly ordered pyrolytic graphite; HOPG), 활성탄(activated graphite), 일산화탄소, 이산화탄소, 메탄, 에탄, 에틸렌, 메탄올, 에탄올, 아세틸렌, 프로판, 프로필렌, 부탄, 부타디엔, 펜탄, 펜텐, 사이클로펜타디엔, 헥산, 사이클로헥산, 벤젠, 피리딘, 헥사페닐보라진(hexaphenylborazine), 폴리(4-비닐피리딘)(P4VP), 1,3,5-트리아진(1,3,5-triazine), 피페리딘(piperidine), 톨루엔, 폴리메틸 메타크릴레이트(polymethyl methacrylate; PMMA), 폴리스티렌(oolystyrene), 아크릴로니트릴(acrylonitrile), 폴리아크릴로니트릴(Polyacrylonitrile, PAN), 멜라민(melamine), PEDOT:PSS, 다륜성 방향족 탄화수소 구조의 메틸나프탈렌(methylnaphthalene), 헥사브로모벤젠(hexabromobenzene), 나프탈렌(naphthalene), 테르페닐(terphenyl), 펜타클로로피리딘(pentachloropyridine), 테트라브로모티오펜(tetrabromothiophene), 벤조피렌(benzopyrene), 아줄렌(azulene), 트리메틸나프탈렌(trimethylnaphthalene), 아세나프텐(acenaphthene), 아세나프틸렌(acenaphthylene), 안트라센(anthracene), 플루오렌(fluorene), 페날렌(phenalene), 페난트렌(phenanthrene), 벤즈안트라센(benz(a)anthracene), 벤조플루오렌(benzo(a)fluorene), 벤조페난트렌(benzo(c)phenanthrene), 크리센(chrysene), 플루오란텐(fluoranthene), 피렌(pyrene), 테트라센(tetracene), 트리페닐렌(triphenylene), 벤즈아세페나프틸렌(benz(e)acephenanthrylene), 벤조플루오란텐(benzofluoranthene), 디벤즈안트라센(dibenzanthracene), 올림피센(olympicene), 펜타센(pentacene), 페릴렌(perylene), 피센(picene), 테트라페닐렌(tetraphenylene), 제트렌(zethrene), 오발렌(ovalene), 케쿨렌(kekulene), 헥사센(hexacene), 헵타센(heptacene), 다이인데노페릴렌(diindenoperylene), 타이코로닐렌(dicoronylene), 코로넨(coronene), 코라눌렌(corannulene), 벤조페릴렌(benzo(ghi)perylene), 안탄트렌(anthanthrene), 헥사메틸디하이드로벤조퀴놀리지노아크리딘( hexamethyl-dihydro-4H-benzoquinolizinoacridine), 벤조퀴놀리지노아크리딘 트라이온(4H-benzoquinolizinoacridinetrione) 또는 헥사아자트라이페닐렌-헥사카르보니드릴(hexaazatriphenylene-hexacarbonitrile)을 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 제조방법
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기판 상에 패턴된 포토레지스트층을 형성하는 단계;상기 패턴된 포토레지스트층 상 및 상기 패턴 사이에 노출된 기판 상에 촉매층을 형성하는 단계;상기 패턴된 포토레지스트층을 상기 기판 상에서 제거하여 패턴된 촉매층을 형성하는 단계;화학기상증착법을 사용하여 상기 패턴된 촉매층 상에 탄소화합물을 주입하는 동시에 상기 패턴된 촉매층을 감싸는 그래핀층을 형성하는 단계; 및상기 패턴된 촉매층을 상기 기판 상에서 제거하는 단계; 를 포함하고,상기 패턴된 촉매층을 상기 기판 상에서 제거하는 단계에서, 상기 패턴된 촉매층이 제거됨으로써 상부에 그래핀층이 별도의 전사공정 없이 위치된 기판을 형성하는 것을 특징으로 하고,상기 그래핀층을 형성하는 단계의 온도는 150℃ 내지 450℃인 것을 특징으로 하는 그래핀 제조방법
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제8항에 있어서,상기 기판은 산화물, 질화물, 금속, 합금, 유리 또는 고분자를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 제조방법
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제8항에 있어서,상기 촉매층은 구리(Cu), 니켈(Ni), 철(Fe), 코발트(Co), 백금(Pt), 이리듐(Ir), 황동(brass), 청동(bronze) 또는 스테인레스 스틸(stainless steel)을 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 제조방법
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기판 상에 패턴된 포토레지스트층을 형성하는 단계;상기 기판을 에칭하여 패턴된 기판을 형성하는 단계;상기 패턴된 포토레지스트층을 상기 패턴된 기판 상에서 제거하는 단계;상기 패턴된 기판 상에 촉매층을 형성하는 단계;화학기상증착법을 사용하여 상기 촉매층 상에 탄소화합물을 주입하는 동시에 상기 패턴된 촉매층을 감싸는 그래핀층을 형성하는 단계; 및상기 패턴된 촉매층을 상기 패턴된 기판 상에서 제거하는 단계; 를 포함하고,상기 패턴된 촉매층을 상기 패턴된 기판 상에서 제거하는 단계에서, 상기 패턴된 촉매층이 제거됨으로써 상부에 그래핀층이 별도의 전사공정 없이 위치된 패턴된 기판을 형성하는 것을 특징으로 하고,상기 그래핀층을 형성하는 단계의 온도는 150℃ 내지 450℃인 것을 특징으로 하는 그래핀 제조방법
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제11항에 있어서,상기 기판은 산화물, 질화물, 금속, 합금, 유리 또는 고분자를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 제조방법
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제11항에 있어서,상기 촉매층은 구리(Cu), 니켈(Ni), 철(Fe), 코발트(Co), 백금(Pt), 이리듐(Ir), 황동(brass), 청동(bronze) 또는 스테인레스 스틸(stainless steel)을 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 제조방법
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