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기판 상 일 방향으로 연장 형성되는 채널층을 각각 포함하는 복수의 스트링들; 상기 복수의 스트링들 각각이 연장 형성되는 방향으로 상기 복수의 스트링들 각각의 중간 영역에서 상기 복수의 스트링들 각각의 상부 스트링과 하부 스트링을 서로 연결시키는 연결부; 및 상기 복수의 스트링들 각각의 연결부를 감싸도록 형성된 채, 상기 복수의 스트링들 각각에 대한 소스 전극 또는 드레인 전극 중 어느 하나로 선택적으로 사용 가능한 중간 배선층을 포함하고, 상기 중간 배선층은, 상기 기판에 부가되는 기계적 스트레스(Mechanical Stress)를 완화하는 스트레스 완화층(Stress Released Layer)으로 사용되는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
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제1항에 있어서,상기 중간 배선층은, 플레이트(Plate) 형태로 형성되어, 상기 복수의 스트링들 각각에 의해 공유되는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
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제1항에 있어서,상기 복수의 스트링들에 연결되는 복수의 상부 선택 라인(Upper Selection Line; USL)들 및 복수의 하부 선택 라인(Lower Selection Line; LSL)들은, 평면 상 서로 직교하는 방향으로 연장 형성되는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
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제1항에 있어서,상기 3차원 플래시 메모리는, 상기 복수의 스트링들 각각의 상부 스트링 및 하부 스트링 사이의 셀 문턱 전압 차이를 보상하고자, 상기 복수의 스트링들 각각의 하부 스트링에 판독 전압을 인가할 때 보상 전압 값을 추가로 더한 값의 판독 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
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기판 상 일 방향으로 연장 형성되는 채널층을 각각 포함하는 복수의 스트링들; 상기 복수의 스트링들 각각이 연장 형성되는 방향으로 상기 복수의 스트링들 각각의 중간 영역에서 상기 복수의 스트링들 각각의 상부 스트링과 하부 스트링을 서로 연결시키는 연결부; 및 상기 복수의 스트링들 각각의 연결부에 맞닿도록 적어도 일부가 상기 복수의 스트링들 각각에 매몰된 채 형성되어, 상기 복수의 스트링들 각각에 대한 소스 전극 또는 드레인 전극 중 어느 하나로 선택적으로 사용 가능한 적어도 하나의 중간 배선층을 포함하고, 상기 적어도 하나의 중간 배선층 각각은, 상기 기판에 부가되는 기계적 스트레스(Mechanical Stress)를 완화하는 스트레스 완화층(Stress Released Layer)으로 사용되는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
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제6항에 있어서,상기 적어도 하나의 중간 배선층 각각은, 라인 형태로 형성되어, 상기 복수의 스트링들 중 일렬로 정렬된 스트링들 각각에 의해 공유되는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
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제6항에 있어서,상기 3차원 플래시 메모리는, 상기 복수의 스트링들 각각의 상부 스트링 및 하부 스트링 사이의 셀 문턱 전압 차이를 보상하고자, 상기 복수의 스트링들 각각의 하부 스트링에 판독 전압을 인가할 때 보상 전압 값을 추가로 더한 값의 판독 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
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제6항에 있어서,상기 적어도 하나의 중간 배선층은, 상기 적어도 하나의 중간 배선층을 둘러싼 절연층을 통해 상기 복수의 스트링들 각각의 연결부와 연결되는, 3차원 플래시 메모리
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기판 상 일 방향으로 하부 스트링을 연장 형성하는 단계; 상기 하부 스트링의 상부 영역에 절연층을 생성하는 단계; 상기 절연층에서 상기 하부 스트링의 상부 영역 중 중앙을 제외한 가장자리를 에칭하는 단계; 상기 에칭된 가장자리 공간에 적어도 하나의 중간 배선층을 형성하는 단계; 상기 절연층에서 상기 하부 스트링의 상부 영역 중 중앙을 에칭하는 단계; 상기 에칭된 중앙 공간에 연결부를 형성하는 단계; 및 상기 연결부의 상부에 상기 일 방향으로 상부 스트링을 연장 형성하는 단계를 포함하는 3차원 플래시 메모리의 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 적어도 하나의 중간 배선층 각각은, 상기 상부 스트링 및 상기 하부 스트링에 대한 소스 전극 또는 드레인 전극 중 어느 하나로 선택적으로 사용 가능하며, 상기 기판에 부가되는 기계적 스트레스(Mechanical Stress)를 완화하는 스트레스 완화층(Stress Released Layer)으로 사용되는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 제조 방법
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기판 상 일 방향으로 연장 형성되는 채널층을 각각 포함하는 복수의 스트링들; 상기 복수의 스트링들 각각이 연장 형성되는 방향으로 상기 복수의 스트링들 각각의 중간 영역에서 상기 복수의 스트링들 각각의 상부 스트링과 하부 스트링을 서로 연결시키는 연결부; 및 상기 복수의 스트링들 사이에서 상기 복수의 스트링들 각각이 연장 형성되는 방향으로 상기 복수의 스트링들 각각의 중간 영역에 배치된 채, 하부 버퍼층에 의해 상기 복수의 스트링들 각각의 연결부과 연결되도록 형성되어 상기 복수의 스트링들 각각에 대한 소스 전극 또는 드레인 전극 중 어느 하나로 선택적으로 사용 가능한 적어도 하나의 중간 배선층을 포함하는 3차원 플래시 메모리
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제13항에 있어서,상기 적어도 하나의 중간 배선층 각각은, 상기 기판에 부가되는 기계적 스트레스(Mechanical Stress)를 완화하는 스트레스 완화층(Stress Released Layer)으로 사용되는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
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제13항에 있어서,상기 적어도 하나의 중간 배선층 각각은, 라인 형태로 형성되어, 상기 복수의 스트링들 중 일렬로 정렬된 스트링들 각각에 의해 공유되는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
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제13항에 있어서,상기 3차원 플래시 메모리는, 상기 복수의 스트링들 각각의 상부 스트링 및 하부 스트링 사이의 셀 문턱 전압 차이를 보상하고자, 상기 복수의 스트링들 각각의 하부 스트링에 판독 전압을 인가할 때 보상 전압 값을 추가로 더한 값의 판독 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
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