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광전소자 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2020013954
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 기판 상에 형성된 금속 나노와이어; 및 상기 금속 나노와이어 상에 형성된 2차원 반도체 물질;을 포함하는, 광전소자에 관한 것이다.
Int. CL H01L 31/0352 (2006.01.01) H01L 31/0216 (2014.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 29/06 (2006.01.01)
CPC H01L 31/035227(2013.01) H01L 31/035227(2013.01) H01L 31/035227(2013.01) H01L 31/035227(2013.01) H01L 31/035227(2013.01)
출원번호/일자 1020190038431 (2019.04.02)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0116706 (2020.10.13) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정문석 경기도 수원시 장안구
2 방승호 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한선희 대한민국 서울시 강남구 논현로 *** 여산빌딩 *층 ***호(온유특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2019.04.02 수리 (Accepted) 1-1-2019-0337813-76
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번호 청구항
1 1
기판 상에 형성된 금속 나노와이어; 및상기 금속 나노와이어 상에 형성된 2차원 반도체 물질;을 포함하는, 광전소자
2 2
제 1 항에 있어서,상기 금속 나노와이어는 폴리비닐피롤리돈에 의해 코팅된 것인, 광전소자
3 3
제 1 항에 있어서,상기 광전소자는 상기 금속 나노와이어의 표면 플라즈몬 공명 현상을 이용하여 상기 2 차원 반도체 물질의 광 효율을 향상시키는 것인, 광전소자
4 4
제 1 항에 따른 하이브리드 광전소자의 제조 방법에 있어서,기판 상에 금속 나노와이어를 코팅하는 단계; 및상기 금속 나노와이어 상에 2 차원 반도체 물질을 전사하는 단계;를 포함하는, 광전소자의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 성균관대학교 산학협력단 개인기초연구(과기정통부)(R＆D) 유연 2차원 칼코겐 화합물 태양전지 개발