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기판;상기 기판 상에 형성된 2 차원 반도체 물질;상기 2 차원 반도체 물질 상에 형성된 고분자 물질; 및상기 고분자 물질 상에 형성된 전극;을 포함하는 반도체 소자에 있어서, 상기 고분자 물질의 산화도는 표준 수소 전극(SHE) 대비 0
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제 1 항에 있어서,상기 오믹 접촉에 의해 상기 반도체 소자 상에 흐르는 전류는 선형으로 증가 또는 감소하는 것인, 반도체 소자
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제 1 항에 있어서,상기 2 차원 반도체 물질은 상기 기판, 상기 고분자 물질, 또는 상기 전극에 의해 도핑되지 않는 것인, 반도체 소자
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제 1 항에 있어서,상기 고분자 물질은 벤젠 비올리겐(Benzyl viologen), 메틸 비올리겐(methyl viologen), 에틸 비올리겐(ethyl viologen) 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 고분자 물질을 포함하는 것인, 반도체 소자
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제 1 항에 있어서,상기 기판은 실리콘, 실리콘 카바이드, 게르마늄, 실리콘 게르마늄, 실리콘 탄화물, InAs, AlAs, GaAs, InP, GaN, InGaAs, InAlAs, GaSb, AlSb, AlP, GaP, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 물질을 포함하는 것인, 반도체 소자
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제 1 항에 있어서,상기 2 차원 반도체 물질은 전이금속 칼코겐 화합물, 흑린(black phosphorus), 그래핀(graphene), 보로핀(borophene), 게르마닌(Germanene), 실리신(silicene), 포스포린(phosphorene), 스테닌(stenene), Si2BN, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 반도체 소자
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제 8 항에 있어서,상기 전이금속 칼코겐 화합물은 MoS2, MoSe2, MoTe2, WS2, WSe2, WTe2, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 전이금속과 칼코겐 원소의 화합물을 포함하는 것인, 반도체 소자
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제 1 항에 있어서,상기 전극은 Au, Pt, Ti, Ag, Ni, Zr, Ta, Zn, Nb, Cr, Co, Mn, Fe, Al, Mg, Si, W, Cu, 란탄계 금속, 이들의 질화물, 이들의 산화물, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 물질을 포함하는 것인, 반도체 소자
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기판 상에 2 차원 반도체 물질을 형성하는 단계;상기 2 차원 반도체 물질 상에 고분자 물질을 형성하는 단계; 및상기 고분자 물질 상에 전극을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 전극을 형성하는 단계를 수행하기 전, 상기 고분자 물질을 식각하는 단계를 포함하는 것인반도체 소자의 제조 방법
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제 11 항에 있어서,상기 2 차원 반도체 물질을 형성하는 단계는 기계적 박리, 화학 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition), 에피텍시 성장, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 공정에 의해 수행되는 것인, 반도체 소자의 제조 방법
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제 11 항에 있어서,상기 고분자 물질을 형성하는 단계는 스핀 코팅, 바코팅, 노즐 프린팅, 스프레이 코팅, 슬롯다이코팅, 그라비아 프린팅, 잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅, 전기수력학적 젯 프린팅(electrohydrodynamic jet printing), 전기분무(electrospray), 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 포함하는 방법에 의해 수행되는 것인, 반도체 소자의 제조 방법
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