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게이트 전극에 절연층을 형성하는 단계;상기 절연층에 유기계의 제1 물질을 포함하는 제1 용액을 도포하여 제1 채널층을 형성하는 제1 용액 처리 단계;상기 제1 채널층에 무기계의 제2 물질을 포함하는 제2 용액을 도포하고 자외선 처리하는 방식으로 제2 채널층을 형성하여 이종접합 구조의 전도층을 형성하는 제2 용액 처리 단계; 및상기 절연층 및 상기 전도층 중에서 적어도 하나에 소스 전극 및 드레인 전극을 증착하는 단계를 포함하는 저온 용액 공정에 기반한 양극성 트랜지스터의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 절연층을 형성하는 단계는 상기 절연층을 초음파 세척하고 자외선 처리하여 상기 절연층을 친수화하는 것을 특징으로 하는 저온 용액 공정에 기반한 양극성 트랜지스터의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 절연층을 형성하는 단계는 아민기를 갖는 물질을 포함하는 용액을 이용하여 상기 절연층을 표면 처리하여 상기 절연층을 기능화하는 것을 특징으로 하는 저온 용액 공정에 기반한 양극성 트랜지스터의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 제1 용액 처리 단계는 상온에서 제1 용액을 도포한 후 기 설정된 시간 이후에 정제된 여과수를 이용하여 린싱(Rinsing)하거나 건조공기를 이용하여 블로잉(Blowing)하는 것을 특징으로 하는 저온 용액 공정에 기반한 양극성 트랜지스터의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 제1 채널층은 탄소나노튜브(Carbon Nano Tube, CNT), 그래핀(Graphene), 산화 환원 그래핀(Reduced Graphene Oxide, RGO), 또는 이들의 조합으로 된 탄소계 고분자 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 저온 용액 공정에 기반한 양극성 트랜지스터의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 제2 용액 처리 단계는 50 ℃ 내지 350 ℃ 범위에서 자외선 처리하며, 자외선이 상기 제1 채널층에 도달하기 전에 상기 제2 물질에 포함된 금속 전구체의 분해 과정과 산화 화합물의 고밀도화를 진행시키는데 상기 자외선이 사용되어, 상기 자외선이 상기 제1 채널층의 전도성을 손상시키지 않는 것을 특징으로 하는 저온 용액 공정에 기반한 양극성 트랜지스터의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 제2 채널층은 In2O3(Indium Oxide), ZnO(Zinc Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), ZTO(Zinc Tin Oxide), TiO2 (Titanium OXIDE), ITO(Indium Tin Oxide), HfIZO (Hafnium Indium Zinc Oxide), SnO2 (Tin Oxide), 또는 이들의 조합으로 된 금속 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 저온 용액 공정에 기반한 양극성 트랜지스터의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 전도층은 (i) p형 반도체로 동작하는 제1 물질을 포함하는 제1 채널층 및 (ii) n형 반도체로 동작하는 제2 물질을 포함하는 제2 채널층이 이종접합 구조로 형성된 것을 특징으로 하는 저온 용액 공정에 기반한 양극성 트랜지스터의 제조 방법
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전하 이동 통로를 형성하는 전도층;상기 전도층에 연결되어 전하를 공급하는 소스(Source) 전극;상기 전도층에 연결되어 상기 전하를 받는 드레인(Drain) 전극;상기 전도층에 상기 전하가 흐르거나 흐르지 않게 조절하는 게이트(Gate) 전극; 및상기 전도층과 상기 게이트 전극을 전기적으로 분리하는 절연층을 포함하며,상기 전도층은 (i) 유기계의 제1 물질을 포함하며 p형 반도체로 동작하는 제1 채널층 및 (ii) 무기계의 제2 물질을 포함하며 n형 반도체로 동작하는 제2 채널층이 이종접합 구조로 형성된 것을 특징으로 하는 이종접합 구조의 양극성 트랜지스터
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제9항에 있어서,상기 절연층은 아민기를 갖는 물질에 의해 표면 처리된 것을 특징으로 하는 이종접합 구조의 양극성 트랜지스터
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제9항에 있어서,상기 제1 채널층은 탄소나노튜브(Carbon Nano Tube, CNT), 그래핀(Graphene), 산화 환원 그래핀(Reduced Graphene Oxide, RGO), 또는 이들의 조합으로 된 탄소계 고분자 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 이종접합 구조의 양극성 트랜지스터
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제9항에 있어서,상기 제2 채널층은 In2O3(Indium Oxide), ZnO(Zinc Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), ZTO(Zinc Tin Oxide), TiO2 (Titanium OXIDE), ITO(Indium Tin Oxide), HfIZO (Hafnium Indium Zinc Oxide), SnO2 (Tin Oxide), 또는 이들의 조합으로 된 금속 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 이종접합 구조의 양극성 트랜지스터
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제9항에 있어서,상기 전도층은 상기 유기계의 제1 물질을 포함하는 제1 용액을 도포하여 상기 제1 채널층을 형성하고, 상기 무기계의 제2 물질을 포함하는 제2 용액을 도포하고 자외선 처리하는 방식으로 제2 채널층을 형성하며,자외선이 상기 제1 채널층에 도달하기 전에 상기 제2 물질에 포함된 금속 전구체의 분해 과정과 산화 화합물의 고밀도화를 진행시키는데 상기 자외선이 사용되어, 상기 자외선이 상기 제1 채널층에 형성된 랜덤 네트워크에 따른 전도성을 손상시키지 않고,p형 반도체 및 n형 반도체로 양극성 동작하는 것을 특징으로 하는 이종접합 구조의 양극성 트랜지스터
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제9항에 있어서,상기 제1 채널층은 탄소계 물질에 의해 라만 스펙트럼에서 G 피크와 2D 피크가 나타나고, 상기 제2 채널층의 금속 산화물에 자외선 처리하더라도 상기 제1 채널층은 상기 G 피크와 상기 2D 피크를 유지하는 것을 특징으로 하는 이종접합 구조의 양극성 트랜지스터
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제9항에 있어서,상기 소스 전극과 상기 드레인 전극은 동일 물질로 구현된 것을 특징으로 하는 이종접합 구조의 양극성 트랜지스터
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두 개의 이종접합 구조의 양극성 트랜지스터를 상호 연결하며,상기 이종접합 구조의 양극성 트랜지스터는,전하 이동 통로를 형성하는 전도층;상기 전도층에 연결되어 전하를 공급하는 소스(Source) 전극;상기 전도층에 연결되어 상기 전하를 받는 드레인(Drain) 전극;상기 전도층에 상기 전하가 흐르거나 흐르지 않게 조절하는 게이트(Gate) 전극; 및상기 전도층과 상기 게이트 전극을 전기적으로 분리하는 절연층을 포함하며,상기 전도층은 (i) 유기계의 제1 물질을 포함하며 p형 반도체로 동작하는 제1 채널층 및 (ii) 무기계의 제2 물질을 포함하며 n형 반도체로 동작하는 제2 채널층이 이종접합 구조로 형성된 것을 특징으로 하는 CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) 회로 장치
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제16항에 있어서,상기 회로 장치는 유연 기판에 구현될 수 있고, 대상체에 착용 가능한 것을 특징으로 하는 회로 장치
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