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반응 챔버 내에 기판을 준비하는 단계; 제1 온도에서 스터퍼링 공정을 이용하여 전이금속 전구체와 칼코겐을 포함하는 전구체로부터 전이 금속 칼코게나이드 박막을 상기 기판상에 증착시키는 단계; 및 상기 칼코겐 전구체가 가스 상태로 주입되고, 상기 전이 금속 칼코게나이드 박막을 상기 제1 온도보다 높은 제2 온도로 열처리하는 단계;를 포함하며상기 기판은 사파이어(Sapphire) 기판, 산화실리콘(SiO2) 기판, 나노결정질 그래핀(nanocrystalline graphene) 기판 또는 이황화몰리브텐(MoS2) 기판 중 어느 하나인 전이 금속 칼코게나이드 박막의 형성 방법
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제 1항에 있어서, 상기 기판이 산화막인 경우, 상기 기판의 상부에 산화 방지막이 더 배치되는전이 금속 칼코게나이드 박막의 형성 방법
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제 2항에 있어서, 상기 산화 방지막은 그래핀, h-BN, Phosphorene, SnS2, SiN, WSe2중 하나 이상을 포함하는전이 금속 칼코게나이드 박막의 형성 방법
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제 1항에 있어서, 상기 전이 금속 칼코게나이드 박막을 열처리하는 상기 제2 온도는 800℃ 내지 1200℃인,전이 금속 칼코게나이드 박막의 형성 방법
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제 1항에 있어서, 상기 전이 금속 칼코게나이드 박막을 열처리하는 공정 압력은 1 torr 내지 10 torr인,전이 금속 칼코게나이드 박막의 형성 방법
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제 1항에 있어서, 상기 기판상에 상기 전이 금속 칼코게나이드 박막을 증착시키기 위한 상기 제1 온도는 500℃ 내지 800℃인, 전이 금속 칼코게나이드 박막의 형성 방법
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제 1항에 있어서, 상기 기판상에 상기 전이 금속 칼코게나이드 박막을 증착시키기 위한 증착 시간은 30초 내지 60초인,전이 금속 칼코게나이드 박막의 형성 방법
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제 1항에 있어서, 상기 기판상에 상기 전이 금속 칼코게나이드 박막을 증착시키기 위한 증착 압력 0
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제 1항에 있어서, 상기 전이 금속 칼코게나이드 박막은, 비정절 및 다결정 중 적어도 하나를 포함하는 전이 금속 칼코게나이드 박막의 형성 방법
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제 1항에 있어서, 상기 전이 금속 칼코게나이드 박막은, 하기 화학식 1로 표시되는 조성을 포함하는,[화학식 1]MX(2-a)Ya상기 식 중 M은 전이금속 원소이고, X 칼코겐 원소이고, Y는 노이즈 원소이며, 0≤a003c#2 이다
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제 1 항에 있어서, 상기 열처리된 전이 금속 칼코게나이드 박막은, 하기 화학식 2로 표시되는 조성을 포함하는, [화학식 2]MX2상기 M은 전이금속 원소이고, 상기 X는 칼코겐 원소이다
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제 1항에 있어서, 상기 전이금속 전구체는, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Mo, W, Tc, Re, Co, Rh, Ir, Ni, Pd, Pt, Zn 및 Sn으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 원소를 포함하는 것인 전이 금속 칼코게나이드 박막의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 칼코겐을 포함하는 전구체는, S, Se 및 Te으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 원소를 포함하는 것인 전이 금속 칼코게나이드 박막의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 전이 금속 칼코게나이드 박막은 단층 또는 다층으로 마련되는,전이 금속 칼코게나이드 박막의 제조방법
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