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플라즈마처리를 이용한 산화물반도체 자가정렬 탑게이트구조 공정방법 및 소자

  • 기술번호 : KST2021002673
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 산화물 반도체 물질의 증착 하고 패터닝 된 게이트 절연물질과 게이트 금속을 증착 후에 소스 드레인 패터닝 공정과 수소 플라즈마 처리를 통한 도핑으로 산화물 반도체의 활성화를 한다. 산화물 반도체 물질에 수소 플라즈마 처리를 통한 토핑을 하면 활성화와 동시에 일정 거리를 수소가 산화물 반도체내에서 확산 되어 채널이 되는 부분 또한 활성화가 가능함을 이용하여 산화물 반도체 물질의 자가정렬 탑 게이트구조 소자 제작이 에칭공정 필요 없이 쉽게 가능하다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01.01) H01L 29/66 (2006.01.01)
CPC H01L 29/78675(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/78618(2013.01) H01L 29/78696(2013.01) H01L 29/66742(2013.01)
출원번호/일자 1020190106824 (2019.08.29)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2021-0026281 (2021.03.10) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이승백 서울특별시 강남구
2 이건우 서울특별시 강동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김연권 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, ****/****호(문정동, 문정대명벨리온)(시안특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2019.08.29 수리 (Accepted) 1-1-2019-0892198-12
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번호 청구항
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패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부(2017Y) (재)한국연구재단 원천기술개발사업 / 나노·소재 기술개발사업 / 나노·소재원천기술개발사업 2차원 소재를 이용한 적층소자의 집적화 기술 개발
2 민간기업체 삼성전자(주) 산업체 위탁연구비 / 산업체 위탁연구비 / 산업체 위탁연구비 low leakage sub-100nm IGZO TFT 제작 및 동작특성 연구