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반도체 박막의 제조 방법 및 이를 이용한 박막 트랜지스터

  • 기술번호 : KST2018011237
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 금속, 질소(N), 및 산소(O)를 포함하는 베이스 박막(base thin layer)을 준비하는 단계, 및 상기 베이스 박막에 IPL(Intense Pulsed Light)을 조사하는 방법으로, 상기 베이스 박막의 전기전도도를 감소시켜 활성막(active layer)을 제조하는 단계를 포함하는 반도체 박막의 제조 방법이 제공될 수 있다.
Int. CL H01L 21/28 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 29/786 (2006.01.01)
CPC H01L 21/28194(2013.01) H01L 21/28194(2013.01) H01L 21/28194(2013.01) H01L 21/28194(2013.01) H01L 21/28194(2013.01)
출원번호/일자 1020170016884 (2017.02.07)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0091547 (2018.08.16) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박진성 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 김학성 대한민국 서울특별시 성동구
3 옥경철 대한민국 경기도 안양시 만안구
4 황현준 대한민국 서울특별시 강동구
5 한기림 대한민국 서울특별시 은평구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박상열 대한민국 서울 금천구 가산디지털*로 *** **층 ****호(나눔국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.02.07 수리 (Accepted) 1-1-2017-0127183-15
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
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번호 청구항
1 1
금속, 질소(N), 및 산소(O)를 포함하는 베이스 박막(base thin layer)을 준비하는 단계; 및상기 베이스 박막에 IPL(Intense Pulsed Light)을 조사하는 방법으로, 상기 베이스 박막의 전기 전도도를 감소시켜 활성막(active layer)을 제조하는 단계를 포함하는 반도체 박막의 제조 방법
2 2
제1 항에 있어서, 상기 베이스 박막의 두께에 따라, 상기 IPL 에너지 증가에 따른 상기 활성막의 전기전도도 감소율이 조절되는 것을 포함하는 반도체 박막의 제조 방법
3 3
제2 항에 있어서,상대적으로 상기 베이스 박막의 두께가 두꺼운 경우, 상기 IPL 에너지 증가에 따른 상기 활성막의 전기전도도 감소율이 작고,상대적으로 상기 베이스 박막의 두께가 얇은 경우, 상기 IPL 에너지 증가에 따른 상기 활성막의 전기전도도 감소율이 큰 것을 포함하는 반도체 박막의 제조 방법
4 4
제1 항에 있어서, 상기 베이스 박막에 포함된 질소의 함량에 따라, 상기 IPL 에너지가 조절되는 것을 포함하는 반도체 박막의 제조 방법
5 5
제4 항에 있어서,상기 베이스 박막에 포함된 질소의 함량이 높을수록, 상기 IPL 에너지 증가에 따른 상기 활성막의 전기전도도 감소율이 증가하는 반도체 박막의 제조 방법
6 6
제1 항에 있어서, 상기 베이스 박막에 조사되는 상기 IPL 에너지에 따라, 상기 활성막에 포함된 금속과 질소 사이의 결합 비율이 조절되는 것을 포함하는 반도체 박막의 제조 방법
7 7
제6 항에 있어서, 상기 IPL 에너지가 기준 IPL 에너지보다 작은 경우, 상기 IPL 에너지가 증가함에 따라 상기 활성막에 포함된 금속과 질소 사이의 결합 비율이 증가하고,상기 IPL 에너지가 기준 IPL 에너지보다 큰 경우, 상기 IPL 에너지가 증가함에 따라 상기 활성막에 포함된 금속 및 질소 사이의 결합 비율이 감소하는 것을 포함하는 반도체 박막의 제조 방법
8 8
제1 항에 있어서, 상기 활성막을 제조하는 단계는 상온에서 수행되는 것을 포함하는 반도체 박막의 제조 방법
9 9
제1 항에 있어서, 상기 IPL 광은 가시광선 파장인 것을 포함하는 반도체 박막의 제조 방법
10 10
게이트 전극(gate electrode);상기 게이트 전극 상의 게이트 절연막(gate insulator);상기 게이트 절연막을 사이에 두고 상기 게이트 전극과 이격되며, 금속, 질소(N), 및 산소(O)를 포함하고, IPL(Intense Pulsed Light)이 조사되어 반도체 특성을 갖는 활성막(active layer);상기 활성막 상의 소스(source) 및 드레인(drain) 전극을 포함하는 박막 트랜지스터
11 11
제10 항에 있어서,상기 활성막에 포함된 금속과 질소의 결합 비율에 따라, 상기 활성막의 전기전도도가 조절되는 것을 포함하는 박막 트랜지스터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.