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투명 활성층, 이를 포함하는 박막 트랜지스터, 및 그 제조 방법(Transparent active layer, thin film transistor comprising the same, and method of fabricating of the thin film transistor)

  • 기술번호 : KST2018000521
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 박막 트랜지스터의 제조 방법이 제공된다. 상기 박막 트랜지스터의 제조 방법은, 플라스틱 기판을 준비하는 단계, 상기 플라스틱 기판 상에, 아연을 포함하는 제1 소스를 제공하는 단계, 및 황을 포함하는 제2 소스를 제공하는 단계를 7:1~13:1의 비율로 수행하여, 상기 플라스틱 기판 상에 투명 활성층을 원자층 증착법으로 형성하는 단계, 상기 투명 활성층과 중첩되는 게이트 전극을 제공하는 단계, 및 상기 게이트 전극 및 상기 투명 활성층 사이에 게이트 절연막을 제공하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 27/32 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020170179743 (2017.12.26)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-2010157-0000 (2019.08.06)
공개번호/일자 10-2018-0002579 (2018.01.08) 문서열기
공고번호/일자 (20190812) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자 10-2015-0141686 (2015.10.08)
관련 출원번호 1020150141686
심사청구여부/일자 Y (2017.12.26)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 성명모 서울특별시 서초구
2 한규석 서울특별시 영등포구
3 윤관혁 서울특별시 도봉구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박상열 대한민국 서울 금천구 가산디지털*로 *** **층 ****호(나눔국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2017.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2017-1291506-51
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.03.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0203443-34
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2018.05.23 수리 (Accepted) 1-1-2018-0502351-76
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.06.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0613907-21
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.06.22 수리 (Accepted) 1-1-2018-0613906-86
6 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2018.10.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0698553-23
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2018.12.17 수리 (Accepted) 1-1-2018-1266340-27
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2019.01.16 수리 (Accepted) 1-1-2019-0054529-09
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2019.02.18 수리 (Accepted) 1-1-2019-0165934-57
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.03.15 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2019-0268303-06
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.03.15 수리 (Accepted) 1-1-2019-0268302-50
12 등록결정서
Decision to grant
2019.07.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0526894-88
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
삭제
2 2
기판;상기 기판 상에 배치되고, 35
3 3
제2 항에 있어서, 상기 투명 활성층을 PECCS 분석하는 경우, 2
4 4
제2 항에 있어서, 상기 투명 활성층은 아연 산화물(ZnO) 대비 낮은 탄성 계수(elastic modulus) 및 낮은 경도(hardness)를 갖는 것을 포함하는 박막 트랜지스터
5 5
제2 항에 있어서, 상기 투명 활성층은 원자층 증착법으로 제조된 것을 포함하는 박막 트랜지스터
6 6
제5 항에 있어서, 상기 투명 활성층은, DEZn 및 4-mercaptophenol을 이용하여 제조된 것을 포함하는 박막 트랜지스터
7 7
제2 항에 있어서, 106 이상의 온오프 비율(on/off ratio)을 갖는 것을 포함하는 박막 트랜지스터
8 8
제2 항에 있어서, 상기 투명 활성층은 7cm2/Vs 이상의 이동도를 갖는 것을 포함하는 박막 트랜지스터
9 9
제2 항에 있어서, 상기 기판은 플라스틱 기판을 포함하는 박막 트랜지스터
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR101814254 KR 대한민국 FAMILY
2 US10453942 US 미국 FAMILY
3 US20180233584 US 미국 FAMILY
4 WO2017061838 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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