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스캔 라인 및 상기 스캔 라인과 교차하는 데이터 라인에 접속되는 화소를 포함하고, 상기 화소는 발광 소자, 및 상기 데이터 라인으로부터 인가된 데이터 전압에 따라 상기 발광 소자에 공급되는 구동 전류를 제어하는 구동 트랜지스터를 포함하며, 상기 구동 트랜지스터는 주석(Sn)을 포함하는 산화물 반도체를 갖는 제1 활성층을 포함하는 표시 장치
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제1 항에 있어서, 상기 산화물 반도체 내에서 상기 주석(Sn)의 함량은 10 at
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제2 항에 있어서, 상기 주석은 상기 산화물 반도체 내에서 분산된 표시 장치
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제2 항에 있어서, 상기 산화물 반도체는 인듐-주석 산화물(Indium-Tin Oxide, ITO), 인듐-아연-주석 산화물(Indium-Zinc-Tin Oxide, IZTO), 인듐-갈륨-주석 산화물(Indium-Galium-Tin Oxide, IGTO) 또는 인듐-갈륨-아연-주석 산화물(Indium-Galium-Zinc-Tin Oxide, IGZTO)을 포함하는 표시 장치
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제1 항에 있어서, 상기 산화물 반도체는 주석(Sn)을 포함하는 적어도 하나의 제1 산화물층 및 인듐(In)을 포함하는 적어도 하나의 제2 산화물층을 포함하는 표시 장치
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제5 항에 있어서, 상기 산화물 반도체는 상기 제1 산화물층과 상기 제2 산화물층이 교번적으로 적층된 구조를 갖는 표시 장치
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제5 항에 있어서, 상기 산화물 반도체는 아연(Zn)을 포함하는 적어도 하나의 제3 산화물층을 더 포함하고, 상기 제1 내지 제3 산화물층이 일 방향으로 적층된 구조를 갖는 표시 장치
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제7 항에 있어서, 상기 제1 활성층은 상기 일 방향에 따른 일 면 및 상기 일 면에 대향하는 타 면을 포함하고, 상기 일 면에 인접한 영역의 주석의 함량과 상기 타 면에 인접한 영역의 주석의 함량은 서로 다른 값을 갖는 표시 장치
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제8 항에 있어서, 상기 제1 활성층 내에 포함된 상기 주석의 함량은 상기 일 면으로부터 상기 타 면으로 갈수록 선형적으로 감소하는 표시 장치
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제1 항에 있어서, 상기 제1 활성층은 제1 도체화 영역, 제2 도체화 영역 및 상기 제1 도체화 영역과 상기 제2 도체화 영역 사이에 배치된 채널 영역을 포함하는 표시 장치
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제10 항에 있어서, 상기 구동 트랜지스터는,상기 제1 활성층 아래에 배치된 제1 차광층; 상기 제1 활성층 상에 배치된 제1 게이트 전극; 상기 제1 게이트 전극 상에 배치된 층간 절연막을 관통하는 제1 컨택홀을 통해 상기 제1 도체화 영역에 접속되는 제1 소스 전극; 및 상기 층간 절연막을 관통하는 제2 컨택홀을 통해 상기 제2 도체화 영역에 접속되는 제1 드레인 전극을 더 포함하는 표시 장치
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제11 항에 있어서, 상기 화소는 상기 스캔 라인에 인가되는 스캔 신호에 따라 상기 데이터 라인의 상기 데이터 전압을 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 인가하기 위한 스캔 트랜지스터를 포함하고, 상기 스캔 트랜지스터는 주석(Sn)을 포함하는 산화물 반도체를 갖는 제2 활성층을 포함하는 표시 장치
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제12 항에 있어서, 상기 제2 활성층 내에서 상기 주석(Sn)의 함량은 10 at
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대상 기판 상에 원자층 증착법을 이용하여 적어도 하나의 산화물층을 포함하는 활성층을 형성하는 단계; 및상기 활성층을 포함하는 적어도 하나의 박막 트랜지스터를 형성하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법
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제14 항에 있어서, 상기 산화물층은 인듐(In)을 포함하는 적어도 하나의 제1 산화물층 및 주석(Sn)을 포함하는 적어도 하나의 제2 산화물층을 포함하는 표시 장치의 제조 방법
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제15 항에 있어서, 상기 활성층을 형성하는 단계는 상기 적어도 하나의 산화물층을 형성하는 원자층 증착 사이클을 적어도 1회 수행하는 단계를 포함하고, 상기 원자층 증착 사이클은 상기 대상 기판 상에 상기 제1 산화물층을 형성하는 제1 증착 사이클 단계; 및 상기 제1 산화물층 상에 상기 제2 산화물층을 형성하는 제2 증착 사이클 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법
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제16 항에 있어서, 상기 원자층 증착 사이클은 상기 제2 산화물층과 상기 제1 산화물층 사이에 아연(Zn)을 포함하는 제3 산화물층을 형성하는 제3 증착 사이클 단계를 더 포함하는 표시 장치의 제조 방법
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제17 항에 있어서, 상기 원자층 증착 사이클은 상기 제2 증착 사이클 단계를1회 이상의 수행하고, 상기 제1 증착 사이클 단계와 상기 제3 증착 사이클 단계는 동일한 비율로 수행하는 표시 장치의 제조 방법
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제15 항에 있어서, 상기 활성층은 인듐-주석 산화물(Indium-Tin Oxide, ITO), 인듐-아연-주석 산화물(Indium-Zinc-Tin Oxide, IZTO), 인듐-갈륨-주석 산화물(Indium-Galium-Tin Oxide, IGTO) 또는 인듐-갈륨-아연-주석 산화물(Indium-Galium-Zinc-Tin Oxide, IGZTO)을 포함하는 표시 장치의 제조 방법
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제19 항에 있어서, 상기 활성층 내에서 상기 주석(Sn)의 함량은 10 at
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