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IGO 채널층 기반의 메모리 장치 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2021008639
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 IGO 채널층 기반의 메모리 장치 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 일실시예에 따른 메모리 장치는 적어도 하나의 전이 금속을 구비하는 다중층 및 다중층과 인접하여 형성되고, IGO(indium gallium oxide) 물질을 구비하는 채널층을 포함한다.
Int. CL H01L 27/11568 (2017.01.01) H01L 27/11582 (2017.01.01) H01L 29/792 (2006.01.01) H01L 29/66 (2006.01.01)
CPC H01L 27/11568(2013.01) H01L 27/11582(2013.01) H01L 29/792(2013.01) H01L 29/66833(2013.01)
출원번호/일자 1020190168964 (2019.12.17)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2021-0077383 (2021.06.25) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.12.17)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최창환 서울특별시 성동구
2 정재경 서울특별시 성동구
3 정순오 서울특별시 성동구
4 한훈희 서울특별시 성동구
5 왕훤 서울특별시 성동구
6 설현주 서울특별시 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김연권 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, ****/****호(문정동, 문정대명벨리온)(시안특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2019.12.17 수리 (Accepted) 1-1-2019-1304937-90
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2020.09.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2020.11.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2020-0183488-45
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2020.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0834804-05
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2021.01.29 수리 (Accepted) 1-1-2021-0121066-70
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2021.01.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2021-0121067-15
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번호 청구항
1 1
적어도 하나의 전이 금속을 구비하는 다중층 및 상기 다중층과 인접하여 형성되고, IGO(indium gallium oxide) 물질을 구비하는 채널층을 포함하는 메모리 장치
2 2
제1항에 있어서, 상기 채널층은 650 내지 750의 온도 범위에서 수행되는 열처리를 통해 결정화된 상기 IGO 물질을 구비하는 메모리 장치
3 3
제2항에 있어서, 상기 IGO 물질은 (222) 결정면으로 결정화되는 메모리 장치
4 4
제1항에 있어서,상기 다중층은 터널 절연층(tunneling oxide layer), 전하 트랩층(charge trap layer) 및 블로킹 절연층(blocking oxide layer)을 포함하는 ONO(oxide-nitride-oxide)층인메모리 장치
5 5
제1항에 있어서,상기 전이 금속은 알루미늄(Al), 티타늄(Ti) 및 티타늄 질화물(TiN) 중 적어도 하나를 포함하는 메모리 장치
6 6
적어도 하나의 전이 금속을 구비하는 다중층을 형성하는 단계 및 상기 다중층에 인접하여 IGO(indium gallium oxide) 물질을 구비하는 채널층을 형성하는 단계를 포함하는 메모리 장치의 제조 방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 채널층을 형성하는 단계는 650 내지 750의 온도 범위에서 수행되는 열처리를 통해 상기 IGO 물질을 결정화하는메모리 장치의 제조 방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 IGO 물질은 (222) 결정면으로 결정화되는메모리 장치의 제조 방법
9 9
제6항에 있어서, 상기 채널층을 형성하는 단계는 원자층 증착법(atomic layer deposition; ALD)을 통해 상기 IGO 물질을 10nm 내지 20nm의 두께로 증착하여 상기 채널층을 형성하는 메모리 장치의 제조 방법
10 10
제6항에 있어서, 상기 다중층은 터널 절연층(tunneling oxide layer), 전하 트랩층(charge trap layer) 및 블로킹 절연층(blocking oxide layer)을 포함하는 ONO(oxide-nitride-oxide)층인메모리 장치의 제조 방법
11 11
제6항에 있어서, 상기 전이 금속은 알루미늄(Al), 티타늄(Ti) 및 티타늄 질화물(TiN) 중 적어도 하나를 포함하는 메모리 장치의 제조 방법
12 12
제6항에 있어서, 복수의 전극층과 복수의 층간 절연층을 서로 교대로 적층 형성하는 단계 및 상기 적층 형성된 복수의 전극층과 층간 절연층을 관통하는 홀(hole)을 형성하는 단계를 더 포함하는 메모리 장치의 제조 방법
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.