| 1 |
1
절연 물질로 이루어진 기판;제1 유형의 불순물이 도핑된 반도체 물질로 이루어져, 상기 기판의 상부에 수평 방향을 따라 일정 거리 이격되어 배치된 제1 및 제2 도핑 영역;제1 유형의 불순물이 도핑된 반도체 물질로 이루어져, 상기 기판의 상부에 배치되되, 상기 제1 및 제2 도핑 영역과 수직 방향을 따라 일정 거리 이격되어 배치된 제3 도핑 영역;절연 물질로 이루어져, 상기 제1, 제2 및 제3 도핑 영역들의 사이에 배치되어, 상기 제1, 제2 및 제3 도핑 영역들을 서로 전기적으로 분리시키는 절연막;상기 제1 도핑 영역의 측면, 상기 제3 도핑 영역의 제1 측면, 및 제1 도핑 영역과 제3 도핑 영역의 사이에 위치한 절연막의 제1 측면에 배치된 제1 반도체 영역;상기 제2 도핑 영역의 측면과 상기 제3 도핑 영역의 제2 측면, 및 제2 도핑 영역과 제3 도핑 영역의 사이에 위치한 절연막의 제2 측면에 배치된 제2 반도체 영역;상기 제1 반도체 영역의 측면에 배치된 제1 게이트 절연막 스택;상기 제2 반도체 영역의 측면에 배치된 제2 게이트 절연막 스택;을 구비하는 것을 특징으로 하는 시냅스 모방 소자
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 시냅스 모방 소자는, 제2 유형의 불순물이 도핑된 반도체 물질로 이루어져, 상기 제1 및 제3 도핑 영역들의 사이에 배치되되 상기 제1 및 제3 도핑 영역들과는 전기적으로 절연되며 제1 반도체 영역과는 전기적으로 접촉되는 제3 반도체 영역;제2 유형의 불순물이 도핑된 반도체 물질로 이루어져, 상기 제2 및 제3 도핑 영역들의 사이에 배치되되 상기 제2 및 제3 도핑 영역들과는 전기적으로 절연되며 제2 반도체 영역과는 전기적으로 접촉되는 제4 반도체 영역;을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 시냅스 모방 소자
|
| 3 |
3
제1항 및 제2항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 게이트 절연막 스택은 전하를 저장할 수 있도록 구성된 전하 저장층; 및 적어도 하나 이상의 절연막;을 구비하며, 상기 전하 저장층은 반도체 또는 도전성 물질로 구성되거나 트랩을 포함하는 물질로 구성된 것을 특징으로 하는 시냅스 모방 소자
|
| 4 |
4
제3항에 있어서, 상기 제1 및 제2 게이트 절연막 스택은, 프로그램이나 이레이져 동작을 수행함에 있어 제1 및 제2 게이트 절연막 스택들에 연결된 전극으로부터 캐리어가 프로그램 또는 이레이져 되거나, 상기 제1 및 제2 반도체 영역 중 적어도 어느 한 영역으로부터 캐리어가 프로그램 또는 이레이져 되는 것을 특징으로 하는 시냅스 모방 소자
|
| 5 |
5
제1항 및 제2항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 반도체 영역은 제1, 제2 및 제3 도핑 영역에 도핑된 불순물의 제1 유형과 다른 제2 유형의 불순물로 도핑된 것을 특징으로 하는 시냅스 모방 소자
|
| 6 |
6
제1항 및 제2항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 시냅스 모방 소자는, FET로 동작되는 경우, 제1 및 제2 반도체 영역에서는 제1 및 제2 도핑 영역으로부터 제3 도핑 영역으로 전류가 흐르거나, 제3 도핑 영역으로부터 제1 및 제2 도핑 영역으로 전류가 흐르도록 구성된 것을 특징으로 하는 시냅스 모방 소자
|
| 7 |
7
제1항에 있어서, 제1 도핑 영역과 제3 도핑 영역 사이의 절연막의 제1 측면, 그리고 상기 절연막의 제1 측면과 접하는 상기 제1 반도체 영역과 상기 제1 게이트 절연막 스택은 볼록한 형태로 이루어지고, 제2 도핑 영역과 제3 도핑 영역 사이의 절연막의 제2 측면, 그리고 상기 절연막의 제2 측면과 접하는 상기 제2 반도체 영역과 상기 제2 게이트 절연막 스택은 볼록한 형태로 이루어진 것을 특징으로 하는 시냅스 모방 소자
|
| 8 |
8
제2항에 있어서, 제3 반도체 영역의 측면들 중 상기 제1 반도체 영역과 접하는 제1 측면, 그리고 상기 제3 반도체 영역의 제1 측면과 접하는 상기 제1 반도체 영역과 상기 제1 게이트 절연막 스택은 볼록한 형태로 이루어지고, 제4 반도체 영역의 측면들 중 상기 제2 반도체 영역과 접하는 제1 측면, 그리고 상기 제4 반도체 영역의 제1 측면과 접하는 상기 제2 반도체 영역과 상기 제2 게이트 절연막 스택은 볼록한 형태로 이루어진 것을 특징으로 하는 시냅스 모방 소자
|
| 9 |
9
제1항 및 제2항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 시냅스 모방 소자는, 상기 제1 게이트 절연막 스택의 표면에 배치된 제1 전극; 및상기 제2 게이트 절연막 스택의 표면에 배치된 제2 전극;을 더 구비하고, 상기 제1 전극 및 제2 전극은 전기적으로 서로 분리되거나 전기적으로 서로 연결되도록 구성된 것을 특징으로 하는 시냅스 모방 소자
|
| 10 |
10
절연 물질로 이루어진 기판;제1 유형의 불순물이 도핑된 반도체 물질로 이루어져, 상기 기판의 상부에 수평 방향을 따라 일정 거리 이격되어 배치된 제1 및 제2 도핑 영역;제1 유형의 불순물이 도핑된 반도체 물질로 이루어져, 상기 기판의 상부에 수평 방향을 따라 일정 거리 이격되어 배치되되, 상기 제1 및 제2 도핑 영역들과 각각 수직 방향을 따라 일정 거리 이격되어 배치된 제3 및 제4 도핑 영역;절연 물질로 이루어져, 상기 제1, 제2, 제3 및 제4 도핑 영역들의 사이에 배치되어, 상기 제1, 제2, 제3 및 제4 도핑 영역들을 서로 전기적으로 분리시키는 절연막;상기 제1 도핑 영역의 측면, 상기 제3 도핑 영역의 측면, 및 제1 도핑 영역과 제3 도핑 영역의 사이에 위치한 절연막의 제1 측면에 배치된 제1 반도체 영역;상기 제2 도핑 영역의 측면과 상기 제4 도핑 영역의 측면, 및 제2 도핑 영역과 제4 도핑 영역의 사이에 위치한 절연막의 제2 측면에 배치된 제2 반도체 영역;제2 유형의 불순물이 도핑된 반도체 물질로 이루어져, 상기 제1 및 제3 도핑 영역들의 사이에 배치되되 상기 제1 및 제3 도핑 영역들과는 전기적으로 절연되며 제1 반도체 영역과는 전기적으로 접촉되는 제3 반도체 영역;제2 유형의 불순물이 도핑된 반도체 물질로 이루어져, 상기 제2 및 제4 도핑 영역들의 사이에 배치되되 상기 제2 및 제4 도핑 영역들과는 전기적으로 절연되며 제2 반도체 영역과는 전기적으로 접촉되는 제4 반도체 영역;상기 제1 반도체 영역의 측면에 배치된 제1 게이트 절연막 스택;상기 제2 반도체 영역의 측면에 배치된 제2 게이트 절연막 스택;을 구비하는 것을 특징으로 하는 시냅스 모방 소자
|
| 11 |
11
제10항에 있어서, 상기 제1 및 제2 게이트 절연막 스택은 전하를 저장할 수 있도록 구성된 전하 저장층; 및 적어도 하나 이상의 절연막;을 구비하며, 상기 전하 저장층은 반도체 또는 도전성 물질로 구성되거나 트랩을 포함하는 물질로 구성된 것을 특징으로 하는 시냅스 모방 소자
|
| 12 |
12
제11항에 있어서, 상기 제1 및 제2 게이트 절연막 스택은, 제1 및 제2 게이트 절연막 스택들에 연결된 전극으로부터 캐리어가 프로그램 또는 이레이져 되거나, 상기 제1 및 제2 반도체 영역 중 적어도 어느 한 영역으로부터 캐리어가 프로그램 또는 이레이져 되는 것을 특징으로 하는 시냅스 모방 소자
|
| 13 |
13
제10항에 있어서, 상기 제1 및 제2 반도체 영역은 제1, 제2, 제3 및 제4 도핑 영역에 도핑된 불순물의 제1 유형과 다른 제2 유형의 불순물로 도핑된 것을 특징으로 하는 시냅스 모방 소자
|
| 14 |
14
제10항에 있어서, 제3 반도체 영역의 측면들 중 상기 제1 반도체 영역과 접하는 제1 측면, 그리고 상기 제3 반도체 영역의 제1 측면과 접하는 상기 제1 반도체 영역과 상기 제1 게이트 절연막 스택은 볼록한 형태로 이루어지고, 제4 반도체 영역의 측면들 중 상기 제2 반도체 영역과 접하는 제1 측면, 그리고 상기 제4 반도체 영역의 제1 측면과 접하는 상기 제2 반도체 영역과 상기 제2 게이트 절연막 스택은 볼록한 형태로 이루어진 것을 특징으로 하는 시냅스 모방 소자
|
| 15 |
15
제10항에 있어서, 상기 시냅스 모방 소자는, 상기 제1 게이트 절연막 스택의 표면에 배치된 제1 전극; 및상기 제2 게이트 절연막 스택의 표면에 배치된 제2 전극;을 더 구비하고, 상기 제1 전극 및 제2 전극은 전기적으로 서로 분리되거나 전기적으로 서로 연결되도록 구성된 것을 특징으로 하는 시냅스 모방 소자
|
| 16 |
16
절연 물질로 이루어진 기판;제1 유형의 불순물이 도핑된 반도체 물질로 이루어져, 상기 기판의 상부에 수평 방향을 따라 일정 거리 이격되어 배치된 제1 및 제2 도핑 영역;제1 유형의 불순물이 도핑된 반도체 물질로 이루어져, 상기 기판의 상부에 수평 방향을 따라 일정 거리 이격되어 배치되되, 상기 제1 및 제2 도핑 영역들과 각각 수직 방향을 따라 일정 거리 이격되어 배치된 제3 및 제4 도핑 영역;제1 유형의 불순물이 도핑된 반도체 물질로 이루어져, 상기 기판의 상부에 수평 방향을 따라 일정 거리 이격되어 배치되되, 상기 제3 및 제4 도핑 영역들과 각각 수직 방향을 따라 일정 거리 이격되어 배치된 제5 및 제6 도핑 영역;절연 물질로 이루어져, 상기 제1, 제2, 제3, 제4, 제5 및 제6 도핑 영역들의 사이에 배치되어, 상기 제1, 제2, 제3, 제4, 제5 및 제6 도핑 영역들을 서로 전기적으로 분리시키는 절연막;상기 제1, 제3 및 제5 도핑 영역들의 측면, 및 제1 도핑 영역과 제3 도핑 영역의 사이와 제3 도핑 영역과 제5 도핑 영역의 사이에 위치한 절연막의 제1 측면에 배치된 제1 반도체 영역;상기 제2, 제4 및 제6 도핑 영역들의 측면, 및 제2 도핑 영역과 제4 도핑 영역의 사이와 제4 도핑 영역과 제6 도핑 영역의 사이에 위치한 절연막의 제2 측면에 배치된 제2 반도체 영역;제2 유형의 불순물이 도핑된 반도체 물질로 이루어져, 상기 제1 및 제3 도핑 영역들의 사이에 배치되되 상기 제1 및 제3 도핑 영역들과는 전기적으로 절연되며 제1 반도체 영역과는 전기적으로 접촉되는 제3 반도체 영역;제2 유형의 불순물이 도핑된 반도체 물질로 이루어져, 상기 제2 및 제4 도핑 영역들의 사이에 배치되되 상기 제2 및 제4 도핑 영역들과는 전기적으로 절연되며 제2 반도체 영역과는 전기적으로 접촉되는 제4 반도체 영역;제2 유형의 불순물이 도핑된 반도체 물질로 이루어져, 상기 제3 및 제5 도핑 영역들의 사이에 배치되되 상기 제3 및 제5 도핑 영역들과는 전기적으로 절연되며 제1 반도체 영역과는 전기적으로 접촉되는 제5 반도체 영역;제2 유형의 불순물이 도핑된 반도체 물질로 이루어져, 상기 제4 및 제6 도핑 영역들의 사이에 배치되되 상기 제4 및 제6 도핑 영역들과는 전기적으로 절연되며 제2 반도체 영역과는 전기적으로 접촉되는 제6 반도체 영역;상기 제1 반도체 영역의 측면에 배치된 제1 게이트 절연막 스택;상기 제2 반도체 영역의 측면에 배치된 제2 게이트 절연막 스택;을 구비하는 것을 특징으로 하는 시냅스 모방 소자
|
| 17 |
17
제16항에 있어서, 상기 제1 및 제2 게이트 절연막 스택은 전하를 저장할 수 있도록 구성된 전하 저장층; 및 적어도 하나 이상의 절연막;을 구비하는 것을 특징으로 하는 시냅스 모방 소자
|
| 18 |
18
제16항에 있어서, 상기 시냅스 모방 소자는, 상기 제1 게이트 절연막 스택의 표면에 배치된 제1 전극; 및상기 제2 게이트 절연막 스택의 표면에 배치된 제2 전극;을 더 구비하고, 상기 제1 전극 및 제2 전극은 전기적으로 서로 분리되거나 전기적으로 서로 연결되도록 구성된 것을 특징으로 하는 시냅스 모방 소자
|
