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외부 압력에 의해 양성자(Proton)을 생성하는 양성자부; 상기 양성자부에 적층되어, 상기 양성자부로부터 전달받은 양성자를 이송시키는 이송부; 상기 이송부에 적층되어, 외부 압력이 인가되면 분극을 외부 압력에 의해 양성자(Proton)을 생성하는 양성자부; 상기 양성자부에 적층되어, 상기 양성자부로부터 전달받은 양성자를 이송시키는 이송부; 상기 이송부에 적층되어, 외부 압력이 인가되면 분극을 발생시키는 압전부; 상기 압전부의 일측과 이송부 사이에 마련되는 제1전극부; 및상기 압전부의 타측에 마련되는 제2전극부; 를 포함하는 양성자 이송을 이용한 센서장치
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제1항에 있어서, 상기 양성자부는 양성자 발생 전극을 포함하고, 상기 이송부는 상기 양성자를 이송할 수 있는 고체 전해질을 포함하며, 상기 압전부는 피에조 전극 물질을 포함하는 양성자 이송을 이용한 센서장치
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제1항에 있어서, 상기 양성자부는 팔라듐(palladium, Pd)을 화학적으로 수소화 처리하여 전환시킨 수소화 팔라듐(PdHx)물질을 포함하는 양성자 이송을 이용한 센서장치
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제1항에 있어서, 상기 이송부는 내피온(Nafion, NF)과 술폰화 그래핀 옥사이드(Sulfonated Graphene Oxide, SGO)가 상호 혼합된 NF-SGO 전해질을 포함하는 양성자 이송을 이용한 센서장치
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제1항에 있어서,상기 압전부는 PDVF(Polyvinylidene fluoride)를 포함하는 피에조 물질을 포함하는 양성자 이송을 이용한 센서장치
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제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2전극부는 폴리피놀(Polypyrrol), 금(Au) 및 백금(Pt)을 포함하는 전극 물질을 포함하여 상기 압전부의 양면에 코팅되며, 각각 상기 양성자부와 전기적으로 연결되는 양성자 이송을 이용한 센서장치
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제1항에 있어서, 상기 이송부의 일면에 상기 양성자부 코팅되며, 상기 이송부의 타면에 상기 제1 및 제2전극부가 양면에 코팅된 상기 압전부가 적층되는 양성자 이송을 이용한 센서장치
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양성자(Proton)을 생성하는 양성자부; 상기 양성자부로부터 발생된 상기 양성자를 이송시키는 고체 전해질을 포함하는 이송부; 외부 압력이 인가되면, 분극을 발생시키는 압전부; 및상기 압전부의 양면에 각각 코팅되며, 각각 상기 양성자부와 전기적으로 연결 가능한 제1 및 제2전극부; 를 포함하는 양성자 이송을 이용한 센서장치
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제8항에 있어서, 상기 양성자부는 팔라듐(palladium, Pd)을 화학적으로 수소화 처리하여 전환시킨 수소화 팔라듐(PdHx)물질을 포함하는 양성자 이송을 이용한 센서장치
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제8항에 있어서, 상기 이송부는 내피온(Nafion, NF)과 술폰화 그래핀 옥사이드(Sulfonated Graphene Oxide, SGO)가 상호 혼합된 NF-SGO 전해질을 포함하며, 상기 양성자부가 일측에 코팅되는 양성자 이송을 이용한 센서장치
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제8항에 있어서,상기 압전부는 PDVF(Polyvinylidene fluoride)를 포함하는 피에조 물질을 포함하며, 상기 제1 및 제2전극부는 폴리피놀(Polypyrrol), 금(Au) 및 백금(Pt)을 포함하는 전극 물질을 포함하여 상기 압전부의 양면에 코팅되는 양성자 이송을 이용한 센서장치
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제8항에 있어서, 상기 이송부의 일면에 상기 양성자부 코팅되며, 타면에는 상기 제1 및 제2전극부가 양면에 코팅된 상기 압전부가 적층되는 양성자 이송을 이용한 센서장치
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