| 1 |
1
기판 상에 제 1 전이금속을 형성하는 단계;상기 제 1 전이금속 상에 제 2 전이금속을 형성하는 단계; 및상기 제 1 전이금속 및 상기 제 2 전이금속이 형성된 상기 기판 상에 칼코겐 소스를 포함하는 플라즈마 처리를 수행하는 단계를 포함하고,상기 제 1 전이금속 및 상기 제 2 전이금속은 상이한 것인,이종접합 소재의 제조 방법
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서
|
| 3 |
3
제 1 항에 있어서,상기 플라즈마 처리는 아르곤(Ar), 질소(N2), 헬륨(He), 네온(Ne), 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 불활성 가스의 존재 하에 수행되는 것인, 이종접합 소재의 제조 방법
|
| 4 |
4
제 3 항에 있어서,상기 불활성 가스에 의해 상기 칼코겐 소스의 반응성이 증대되는 것인, 이종접합 소재의 제조 방법
|
| 5 |
5
제 3 항에 있어서상기 플라즈마를 처리하는 단계는 상기 칼코겐 소스 및 상기 불활성 가스를 0
|
| 6 |
6
제 5 항에 있어서,상기 칼코겐 소스 및 상기 불활성 가스는 각각 독립적으로 5 sccm 내지 15 sccm 의 유량으로 공급하는 것인, 이종접합 소재의 제조 방법
|
| 7 |
7
제 1 항에 있어서,상기 플라즈마는 250℃ 내지 350℃ 의 온도 하에서 처리되는 것인, 이종접합 소재의 제조 방법
|
| 8 |
8
제 1 항에 있어서,상기 칼코겐 소스는 H2S, S, Se, Te, H2Se, H2Te, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 이종접합 소재의 제조 방법
|
| 9 |
9
제 1 항에 있어서
|
| 10 |
10
제 1 항에 있어서,상기 제 1 전이금속 및 상기 제 2 전이금속은 각각 독립적으로 전자빔 증착(Electron-beam Evaporation), RF/DC 스퍼터링, 이온빔 스퍼터링, 이온 플레이팅(ion plating), 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 방법에 의해 형성되는 것인, 이종접합 소재의 제조 방법
|
| 11 |
11
제 1 항에 있어서,상기 기판은 폴리이미드, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리노르보넨, 폴리아크릴레이트, 폴리비닐알콜, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리에테르설폰, 폴리스타일렌, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌, 폴리염화비닐, 폴리아미드, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리메타크릴레이트, 폴리디메틸실록산, 폴리페닐설파이드, 폴리에테르에테르케톤, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 물질을 포함하는 것인, 이종접합 소재의 제조 방법
|
| 12 |
12
삭제
|
| 13 |
13
삭제
|
| 14 |
14
삭제
|
| 15 |
15
삭제
|
| 16 |
16
삭제
|
