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도전성 기재; 및상기 도전성 기재 상에 형성된 인듐 옥사이드 박막 및 상기 박막 상에 형성된 인듐 옥사이드 나노 막대; 및상기 나노 막대 상에 전착된 비스무트 바나데이트를 포함하는, 비스무스 바나데이트/인듐 옥사이드 이종접합 나노막대를 포함하는 광전극
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제1항에 있어서상기 광전극은 태양광 물분해용인 것인, 비스무스 바나데이트/인듐 옥사이드 이종접합 나노막대를 포함하는 광전극
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도전성 기재 상부에 인듐 옥사이드 박막을 증착하는 단계(S1);상기 박막 상에 빗각 침적(glancing angle deposition) 방식으로 인듐 옥사이드 나노막대를 증착하여 하부 전극을 제조하는 단계(S2); 및S2 단계에서 제조한 하부 전극에 비스무트 바나데이트를 전착하여 상부 전극을 형성하는 단계(S3)를 포함하는, 비스무스 바나데이트/인듐 옥사이드 이종접합 나노막대를 포함하는 광전극의 제조방법
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제3항에 있어서,상기 S2 단계의 증착은 70° 내지 90°의 빗각으로, 인듐 옥사이드 박막이 증착된 도전성 기재를 50 내지 100 rpm으로 회전시키면서 수행되는 것인, 비스무스 바나데이트/인듐 옥사이드 이종접합 나노막대를 포함하는 광전극의 제조방법
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제3항에 있어서,상기 S2 단계의 증착 속도는 0
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제3항에 있어서,상기 S2 단계의 증착이 완료되면, 400 내지 600℃의 온도로 60분 내지 240분 동안 열처리하는 단계(S2')를 더 포함하는 것인, 비스무스 바나데이트/인듐 옥사이드 이종접합 나노막대를 포함하는 광전극의 제조방법
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제3항에 있어서,상기 S3 단계는, 전기전착 용액에 담지된 상대전극, 기준전극 및 상기 하부 전극을 준비하는 단계(S3-1); 및상기 하부 전극에 펄스 전류를 인가하여 하부 전극 표면에 비스무트 바나데이트를 전착시키는 단계(S3-2)를 포함하는 것인, 비스무스 바나데이트/인듐 옥사이드 이종접합 나노막대를 포함하는 광전극의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 전기전착 용액은 바나딜설페이트 및 비스무스(III) 니트레이트를 포함하는 것이고, pH가 4 내지 6이며, 온도가 60 내지 100℃인, 비스무스 바나데이트/인듐 옥사이드 이종접합 나노막대를 포함하는 광전극의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 상대 전극은 백금 전극이고, 상기 기준 전극은 Ag/AgCl 전극인 것인, 비스무스 바나데이트/인듐 옥사이드 이종접합 나노막대를 포함하는 광전극의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 펄스 전류는,온 시간과 오프 시간으로 구성된 일정 주기를 가지고 반복되도록 인가되는 것이고, 상기 온 시간은 10초, 상기 펄스 전류의 오프 시간은 30초인 것인, 비스무스 바나데이트/인듐 옥사이드 이종접합 나노막대를 포함하는 광전극의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 펄스 전류는 1 내지 60 사이클로 반복하여 인가되는 것인, 비스무스 바나데이트/인듐 옥사이드 이종접합 나노막대를 포함하는 광전극의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 펄스 전류는 3 사이클로 반복하여 인가되는 것인, 비스무스 바나데이트/인듐 옥사이드 이종접합 나노막대를 포함하는 광전극의 제조방법
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