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오염 입자를 포함하는 콜로이드를 담는 용기와;상기 용기에서 분사된 상기 오염 입자의 수분을 제거하는 건조기와;상기 건조기의 하류에 제공되어 상기 오염 입자가 일정한 전하를 갖도록 하는 중화기와;상기 중화기의 하류에 제공되어 상기 오염 입자 중 일정 크기 및 일정 전하를 갖는 오염 입자를 분류하여 통과시키는 DMA(Differential Mobility Analyzer)와;상기 DMA로부터 분류된 상기 오염 입자를 표준 웨이퍼에 도포시키는 입자 도포 챔버와;상기 DMA와 상기 입자 도포 챔버의 사이에 제공되어 상기 DMA에서 상기 입자 도포 챔버로 제공되는 오염 입자의 수를 계수하는 계수기를 더 포함하고,상기 입자 도포 챔버는,내부에 처리 공간을 형성하고,상기 처리 공간 내부에 제공되어 상기 웨이퍼를 지지하고 회전시키는 지지 부재를 포함하는 입자 도포 장치
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제1 항에 있어서,상기 입자 도포 챔버는,상기 웨이퍼의 중앙에 대응되는 위치에 제공되며, 상기 DMA를 통과한 상기 오염 입자를 상기 웨이퍼의 중앙 영역에 스프레이 방식으로 도포하는 제1 노즐과;상기 웨이퍼의 중앙에서 편향된 위치에 제공되며, 상기 DMA를 통과한 상기 오염 입자를 상기 웨이퍼의 가장자리 영역에 스프레이 방식으로 도포하는 제2 노즐을 포함하는 입자 도포 장치
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제2 항에 있어서,상기 계수기는 상기 제1 노즐과 상기 DMA를 연결하는 제1 배관 또는 상기 제2 노즐과 상기 DMA를 연결하는 제2 배관에 각각 제공되는 입자 도포 장치
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제2 항에 있어서,상기 제1 노즐으로 공급되는 상기 오염 입자의 출입을 통제하는 제1 밸브와;상기 제2 노즐으로 공급되는 상기 오염 입자의 출입을 통제하는 제2 밸브와;상기 제1 밸브의 개폐, 상기 제2 밸브의 개폐 및 상기 지지 부재의 회전을 제어하는 제어기를 더 포함하고,상기 제어기는,상기 제1 밸브 또는 상기 제2 밸브 중 어느 하나를 개방하여, 상기 웨이퍼의 상기 중앙 영역 또는 상기 가장자리 영역 중 어느 하나에 상기 오염 입자를 도포하도록 제어하고;상기 개방된 밸브를 폐쇄하고, 상기 제1 밸브 또는 상기 제2 밸브 중 다른 하나를 개방하여, 상기 웨이퍼의 상기 중앙 영역 또는 상기 가장자리 영역 중 다른 하나에 상기 오염 입자를 도포하도록 제어하고,상기 제2 밸브가 개방되는 경우 상기 지지 부재를 회전시키도록 제어하는 입자 도포 장치
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오염 입자를 포함하는 콜로이드로부터 에어로졸화된 오염 입자를 형성하는 단계와;상기 에어로졸화된 오염 입자의 수분을 제거하는 단계와;상기 수분이 제거된 오염 입자가 일정한 전하를 갖도록 하는 단계와;상기 일정한 전하를 갖도록 조절된 오염 입자를 일정 크기 및 일정 전하를 갖는 오염 입자로 분류하는 단계와;상기 분류된 오염 입자를 웨이퍼에 도포하는 단계를 포함하되,상기 도포는 상기 표준 웨이퍼가 회전하는 상태에서 이루어지는 표준 웨이퍼 제조 방법
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제5 항에 있어서,상기 도포는,상기 오염 입자를 상기 웨이퍼의 중앙 영역에 스프레이 방식으로 도포하는 제1 도포 단계와;상기 오염 입자를 상기 웨이퍼의 가장자리 영역에 스프레이 방식으로 도포하는 제2 도포 단계를 포함하고,상기 가장자리 영역은 상기 웨이퍼를 상면에서 바라볼 때 상기 중앙 영역을 제외한 영역인 표준 웨이퍼 제조 방법
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제6 항에 있어서,상기 제1 도포 단계는 상기 웨이퍼가 회전하지 않는 상태에서 이루어지고,상기 제2 도포 단계는 상기 웨이퍼가 회전하는 상태에서 이루어지는 표준 웨이퍼 제조 방법
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