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기판의 일면에 소정의 패턴 형상의 금속층을 배치하는 단계;상기 기판이 구비된 반응 챔버에 칼코겐 전구체를 개별적으로 공급하는 단계;상기 반응 챔버에 전이금속 전구체를 공급하는 단계; 및상기 반응 챔버에서 상기 칼코겐 전구체, 상기 전이금속 전구체 및 이로부터 생성된 부산물을 배출하는 단계;를 포함하며,상기 반응 챔버에 상기 전이금속 전구체가 0
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제 1 항에 있어서, 상기 반응 챔버에 상기 전이금속 전구체가 1μg이상 2μg 이하 공급되는 경우, 상기 이차원 전이금속 칼코게나이드 박막이 상기 금속층 상에만 형성되는,이차원 전이금속 칼코게나이드 박막의 성장방법
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제 1 항에 있어서, 상기 기판은 Si, SiO2, Al2O3, MgO, SiC, Si3N4, 유리, 석영, 사파이어, 흑연, 그래핀, polyimide copolymer, polyimide, polyethylene naphthalate (PEN), fluoropolymer (FEP), polyethylene terephthalate (PET) 및 전이금속 칼코게나이드 물질 중 어느 하나를 포함하는 이차원 전이금속 칼코게나이드 박막의 성장방법
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제 1 항에 있어서, 상기 금속층은 Al, Ni, Ti, Zr, Cr, Ta, Nb, W 중 하나 이상을 포함하는 이차원 전이금속 칼코게나이드 박막의 성장방법
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제1 항에 있어서,상기 칼코겐 전구체를 공급하는 단계, 상기 전이금속 전구체의 공급하는 단계 및 상기 칼코겐 전구체, 상기 전이금속 전구체 및 이로부터 생성된 부산물을 배출하는 단계는 주기적으로 반복 수행되는이차원 전이금속 칼코게나이드 박막의 성장방법
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제1 항에 있어서,상기 주기적인 반복 수행은 100회 이상 300회 이하 수행되는이차원 전이금속 칼코게나이드 박막의 성장방법
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제 6 항에 있어서, 상기 이차원 전이금속 칼코게나이드 박막의 두께는 1nm이상 3nm이하인, 이차원 전이금속 칼코게나이드 박막의 성장방법
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제 1 항에 있어서, 상기 이차원 전이금속 칼코게나이드 박막의 성장을 위한 반응 온도는 200℃ 내지 600℃의 범위를 갖는 이차원 전이금속 칼코게나이드 박막의 성장방법
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제 1 항에 있어서, 상기 칼코겐 전구체는 S, Se, Te, Po, Lv 의 칼코겐(chalcogen) 원소 중 하나의 전구체 물질을 포함하는, 이차원 전이금속 칼코게나이드 박막의 성장방법
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제 1 항에 있어서, 상기 전이금속 전구체는 Group 4B, 5B, 6B, 7B의 금속 원소 중 적어도 하나의 전구체 물질을 포함하는, 이차원 전이금속 칼코게나이드 박막의 성장방법
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제 1 항에 있어서, 상기 전이금속 전구체는 F, Cl, Br, I의 할로겐 원소 중 적어도 하나의 원소를 포함하는,이차원 전이금속 칼코게나이드 박막의 성장 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 이차원 전이금속 칼코게나이드 박막의 물질은 MX2로 표현되고, 상기 M은 Mo, W, Nb, V, Ta, Ti, Zr, Hf, Tc, Re 중 하나이고, 상기 X는 S, Se, Te, Po, Lv 중 하나인 이차원 전이금속 칼코게나이드 박막의 성장방법
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제 1 항에 있어서, 상기 이차원 전이금속 칼코게나이드 박막의 성장은 ALD(atomic layer deposition) 공정을 이용하여 수행하는 이차원 전이금속 칼코게나이드 박막의 성장방법
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제 1 항에 있어서, 상기 전이금속 전구체 및 상기 칼코겐 전구체는 도핑 원소의 전구체 물질을 더 포함하는,이차원 전이금속 칼코게나이드 박막의 성장방법
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제 1 항에 있어서, 상기 이차원 전이금속 칼코게나이드 박막은 6 인치(inch) 혹은 그 이상의 크기를 갖는 웨이퍼 상에 형성되는 이차원 전이금속 칼코게나이드 박막의 성장방법
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청구항 1 내지 15 중 어느 하나에 기재된 방법을 이용해서 기판 상에 이차원 전이금속 칼코게나이드 박막을 성장시키는 단계; 및 상기 이차원 전이금속 칼코게나이드 박막을 포함하는 소자부를 형성하는 단계;를 포함하는 이차원 전이금속 칼코게나이드 박막 함유 소자의 제조방법
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제 16 항에 있어서, 상기 이차원 전이금속 칼코게나이드 박막 함유 소자는 트랜지스터, 다이오드, 광전자소자, 터널링소자, 논리소자 및 메모리소자 중 적어도 하나를 포함하는 이차원 전이금속 칼코게나이드 박막 함유 소자의 제조방법
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