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결정질 박막 형성 방법

  • 기술번호 : KST2022003888
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 결정질 박막 형성 방법으로, 보다 상세하게는 비정질 박막을 급속 열처리하여 결정질 박막을 형성하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 결정질 박막 형성 방법의 일 실시예는 금속 박막과 비정질 박막이 적층되어 있는 적층 구조물을 준비하는 단계; 및 상기 적층 구조물을 급속 열처리(Rapid Thermal Process, RTP)하여 상기 비정질 박막을 결정질 박막으로 결정화시키는 단계;를 포함하며, 상기 비정질 박막은 비정질 탄소(C) 박막, 비정질 실리콘(Si) 박막 또는 비정질 질화붕소(BN) 박막이고, 상기 결정화시키는 단계는, 상기 결정질 박막의 라만 분광법(Raman Spectroscopy)의 sp2 결합에 해당하는 피크의 강도(intensity)(G 피크의 강도, IG)에 대한 라만 분광법의 sp3 결합에 해당하는 피크의 강도(D 피크의 강도, ID)의 비(ID/IG)가 0.2 이하가 되도록 하는 조건에서 급속 열처리를 수행한다.
Int. CL C23C 14/58 (2006.01.01) C23C 14/06 (2006.01.01) C23C 14/14 (2006.01.01) C23C 16/56 (2006.01.01) C23C 16/26 (2006.01.01) C23C 16/24 (2006.01.01) C23C 16/34 (2006.01.01)
CPC C23C 14/5806(2013.01) C23C 14/0605(2013.01) C23C 14/14(2013.01) C23C 14/0647(2013.01) C23C 16/56(2013.01) C23C 16/26(2013.01) C23C 16/24(2013.01) C23C 16/342(2013.01)
출원번호/일자 1020200128657 (2020.10.06)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0045712 (2022.04.13) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.10.06)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김기범 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유종우 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 ** (역삼동) K & Y 빌딩 *층(지아이피특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2020.10.06 수리 (Accepted) 1-1-2020-1053672-99
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
3 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
 2021.07.29 수리 (Accepted) 4-1-2021-5205564-29
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2021.09.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2021.12.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2021-0238842-18
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2022.03.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2022-0192155-69
7 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
 2022.04.04 수리 (Accepted) 4-1-2022-5079741-71
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번호 청구항
1 1
금속 박막과 비정질 박막이 적층되어 있는 적층 구조물을 준비하는 단계; 및상기 적층 구조물을 급속 열처리(Rapid Thermal Process, RTP)하여 상기 비정질 박막을 결정질 박막으로 결정화시키는 단계;를 포함하며,상기 비정질 박막은 비정질 탄소(C) 박막, 비정질 실리콘(Si) 박막 또는 비정질 질화붕소(BN) 박막이고,상기 결정화시키는 단계는,상기 결정질 박막의 라만 분광법(Raman Spectroscopy)의 sp2 결합에 해당하는 피크의 강도(intensity)(G 피크의 강도, IG)에 대한 라만 분광법의 sp3 결합에 해당하는 피크의 강도(D 피크의 강도, ID)의 비(ID/IG)가 0
2 2
제1항에 있어서,상기 결정화시키는 단계는,상기 금속 박막과 상기 비정질 박막의 계면에서 상기 비정질 박막의 결정화가 진행되도록 하는 조건에서 급속 열처리를 수행하는 것을 특징으로 하는 결정질 박막 형성 방법
3 3
제1항에 있어서,상기 결정화시키는 단계는,800 ℃ 이상의 열처리 온도에서 5 ~ 60초 동안 급속 열처리를 수행하는 것을 특징으로 하는 결정질 박막 형성 방법
4 4
제3항에 있어서,상기 열처리 온도는 초당 100 ℃ 이상으로 승온시켜 도달하는 것을 특징으로 하는 결정질 박막 형성 방법
5 5
제1항에 있어서,상기 비정질 박막은 비정질 탄소 박막이고,상기 결정질 박막은 다층 그래핀(multilayer graphene) 박막인 것을 특징으로 하는 결정질 박막 형성 방법
6 6
제1항에 있어서,상기 금속 박막은,코발트(Co), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 망간(Mn), 철(Fe), 루쎄늄(Ru), 이리듐(Ir), 플래티넘(Pt) 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 결정질 박막 형성 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.