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COP 구조가 적용된 3차원 플래시 메모리에서, 기판 상 수평 방향으로 연장 형성되며 순차적으로 적층되는 복수의 워드 라인들; 상기 복수의 워드 라인들의 하단에 위치하는 GSL(Ground Selection Line); 및 상기 복수의 워드 라인들 및 상기 GSL을 관통하여 상기 기판 상 수직 방향으로 연장 형성되는 적어도 하나의 스트링-상기 적어도 하나의 스트링은 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 채널층 및 상기 채널층을 감싸도록 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 전하 저장층을 포함함-을 포함하고, 상기 채널층 중 상기 GSL에 대응하는 일부 영역은, 상기 기판의 상부 표면의 결정화된 실리콘을 이용하여 실리콘으로 형성되는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
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제1항에 있어서,상기 채널층 중 상기 GSL에 대응하는 일부 영역은, 상기 기판의 상부 표면의 결정화된 실리콘을 기초로 하는 에피택셜(Epitaxial) 성장을 통해 상기 실리콘으로 형성되는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
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제1항에 있어서,상기 기판의 상부 표면은, 상기 기판을 형성하는 폴리 실리콘에 레이저 어닐링(Laser annealing) 기법이 적용됨에 따라 상기 실리콘으로 결정화되는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
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제1항에 있어서,상기 채널층 중 상기 복수의 워드 라인들에 대응하는 나머지 영역은, 폴리 실리콘으로 형성되는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
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제1항에 있어서,상기 기판 중 상부 표면을 제외한 나머지 영역은, 폴리 실리콘으로 형성되는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
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제1항에 있어서,상기 전하 저장층은, 상기 복수의 워드 라인들에 대응하는 위치에 연장 형성되는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
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COP 구조가 적용된 3차원 플래시 메모리의 제조 방법에 있어서, 기판 상 수평 방향으로 연장 형성되며 순차적으로 적층되는 복수의 워드 라인들, 상기 복수의 워드 라인들의 하단에 위치하는 GSL(Ground Selection Line) 및 상기 복수의 워드 라인들과 상기 GSL을 관통하여 상기 기판 상 수직 방향으로 연장 형성되는 적어도 하나의 홀(Hole)을 포함하는 반도체 구조체를 준비하는 단계; 상기 반도체 구조체에서 상기 적어도 하나의 홀 내부에 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 내부 공간을 포함하는 전하 저장층을 연장 형성하는 단계; 및 상기 전하 저장층의 내부 공간을 통해, 상기 기판의 상부 표면의 결정화된 실리콘을 이용하여 상기 GSL에 대응하는 위치에 채널층 중 일부 영역을 실리콘으로 형성하는 단계를 포함하는 3차원 플래시 메모리의 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 채널층 중 일부 영역을 실리콘으로 형성하는 단계는, 상기 기판의 상부 표면의 결정화된 실리콘을 기초로 하는 에피택셜(Epitaxial) 성장을 통해 상기 채널층 중 일부 영역을 상기 실리콘으로 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 기판을 형성하는 폴리 실리콘에 레이저 어닐링(Laser annealing) 기법을 적용하여 상기 기판의 상부 표면을 상기 실리콘으로 결정화하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 채널층 중 상기 복수의 워드 라인들에 대응하는 나머지 영역을 폴리 실리콘으로 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 기판 중 상부 표면을 제외한 나머지 영역은, 폴리 실리콘으로 형성되는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 제조 방법
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