| 1 |
1
테이퍼드 채널 효과(Tapered channel effect)를 완화하기 위한 3차원 플래시 메모리에 있어서, 기판 상 수평 방향으로 연장 형성된 채 수직 방향으로 순차적으로 적층되는 복수의 워드 라인들; 상기 복수의 워드 라인들을 관통하며 상기 복수의 워드 라인들에 대해 수직 방향으로 연장 형성되는 적어도 하나의 채널층; 및 상기 적어도 하나의 채널층을 감싸도록 상기 복수의 워드 라인들에 대해 수직 방향으로 연장 형성되는 적어도 하나의 ONO(Oxide-Nitride-Oxide)층을 포함하고, 상기 적어도 하나의 ONO층에 포함되는 블로킹 산화물층(Blocking oxide layer)은, 서로 상이한 외면의 테이퍼 각도(Taper angle)와 내면의 테이퍼 각도를 갖는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 블로킹 산화물층의 외면의 테이퍼 각도는, 상기 블로킹 산화물층이 하단으로부터 상단으로 갈수록 얇은 두께를 갖도록 상기 블로킹 산화물층의 내면의 테이퍼 각도보다 작은 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
|
| 3 |
3
제2항에 있어서,상기 블로킹 산화물층의 외면의 테이퍼 각도는, 상기 블로킹 산화물층의 최하단의 두께를 기준 값 1로 할 때 상기 블로킹 산화물층의 최상단의 두께가 0
|
| 4 |
4
제2항에 있어서,상기 블로킹 산화물층의 외면의 테이퍼 각도는, 상기 블로킹 산화물층의 최하단의 두께를 기준 값 1로 할 때 상기 블로킹 산화물층의 최상단의 두께가 0
|
| 5 |
5
제2항에 있어서,상기 블로킹 산화물층의 외면의 테이퍼 각도는, 상기 블로킹 산화물층의 최하단의 두께를 기준 값 1로 할 때 상기 블로킹 산화물층의 최상단의 두께가 0
|
| 6 |
6
제2항에 있어서,상기 블로킹 산화물층의 외면의 테이퍼 각도는, 상기 블로킹 산화물층의 최하단의 두께를 기준 값 1로 할 때 상기 블로킹 산화물층의 최상단의 두께가 0
|
| 7 |
7
제2항에 있어서,상기 블로킹 산화물층의 외면의 테이퍼 각도는, 상기 적어도 하나의 ONO층이 구성하는 복수의 메모리 셀들 각각에서의 문턱 전압의 윈도우가 균일하도록 상기 블로킹 산화물층의 내면의 테이퍼 각도보다 작은 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
|
| 8 |
8
제1항에 있어서,상기 적어도 하나의 ONO층에 포함되는 터널링 산화물층(Tunneling oxide layer) 및 질화물층(Nitride layer) 각각은, 서로 동일한 외면의 테이퍼 각도와 내면의 테이퍼 각도를 갖는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
|
| 9 |
9
테이퍼드 채널 효과(Tapered channel effect)를 완화하기 위한 3차원 플래시 메모리의 제조 방법에 있어서, 기판 상 수평 방향으로 연장 형성된 채 수직 방향으로 순차적으로 적층되는 복수의 워드 라인들 및 상기 복수의 워드 라인들 사이에 교번하며 개재되는 절연층들을 포함하는 반도체 구조체를 준비하는 단계; 및 상기 복수의 워드 라인들을 관통하는 적어도 하나의 채널층 및 상기 적어도 하나의 채널층을 감싸는 적어도 하나의 ONO(Oxide-Nitride-Oxide)층을 상기 복수의 워드 라인들에 대해 수직 방향으로 연장 형성하는 단계를 포함하고, 상기 적어도 하나의 ONO층을 상기 복수의 워드 라인들에 대해 수직 방향으로 연장 형성하는 단계는, 상기 적어도 하나의 ONO층에 포함되는 블로킹 산화물층(Blocking oxide layer)이 서로 상이한 외면의 테이퍼 각도(Taper angle)와 내면의 테이퍼 각도를 갖도록 상기 블로킹 산화물층을 연장 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 제조 방법
|
| 10 |
10
제9항에 있어서,상기 블로킹 산화물층을 연장 형성하는 단계는, 상기 블로킹 산화물층이 하단으로부터 상단으로 갈수록 얇은 두께를 갖도록 상기 블로킹 산화물층의 외면의 테이퍼 각도보다 큰 상기 블로킹 산화물층의 내면의 테이퍼 각도로 상기 블로킹 산화물층을 연장 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 제조 방법
|
| 11 |
11
제9항에 있어서,상기 적어도 하나의 ONO층을 상기 복수의 워드 라인들에 대해 수직 방향으로 연장 형성하는 단계는, 상기 적어도 하나의 ONO층에 포함되는 터널링 산화물층(Tunneling oxide layer) 및 질화물층(Nitride layer) 각각이 서로 동일한 외면의 테이퍼 각도와 내면의 테이퍼 각도를 갖도록 상기 터널링 산화물층 및 상기 질화물층을 연장 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
|
