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금속을 포함하는 전극층을 준비하는 준비단계;상기 전극층을 진공상태의 챔버에 투입시키는 투입단계; 및상기 전극층 상에 열화방지 물질 및 무기 물질 중 어느 하나를 증착시켜 표면층을 형성하는 단계; 를 포함하고,상기 전극층 준비 단계 및 표면층 형성 단계 중 적어도 어느 하나의 단계 이후에 환원성 전구체 물질을 이용하여 표면을 처리하는 표면 처리 단계가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 리튬 전극 제조방법
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제1항에 있어서,전극층 준비 단계에서, 상기 금속은 리튬 금속, 리튬 합금, 리튬 전이금속 산화물, 전이금속 산화물 및 비전이금속 산화물 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것인 리튬 전극 제조방법
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제1항에 있어서,전극층 준비 단계에서, 상기 전극층은 전기 전도성을 갖는 집전체, 및 상기 집전체 상에 형성된 금속을 포함하는 것인 리튬 전극 제조방법
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제1항에 있어서,상기 열화방지 물질은 알루미나(Al2O3)를 포함하는 것인 리튬 전극 제조방법
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제1항에 있어서,상기 무기 물질은 금속산화물, 금속질화물, 금속질산화물, 금속탄화물 각각의 리튬화된 화합물 중에서 선택된 하나 이상의 화합물, 또는 세라믹 전도체를 포함하는 것인 리튬 전극 제조방법
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제1항에 있어서,상기 표면층 형성 단계 및 표면 처리 단계는 진공상태의 챔버 내에서 진행되는 것인 리튬 전극 제조방법
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제1항에 있어서,상기 투입 단계, 표면층 형성 단계 및 표면 처리 단계는 20℃ 내지 300℃ 의 온도에서 진행되는 것인 리튬 전극 제조방법
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제1항에 있어서,표면층 형성 단계에서, 상기 열화방지 물질 및 무기 물질 중 어느 하나를 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition)을 이용하여 전극층 상에 증착시키는 것인 리튬 전극 제조방법
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제1항에 있어서,상기 무기 물질을 포함하는 표면층은 두께가 1㎚ 내지 100㎚ 가 되도록 증착되고,상기 열화방지 물질을 포함하는 표면층은 두께가 1㎚ 내지 50㎚ 가 되도록 증착되는 것인 리튬 전극 제조방법
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제1항에 있어서,상기 환원성 전구체 물질은 트리메틸알루미늄(Tri-Methyl Aluminum, TMA), 테트라키스(에틸메틸아미노) 하프늄(Tetrakis(ethylmethylamino) Hafnium), 디사이클로펜타디에닐 마그네슘(dicyclopentadienyl magnesium, MgCp2) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 하나를 포함하는 것인 리튬 전극 제조방법
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제1항에 있어서,표면 처리 단계에서, 상기 환원성 전구체 물질을 전극층 또는 표면층 상에 배출하여 상기 전극층 또는 표면층의 표면에 생성된 불순물 막을 식각하여 제거하는 것인 리튬 전극 제조방법
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제11항에 있어서,상기 불순막은 전극층에 포함된 금속이 수분 및 이산화탄소와 반응하여 생성되고,상기 불순막은 리튬 수산화물, 리튬 카보네이트, 리튬 산화물 및 리튬 질화물 중 하나를 포함하는 것인 리튬 전극 제조방법
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제1항에 있어서,표면층 형성 단계에서, 상기 표면층은 무기 물질을 포함하는 것인 리튬 전극 제조방법
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제13항에 있어서,표면층 형성 단계 이후 상기 표면층 상에 열화방지 물질을 증착시켜 보조 표면층을 형성하는 단계가 더 포함되는 것인 리튬 전극 제조방법
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제14항에 있어서,상기 무기 물질을 포함하는 표면층의 두께는 1㎚ 내지 100㎚ 이고,상기 열화방지 물질을 포함하는 보조 표면층의 두께는 1㎚ 내지 50㎚ 인 것인 리튬 전극 제조방법
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