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기판의 상부에 순차적으로 적층되는 복수의 스트링 스택들-상기 복수의 스트링 스택들 각각은 상기 기판에 대해 수평 방향으로 연장 형성되며 순차적으로 적층되는 복수의 워드 라인들 및 상기 복수의 워드 라인들을 관통하여 상기 기판에 대해 수직 방향으로 연장 형성되는 적어도 하나의 스트링들을 포함함-을 포함하고, 상기 복수의 스트링 스택들 중 적어도 하나의 스트링 스택에 포함되는 적어도 하나의 스트링은, U자 형상의 채널층을 갖는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
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제1항에 있어서, 상기 적어도 하나의 스트링 스택은, 상기 복수의 스트링 스택들 중 상기 기판의 상부에 적층되는 최하단 스트링 스택을 제외한 나머지 스트링 스택인 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
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제2항에 있어서, 상기 적어도 하나의 스트링 스택에 포함되는 적어도 하나의 스트링의 채널층은, 튜브 형상의 측면부 및 상기 측면부의 밑면에 위치하는 밑면부로 상기 U자 형상을 구성하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
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제3항에 있어서, 상기 적어도 하나의 스트링 스택에 포함되는 적어도 하나의 스트링은, 상기 적어도 하나의 스트링 스택에 포함되는 적어도 하나의 스트링의 채널층이 갖는 밑면부가 상기 적어도 하나의 스트링 스택의 하부에 위치하는 다른 스트링 스택-상기 다른 스트링 스택은 상기 복수의 스트링 스택들 중 상기 최하단 스트링 스택을 제외한 스트링 스택임-에 포함되는 적어도 하나의 스트링의 채널층이 갖는 측면부와 접촉됨으로써, 상기 다른 스트링 스택에 포함되는 적어도 하나의 스트링과 연결되는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
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제3항에 있어서, 상기 최하단 스트링 스택에 포함되는 적어도 하나의 스트링은, 튜브 형상의 측면부로 구성되는 채널층을 갖는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
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제5항에 있어서, 상기 최하단 스트링 스택에 포함되는 적어도 하나의 스트링은, 상기 최하단 스트링 스택에 포함되는 적어도 하나의 스트링의 채널층이 갖는 측면부가 상기 적어도 하나의 스트링 스택에 포함되는 적어도 하나의 스트링의 채널층이 갖는 밑면부와 접촉됨으로써, 상기 적어도 하나의 스트링 스택에 포함되는 적어도 하나의 스트링과 연결되는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
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복수의 스트링 스택들-상기 복수의 스트링 스택들 각각은 기판에 대해 수평 방향으로 연장 형성되며 순차적으로 적층되는 복수의 워드 라인들 및 상기 복수의 워드 라인들을 관통하여 상기 기판에 대해 수직 방향으로 연장 형성되는 적어도 하나의 스트링들을 포함함-을 준비하는 단계; 및 상기 복수의 스트링 스택들을 상기 기판의 상부에 순차적으로 적층하는 단계를 포함하고, 상기 준비하는 단계는, 상기 복수의 스트링 스택들 중 적어도 하나의 스트링 스택에 포함되는 적어도 하나의 스트링이 U자 형상의 채널층을 갖도록 상기 적어도 하나의 스트링 스택을 준비하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 제조 방법
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제7항에 있어서, 상기 적어도 하나의 스트링 스택은, 상기 복수의 스트링 스택들 중 상기 기판의 상부에 적층될 최하단 스트링 스택을 제외한 나머지 스트링 스택인 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 제조 방법
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제8항에 있어서, 상기 적어도 하나의 스트링 스택을 준비하는 단계는, 상기 적어도 하나의 스트링 스택에 포함되는 상기 복수의 워드 라인들 상에 수직 방향으로 적어도 하나의 홀(Hole)을 연장 형성하는 단계; 상기 적어도 하나의 홀의 내부 측면에 전하 저장층을 증착하는 단계; 및 상기 전하 저장층이 내부 측면에 증착된 적어도 하나의 홀에 튜브 형상의 측면부와 상기 측면부의 밑면에 위치하는 밑면부로 상기 U자 형상을 구성하는 채널층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 제조 방법
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제9항에 있어서, 상기 적층하는 단계는, 상기 적어도 하나의 스트링 스택에 포함되는 적어도 하나의 스트링의 채널층이 갖는 측면부를 상기 적어도 하나의 스트링 스택의 상부에 위치하는 다른 스트링 스택-상기 다른 스트링 스택은 상기 복수의 스트링 스택들 중 상기 최하단 스트링 스택을 제외한 스트링 스택임-에 포함되는 적어도 하나의 스트링의 채널층이 갖는 밑면부와 접촉시킴으로써, 상기 적어도 하나의 스트링 스택에 포함되는 적어도 하나의 스트링을 상기 다른 스트링 스택에 포함되는 적어도 하나의 스트링과 연결시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 제조 방법
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제9항에 있어서, 상기 적어도 하나의 스트링 스택을 준비하는 단계는, 상기 기판의 상부에 적층될 최하단 스트링 스택을 준비하는 단계를 더 포함하고, 상기 최하단 스트링 스택을 준비하는 단계는, 상기 최하단 스트링 스택에 포함되는 상기 복수의 워드 라인들 상에 수직 방향으로 적어도 하나의 홀을 연장 형성하는 단계; 상기 적어도 하나의 홀의 내부 측면에 전하 저장층을 증착하는 단계; 및 상기 전하 저장층이 내부 측면에 증착된 적어도 하나의 홀에 튜브 형상의 측면부로 구성되는 채널층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 제조 방법
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제11항에 있어서, 상기 적층하는 단계는, 상기 최하단 스트링 스택에 포함되는 적어도 하나의 스트링의 채널층이 갖는 측면부를 상기 적어도 하나의 스트링 스택에 포함되는 적어도 하나의 스트링의 채널층이 갖는 밑면부와 접촉시킴으로써, 상기 최하단 스트링 스택에 포함되는 적어도 하나의 스트링을 상기 적어도 하나의 스트링 스택에 포함되는 적어도 하나의 스트링과 연결시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 제조 방법
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