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하기 화학식 2로 표시되는 화합물:[화학식 2]상기 화학식 2에서,A는 이소보르닐 메타크릴레이트(isobornyl methacrylate), 메틸 메타크릴레이트(methyl methacrylate), 노르보르닐 메타크릴레이트(norbornyl methacrylate), 테르트-부틸 메타크릴레이트(tert-butyl methacrylate) 및 아다만틸 메타크릴레이트(adamantyl methacrylate)로 이루어진 군에서 선택되며,R1 및 R2는 서로 동일하거나 상이하고, 수소, (C10~C15)알킬 트리티오카보네이트((C10~C15)alkyl trithiocarbonate), (C2~C5)알킬 다이티오카보네이트 ((C2~C5)alkyl dithiocarbonate), (C2~C5)알킬 다이티오카바메이트((C2~C5)alkyl dithiocarbamate), 시아노 (C2~C4)알킬 에스터(cyano-(C2~C4)alkyl ester), (C2~C5)알킬 다이티오에스터((C2~C5)alkyl dithioester), α-브로모이소부티릴(α-bromoisobutyryl) 및 (C2~C5)다이알킬 니트록실((C2~C5)dialkyl nitroxyl)로 이루어진 군에서 선택되며,n은 3 내지 9의 정수이고, a, b 및 c는 각 단량체의 평균 몰(mole) 비를 나타낸 것으로서, a: b: c는 1: (0
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제 2항에 있어서,화학식 2로 표시되는 화합물은 하기 화학식 2-1로 표시되는 것을 특징으로 하는 화합물:[화학식 2-1]상기 화학식 2-1에서,A는 이소보르닐 메타크릴레이트(isobornyl methacrylate), 메틸 메타크릴레이트(methyl methacrylate), 노르보르닐 메타크릴레이트(norbornyl methacrylate), 테르트-부틸 메타크릴레이트(tert-butyl methacrylate) 및 아다만틸 메타크릴레이트(adamantyl methacrylate)로 이루어진 군에서 선택되며,n은 3 내지 9의 정수이고, a, b 및 c는 각 단량체의 평균 몰(mole) 비를 나타낸 것으로서, a: b: c는 1: (0
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제 2항에 있어서,화학식 2로 표시되는 화합물은 하기 화학식 2-2로 표시되는 것을 특징으로 하는 화합물:[화학식 2-2]상기 화학식 2-2에서,A는 이소보르닐 메타크릴레이트(isobornyl methacrylate), 메틸 메타크릴레이트(methyl methacrylate), 노르보르닐 메타크릴레이트(norbornyl methacrylate), 테르트-부틸 메타크릴레이트(tert-butyl methacrylate) 및 아다만틸 메타크릴레이트(adamantyl methacrylate)로 이루어진 군에서 선택되며,n은 3 내지 9의 정수이고, a, b 및 c는 각 단량체의 평균 몰(mole) 비를 나타낸 것으로서, a: b: c는 1: (0
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제 2항에 있어서,화학식 2로 표시되는 화합물은 하기 화학식 a로 표시되는 단량체, 하기 화학식 b로 표시되는 단량체 및 이소보르닐 메타크릴레이트(isobornyl methacrylate), 메틸 메타크릴레이트(methyl methacrylate), 노르보르닐 메타크릴레이트(norbornyl methacrylate), 테르트-부틸 메타크릴레이트(tert-butyl methacrylate) 및 아다만틸 메타크릴레이트(adamantyl methacrylate)로 이루어진 군에서 선택되는 단량체가 1: (0
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제 4항에 있어서,화학식 2-2로 표시되는 화합물은 분자량분포(Mｗ/Mn)가 1
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청구항 제 2항에 따른 화합물을 포함하는 고불소화 고분자 포토레지스트
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청구항 제 2항에 따른 화합물을 포함하는 고불소화 고분자 포지티브형 포토레지스트
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청구항 제 8항 또는 제 10항 중 어느 한 항에 따른 포토레지스트를 고불소계 용제와 혼합한 후 기판에 도포하는 제 1공정;상기 기판을 열처리하여 포토레지스트 막을 형성하는 제 2공정;상기 포토레지스트 막에 마스크를 올리고, 노광하는 제 3공정; 및상기 포토레지스트 막을 현상액으로 현상하여 기판 상에 패턴을 형성하는 제 4공정;을 포함하는, 네거티브형 또는 포지티브형 패턴 형성 방법
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제 11항에 있어서,제 2 공정의 열처리는 60 내지 90℃에서 30초 내지 2분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는, 네거티브형 또는 포지티브형 패턴 형성 방법
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투명 전극 상에 정공주입층 및 정공수송층을 진공 증착하는 제 1공정;상기 정공주입층 및 정공수송층이 증착된 투명 전극 상에 청구항 제 8항 또는 제 10항 중 어느 한 항에 따른 포토레지스트를 고불소계 용제와 혼합한 후 기판에 도포하는 제 2공정;상기 포토레지스트 용액이 도포된 전극을 노광한 후, 현상액으로 현상하여 네거티브형 또는 포지티브형 패턴을 투명 전극 상에 형성하는 제 3공정; 및상기 형성된 패턴 상에 발광층을 증착한 후, 전자수송층, 전자주입층, 및 금속 전극을 추가적으로 진공 증착하는 제 4공정;을 포함하는, 유기전자소자 제조방법
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제 13항에 있어서,유기전자소자 제조방법은 제 2공정 내지 제 4공정을 2 내지 4회 반복 수행하는 것을 특징으로 하는, 유기전자소자 제조방법
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제 13항에 따른 제조방법으로 제조된 것인, 유기전자소자
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제 15항에 있어서,유기전자 소자는 유기발광다이오드, 유기박막트랜지스터, 유기발광트랜지스터, 및 유기태양전지로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는, 유기전자소자
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