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메모리 셀 영역을 넓힌 구조의 3차원 플래시 메모리

  • 기술번호 : KST2022016112
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 메모리 셀 영역을 넓힌 구조의 3차원 플래시 메모리 및 그 제조 방법이 개시된다. 일 실시예에 따르면, 메모리 셀 영역을 넓힌 구조의 3차원 플래시 메모리는, 기판 상 수평 방향으로 연장 형성된 채 수직 방향으로 적층된 복수의 워드 라인들; 및 상기 복수의 워드 라인들을 관통하며 상기 기판 상 수직 방향으로 연장 형성되는 적어도 하나의 메모리 셀 스트링-상기 적어도 하나의 메모리 셀 스트링은 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 채널층 및 상기 채널층을 감싸도록 연장 형성되는 전하 저장층을 포함한 채 상기 복수의 워드 라인들에 대응하는 복수의 메모리 셀들을 구성함-을 포함하고, 상기 적어도 하나의 메모리 셀 스트링은, 상기 복수의 메모리 셀들에 해당되는 영역들이 상기 수평 방향으로 돌출된 구조를 갖는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 27/11582 (2017.01.01) H01L 27/1157 (2017.01.01)
CPC H01L 27/11582(2013.01) H01L 27/1157(2013.01)
출원번호/일자 1020210014855 (2021.02.02)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0111510 (2022.08.09) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2021.02.02)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송윤흡 서울특별시 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 양성보 대한민국 서울특별시 강남구 선릉로***길 ** (논현동) 삼성빌딩 *층(피앤티특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2021.02.02 수리 (Accepted) 1-1-2021-0135727-13
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2022.08.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
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번호 청구항
1 1
메모리 셀 영역을 넓힌 구조의 3차원 플래시 메모리에 있어서, 기판 상 수평 방향으로 연장 형성된 채 수직 방향으로 적층된 복수의 워드 라인들; 및 상기 복수의 워드 라인들을 관통하며 상기 기판 상 수직 방향으로 연장 형성되는 적어도 하나의 메모리 셀 스트링-상기 적어도 하나의 메모리 셀 스트링은 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 채널층 및 상기 채널층을 감싸도록 연장 형성되는 전하 저장층을 포함한 채 상기 복수의 워드 라인들에 대응하는 복수의 메모리 셀들을 구성함-을 포함하고, 상기 적어도 하나의 메모리 셀 스트링은, 상기 복수의 메모리 셀들에 해당되는 영역들이 상기 수평 방향으로 돌출된 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
2 2
제1항에 있어서,상기 적어도 하나의 메모리 셀 스트링은, 상기 채널층 중 상기 복수의 메모리 셀들에 해당되는 영역들 및 상기 전하 저장층 중 상기 복수의 메모리 셀들에 해당되는 영역들이 돌출된 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
3 3
제2항에 있어서,상기 적어도 하나의 메모리 셀 스트링은, 상기 채널층 중 상기 복수의 메모리 셀들에 해당되는 영역들을 제외한 나머지 영역들 및 상기 전하 저장층 중 상기 복수의 메모리 셀들에 해당되는 영역들을 제외한 나머지 영역들이 만입된 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
4 4
제3항에 있어서,상기 전하 저장층 중 상기 복수의 메모리 셀들에 해당되는 영역들은, 상기 전하 저장층 중 상기 나머지 영역들에 의해 서로 이어져 있는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
5 5
제3항에 있어서,상기 채널층 중 상기 복수의 메모리 셀들에 해당되는 영역들은, 상기 채널층 중 상기 복수의 워드 라인들에 대응하는 영역들이고, 상기 전하 저장층 중 상기 복수의 메모리 셀들에 해당되는 영역들은, 상기 전하 저장층 중 상기 복수의 워드 라인들에 대응하는 영역들인 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
6 6
제5항에 있어서,상기 채널층 중 상기 나머지 영역들은, 상기 채널층 중 상기 복수의 워드 라인들 사이에 개재되는 복수의 층간 절연층들에 대응하는 영역들이고, 상기 전하 저장층 중 상기 나머지 영역들은, 상기 전하 저장층 중 상기 복수의 층간 절연층들에 대응하는 영역들인 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
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제6항에 있어서,상기 적어도 하나의 메모리 셀 스트링 중 상기 복수의 워드 라인들에 대응하는 영역들의 단면 크기는, 상기 적어도 하나의 메모리 셀 스트링 중 상기 복수의 층간 절연층들에 대응하는 영역들의 단면 크기보다 큰 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
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