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기판 상 수평 방향으로 연장 형성되며 순차적으로 적층되는 복수의 워드 라인들; 및 상기 복수의 워드 라인들을 관통하여 상기 기판 상 수직 방향으로 연장 형성되는 적어도 하나의 셀 스트링-상기 적어도 하나의 셀 스트링은 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 채널층 및 상기 채널층을 감싸도록 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 전하 저장층을 포함함-을 포함하고, 상기 채널층은, 상기 전하 저장층과 맞닿도록 형성된 채, 상기 전하 저장층과의 접촉 계면인 반전 영역에서 전자 이동도(Electron mobility)를 향상시키는 제1 채널층 및 상기 제1 채널층의 내벽에 형성되는 제2 채널층을 포함하는 이중 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
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제1항에 있어서,상기 제1 채널층은, 상기 전하 저장층과의 접촉 계면인 반전 영역에서 전자 이동도를 향상시키기 위하여, 상기 제2 채널층보다 전자 이동도가 높거나 임계값보다 전자 이동도가 높은 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
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제2항에 있어서,상기 제1 채널층은, 다결정 3-5족 화합물(Poly 3-5) 또는 다결정 실리콘 게르마늄(Poly Si-Ge 중 어느 하나의 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
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제1항에 있어서,상기 제2 채널층은, 상기 제1 채널층에 대한 보호층(Protection layer) 또는 전자 이동 어시스트층(Assist layer)으로 사용되는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
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제4항에 있어서,상기 제2 채널층은, 상기 제1 채널층보다 내구성 및 열적 성능이 뛰어난 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
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제5항에 있어서,상기 제2 채널층은, 다결정 실리콘(Poly Si)으로 형성되는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
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기판 상 수평 방향으로 연장 형성되며 순차적으로 적층되는 복수의 워드 라인들; 및 상기 복수의 워드 라인들을 관통하여 상기 기판 상 수직 방향으로 연장 형성되는 적어도 하나의 홀을 포함하는 반도체 구조체를 준비하는 단계; 상기 반도체 구조체의 상기 적어도 하나의 홀 내에 내부 홀을 포함하는 전하 저장층을 상기 수직 방향으로 연장 형성하는 단계; 및 상기 내부 홀 내에 상기 수직 방향으로 이중 구조의 채널층을 연장 형성하는 단계를 포함하고, 상기 채널층을 연장 형성하는 단계는, 상기 전하 저장층과의 접촉 계면인 반전 영역에서 전자 이동도(Electron mobility)를 향상시키는 제1 채널층을 상기 전하 저장층과 맞닿도록 형성하는 단계; 및 상기 제1 채널층의 내벽에 상기 제2 채널층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 제1 채널층을 형성하는 단계는, 상기 전하 저장층과의 접촉 계면인 반전 영역에서 전자 이동도를 향상시키기 위하여, 상기 제2 채널층보다 전자 이동도가 높거나 임계값보다 전자 이동도가 높은 물질로 상기 제1 채널층을 형성하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 제1 채널층을 형성하는 단계는, 다결정 3-5족 화합물(Poly 3-5) 또는 다결정 실리콘 게르마늄(Poly Si-Ge 중 어느 하나의 물질로 상기 제1 채널층을 형성하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 제2 채널층을 형성하는 단계는, 상기 제1 채널층에 대한 보호층(Protection layer) 또는 전자 이동 어시스트층(Assist layer)으로 사용되도록 상기 제1 채널층보다 내구성 및 열적 성능이 뛰어난 물질로 상기 제2 채널층을 형성하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 제조 방법
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기판 상 수평 방향으로 연장 형성되며 순차적으로 적층되는 복수의 희생층들; 및 상기 복수의 희생층들을 관통하여 상기 기판 상 수직 방향으로 연장 형성되는 적어도 하나의 홀을 포함하는 반도체 구조체를 준비하는 단계; 상기 반도체 구조체의 상기 적어도 하나의 홀 내에 내부 홀을 포함하는 전하 저장층을 상기 수직 방향으로 연장 형성하는 단계; 상기 내부 홀 내에 상기 수직 방향으로 이중 구조의 채널층을 연장 형성하는 단계; 상기 복수의 희생층들을 제거하는 단계; 및 상기 복수의 희생층들이 제거된 공간들에 복수의 워드 라인들을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 채널층을 연장 형성하는 단계는, 상기 전하 저장층과의 접촉 계면인 반전 영역에서 전자 이동도(Electron mobility)를 향상시키는 제1 채널층을 상기 전하 저장층과 맞닿도록 형성하는 단계; 및 상기 제1 채널층의 내벽에 상기 제2 채널층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 제1 채널층을 형성하는 단계는, 상기 전하 저장층과의 접촉 계면인 반전 영역에서 전자 이동도를 향상시키기 위하여, 상기 제2 채널층보다 전자 이동도가 높거나 임계값보다 전자 이동도가 높은 물질로 상기 제1 채널층을 형성하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 제조 방법
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제12항에 있어서,상기 제1 채널층을 형성하는 단계는, 다결정 3-5족 화합물(Poly 3-5) 또는 다결정 실리콘 게르마늄(Poly Si-Ge 중 어느 하나의 물질로 상기 제1 채널층을 형성하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 제2 채널층을 형성하는 단계는, 상기 제1 채널층에 대한 보호층(Protection layer) 또는 전자 이동 어시스트층(Assist layer)으로 사용되도록 상기 제1 채널층보다 내구성 및 열적 성능이 뛰어난 물질로 상기 제2 채널층을 형성하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 제조 방법
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