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수평형 플로팅 게이트가 내장된 FET 트랜스듀서, 상기 FET 트랜스듀서 상부에 적어도 구비된 패시베이션 층, 플로팅 게이트와는 이격된 패시베이션 층의 일부 영역의 상부에 상기 플로팅 게이트와 서로 마주보도록 구비된 컨트롤 게이트, 상기 플로팅 게이트와 마주보는 컨트롤 게이트의 일부 및 컨트롤 게이트와 플로팅 게이트의 사이 영역 및 플로팅 게이트 위에 구비된 상기 패시베이션 층의 상부 일부에 구비된 감지 물질층을 구비하는 FET형 센서의 구동방법에 있어서, (a) 감지하고자 하는 가스의 종류에 따라, 컨트롤 게이트에 사전 설정된 이레이저 전압(Erase bias) 또는 프로그램 전압(Program bias)을 인가하여 FET 트랜스듀서의 문턱 전압을 변경시키고 상기 플로팅 게이트 위에 구비된 패시베이션층과 감지 물질층의 계면의 전하를 조절하는 단계;를 구비하여 감지하고자 하는 가스에 대한 반응성을 향상 또는 저하시키는 것을 특징으로 하는 FET 형 센서의 구동 방법
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제1항에 있어서, 상기 (a) 단계는, (a1) 감지하고자 하는 가스가 산화성 가스인 경우, 컨트롤 게이트에 사전 설정된 이레이저 전압(Erase bias)을 인가하여 FET 트랜스듀서의 수평형 플로팅 게이트에 정공을 저장하여 산화성 가스에 대한 반응 특성을 향상시키는 단계; 및(a2) 감지하고자 하는 가스가 환원성 가스인 경우, 컨트롤 게이트에 사전 설정된 프로그램 전압(Program bias)을 인가하여 FET 트랜스듀서의 수평형 플로팅 게이트에 전자를 저장하여 환원성 가스에 대한 반응 특성을 향상시키는 단계;를 구비하는 것을 특징으로 하는 FET 형 센서의 구동 방법
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제1항에 있어서, 상기 (a) 단계는, (a1) 감지하고자 하는 가스가 산화성 가스인 경우, 컨트롤 게이트에 사전 설정된 프로그램 전압(Program bias)을 인가하여 FET 트랜스듀서의 수평형 플로팅 게이트에 전자를 저장하여 산화성 가스에 대한 반응 특성을 저하시키는 단계; 및(a2) 감지하고자 하는 가스가 환원성 가스인 경우, 컨트롤 게이트에 사전 설정된 이레이저 전압(Erase bias)을 인가하여 FET 트랜스듀서의 수평형 플로팅 게이트에 정공을 저장하여 환원성 가스에 대한 반응 특성을 저하시키는 단계;를 구비하는 것을 특징으로 하는 FET 형 센서의 구동 방법
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제1항에 있어서, 상기 FET형 센서의 구동 방법은,(b) 가스 감지 반응을 종료하고 원래 상태로 돌아오는 회복 단계에서, 감지된 가스의 종류에 따라, 컨트롤 게이트에 읽기 전압보다 크거나 작은 pre-bias를 인가한 후, FET 트랜스듀서의 드레인과 소스 사이에 읽기 전압을 인가하여 감지된 가스의 탈착 속도를 향상시키는 단계;를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 FET 형 센서의 구동 방법
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제4항에 있어서, 상기 (b) 단계는,(b1) 산화성 가스의 감지 반응을 종료하고 원래 상태로 돌아오는 회복 단계에서는, 컨트롤 게이트에 읽기 전압보다 큰 양(+)의 pre-bias를 인가한 후, FET 트랜스듀서의 드레인과 소스 사이에 읽기 전압을 인가하여 감지된 산화성 가스의 탈착 속도를 증가시키는 단계; 및(b2) 환원성 가스의 감지 반응을 종료하고 원래 상태로 돌아오는 회복 단계에서는, 컨트롤 게이트에 읽기 전압보다 작은 음(-)의 pre-bias를 인가한 후, FET 트랜스듀서의 드레인과 소스 사이에 읽기 전압을 인가하여 감지된 환원성 가스에 대한 탈착 속도를 증가시키는 단계;를 구비하여 회복 특성을 향상시키는 것을 특징으로 하는 FET형 센서의 구동 방법
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수평형 플로팅 게이트가 내장된 FET 트랜스듀서, 상기 FET 트랜스듀서 상부에 적어도 구비된 패시베이션 층, 플로팅 게이트와는 이격된 패시베이션 층의 일부 영역의 상부에 상기 플로팅 게이트와 서로 마주보도록 구비된 컨트롤 게이트, 상기 플로팅 게이트와 마주보는 컨트롤 게이트의 일부 및 컨트롤 게이트와 플로팅 게이트의 사이 영역 및 플로팅 게이트 위에 구비된 상기 패시베이션 층의 상부 일부에 구비된 감지 물질층을 구비하는 FET형 센서의 구동방법에 있어서, (a) 감지하고자 하는 가스가 산화성 가스인 경우, 컨트롤 게이트에 사전 설정된 이레이저 전압(Erase bias)을 인가하여 FET 트랜스듀서의 수평형 플로팅 게이트에 정공을 저장하여 산화성 가스에 대한 반응 특성을 향상시키는 단계; 및(b) 산화성 가스의 감지 반응을 종료하고 원래 상태로 돌아오는 회복 단계에서는, 컨트롤 게이트에 읽기 전압보다 큰 pre-bias를 인가한 후, FET 트랜스듀서의 드레인과 소스 사이에 읽기 전압을 인가하여 산화성 가스의 탈착 속도를 증가시키는 단계;를 구비하는 것을 특징으로 하는 FET 형 센서의 구동 방법
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제6항에 있어서, 상기 FET형 센서의 구동 방법은,(c) 감지하고자 하는 가스가 환원성 가스인 경우, 컨트롤 게이트에 사전 설정된 프로그램 전압(Program bias)을 인가하여 FET 트랜스듀서의 수평형 플로팅 게이트에 전자를 저장하여 환원성 가스에 대한 반응 특성을 향상시키는 단계;(d) 환원성 가스의 감지 반응을 종료하고 원래 상태로 돌아오는 회복 단계에서는, 컨트롤 게이트에 읽기 전압보다 작은 pre-bias를 인가한 후, FET 트랜스듀서의 드레인과 소스 사이에 읽기 전압을 인가하여 환원성 가스에 대한 탈착 속도를 증가시키는 단계;를 구비하는 것을 특징으로 하는 FET형 센서의 구동 방법
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제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 FET형 센서의 구동 방법은,마이크로 히터를 추가로 포함하는 FET형 센서에서 목표 가스의 감지를 위해 적용되는 것을 특징으로 하는 FET형 센서의 구동 방법
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제8항에 있어서, 상기 마이크로 히터를 추가로 포함하는 FET형 센서가 복수 개로 배치된 센서 어레이에서 목표 가스의 감지를 위해 적용되는 것을 특징으로 하는 FET형 센서의 구동 방법
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