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2차원물질 분산액 제조방법 및 이를 이용한 대면적 반도체소자 제조방법

  • 기술번호 : KST2023002705
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일실시예는 2차원물질이 분산된 분산액의 제조방법을 제공하며, 본 발명의 일 실시예에 따라, 낮은 공정비용으로 고성능을 가지는 반도체소자를 제조할 수 있는 제조방법을 제공하는 효과를 가진다.
Int. CL C01B 19/00 (2006.01.01) C01G 39/00 (2006.01.01) C01G 27/00 (2006.01.01) B01J 19/10 (2018.01.01) C25F 5/00 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01)
CPC C01B 19/007(2013.01) C01G 39/00(2013.01) C01G 27/00(2013.01) B01J 19/10(2013.01) C25F 5/00(2013.01) H01L 21/02282(2013.01) H01L 21/02172(2013.01) H01L 21/0223(2013.01) H01L 21/02255(2013.01) H01L 21/02282(2013.01)
출원번호/일자 1020210183419 (2021.12.21)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2023-0095139 (2023.06.29) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2021.12.21)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강주훈 경기 수원시 권선구
2 김지현 경기 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한상수 대한민국 서울시 서초구 효령로**길 ** *층 (브릿지웰빌딩)(에이치앤피국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2021.12.21 수리 (Accepted) 1-1-2021-1477859-97
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2023.05.18 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
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번호 청구항
1 1
음극 및 2차원물질의 결정층을 포함하는 양극을 분자침투제를 포함하는 용액에 담지하는 전극담지단계;상기 음극 및 양극에 전압을 인가하여 상기 분자침투제를 상기 2차원물질의 결정층 사이에 침투시키는 전압인가단계;상기 분자침투제가 침투된 2차원물질의 결정층에 초음파를 조사하여 2차원물질을 박리시키는 초음파조사단계; 및상기 박리된 2차원물질을 분리하는 분리단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는, 2차원물질 분산액 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 전극담지단계의 2차원물질은, MoS2, MoSe2, MoTe2, WS2, WSe2, WTe2, TaS2, TaSe2, TiS2, TiSe2, HfS2, HfSe2, SnS2, SnSe2, GeS2, GeSe2, GaS2, GaSe2, ZrS2, ZrSe2, Bi2S3, Bi2Se3 및 Bi2Te3으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 2차원물질 분산액 제조방법
3 3
제1항에 있어서,상기 전극담지단계의 2차원물질은, HfS2, HfSe2, ZrS2, 및 ZrSe2를 포함하는 군에서 선택되는 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 2차원물질 분산액 제조방법
4 4
제1항에 있어서,상기 전극담지단계의 분자침투제는, tetrabutylammonium bromide, tetraethylammonium bromide, etrapropylammonium bromide, tetraheptylammonium bromide, 및 tetradecylammonium bromide로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 2차원물질 분산액 제조방법
5 5
제1항에 있어서,상기 전극담지단계의 용액은 N-methyl-pyrrolidone(NMP), isopropannol(IPA), N,N-Dimethylformamide (DMF), Propylene carbonate (PC), Acetone, 에탄올/물 혼합용매, 및 에탄올로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 이상의 용매를 사용하는 것을 특징으로 하는, 2차원물질 분산액 제조방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 초음파조사단계는, 7W 이상 15 W 이하의 초음파를 조사하는 것을 특징으로 하는, 2차원물질 분산액 제조방법
7 7
제1항에 있어서,상기 초음파조사단계는, 상기 2차원물질을 플레이크형태로 박리시키는 것을 특징으로 하는, 2차원물질 분산액 제조방법
8 8
제1항의 제조방법에 의해 제조된 2차원물질 분산액
9 9
제1항의 제조방법에 의해 제조된 2차원물질 분산액을 기판 상에 코팅하여 코팅층을 형성하는 분산액코팅단계;상기 코팅층을 어닐링시켜 절연층을 형성하는 절연층형성단계; 및상기 절연층 상에 전극을 패터닝하는 전극패터닝단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는, 용액공정을 이용한 대면적 반도체소자 제조방법
10 10
제9항에 있어서,상기 분산액코팅단계 및 절연층형성단계는 복수회 반복하는 것을 특징으로 하는, 용액공정을 이용한 대면적 반도체소자 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 성균관대학교 개인기초연구(과기정통부)(R&D) 차세대 근적외선 발광소재 합성 및 화학적/구조적 정밀 제어를 통한 C-band 레이저 구현