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상변화물질의 나노와이어 제조방법

  • 기술번호 : KST2014009236
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따라서 Sb2Te3 단결정 나노와이어를 제조하는 방법이 제공되는데, 상기 방법은 (a) 기판을 제공하는 단계와, (b) 촉매 물질을 사용하지 않으면서, 상기 기판 상에 스퍼터링에 의해, Ge-Sb-Te 상변화 물질을 적층함과 아울러 결정화 유도 물질을 함께 도핑하여, 상기 결정화 유도 물질이 도핑된 Ge-Sb-Te 상변화 물질로 이루어진 박막을 상기 기판 상에 형성하는 단계와, (c) 상기 박막이 형성된 기판을 반응로 내부에서 어닐링 열처리하여, 상기 결정화 유도 물질이 Ge과 우선적으로 결합함과 아울러, 이에 따라 과잉의 Sb와 Te가 결합하여 상변화물질 Sb2Te3을 형성하여 상분리됨으로써 Sb2Te3로 이루어진 단결정 나노와이어가 상기 박막 상에서 성장하도록 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01)
출원번호/일자 1020100001137 (2010.01.07)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1155340-0000 (2012.06.05)
공개번호/일자 10-2010-0083099 (2010.07.21) 문서열기
공고번호/일자 (20120619) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020090002235   |   2009.01.12
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.01.07)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이홍림 대한민국 서울특별시 영등포구
2 김병근 대한민국 서울특별시 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김승욱 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로 ***, ***호(서초동, 두산베어스텔)(아이피마스터특허법률사무소)
2 이채형 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 ** (대치동 동구빌딩 *층) Neo국제특허법률사무소

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.01.07 수리 (Accepted) 1-1-2010-0008809-33
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.10.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0577819-61
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.12.05 수리 (Accepted) 1-1-2011-0962938-70
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.12.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0962952-10
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
6 등록결정서
Decision to grant		 2012.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0254278-63
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 기판을 제공하는 단계와,(b) 촉매 물질을 사용하지 않으면서, 상기 기판 상에 스퍼터링에 의해, Ge-Sb-Te 상변화 물질을 적층함과 아울러 결정화 유도 물질을 함께 도핑하여, 상기 결정화 유도 물질이 도핑된 Ge-Sb-Te 상변화 물질로 이루어진 박막을 상기 기판 상에 형성하는 단계와,(c) 상기 박막이 형성된 기판을 반응로 내부에서 어닐링 열처리하여, 상기 결정화 유도 물질이 Ge과 우선적으로 결합함과 아울러, 이에 따라 과잉의 Sb와 Te가 결합하여 상변화물질 Sb2Te3을 형성하여 상분리됨으로써 Sb2Te3로 이루어진 단결정 나노와이어가 상기 박막 상에서 성장하도록 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 Sb2Te3 상변화물질 나노와이어 제조 방법
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 반응로 내부는 진공 또는 상압(1 atm)으로 유지되는 것을 특징으로 하는 Sb2Te3 상변화물질 나노와이어 제조 방법
3 3
청구항 1에 있어서, 상기 결정화 유도 물질은 Al인 것을 특징으로 하는 Sb2Te3 상변화물질 나노와이어 제조 방법
4 4
청구항 3에 있어서, 상기 Al의 함량은 7~30 atomic%인 것을 특징으로 하는 Sb2Te3 상변화물질 나노와이어 제조 방법
5 5
청구항 4에 있어서, 상기 Al의 함량은 7
6 6
청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서, 상기 (c) 단계에서의 어닐링 열처리는 300℃에서 30분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 Sb2Te3 상변화물질 나노와이어 제조 방법
7 7
청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판은 Si 웨이퍼 또는 유리 기판인 것을 특징으로 하는 Sb2Te3 상변화물질 나노와이어 제조 방법
8 8
삭제
9 9
청구항 6에 있어서, 상기 기판은 Si 웨이퍼 또는 유리 기판인 것을 특징으로 하는 Sb2Te3 상변화물질 나노와이어 제조 방법
10 10
삭제
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1 WO2010080002 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
2 WO2010080002 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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