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금속 전구체층을 사용한 탄소나노튜브 형성방법 및 전계방출소자 제조방법

  • 기술번호 : KST2014027669
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 탄소나노튜브 형성방법 및 전계방출소자 제조방법을 제공한다. 상기 탄소나노튜브 형성방법은 기판 상에 액상 코팅법을 사용하여 금속 촉매 전구체층을 형성하는 단계를 포함한다. 상기 금속 촉매 전구체층을 어닐링하여 금속 촉매 입자들을 형성한다. 상기 금속 촉매 입자들 상에 CNT 필름을 성장시킨다.
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 1/00 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC C01B 32/16(2013.01) C01B 32/16(2013.01) C01B 32/16(2013.01) C01B 32/16(2013.01) C01B 32/16(2013.01) C01B 32/16(2013.01) C01B 32/16(2013.01) C01B 32/16(2013.01)
출원번호/일자 1020080106116 (2008.10.28)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1055111-0000 (2011.08.01)
공개번호/일자 10-2010-0047034 (2010.05.07) 문서열기
공고번호/일자 (20110809) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.10.28)
심사청구항수 28

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유지범 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 패톨, 샤시칸트 피. 인도 경기도 수원시 장안구
3 패톨, 아카나 에스. 인도 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.10.28 수리 (Accepted) 1-1-2008-0749363-48
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.05.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.06.16 수리 (Accepted) 9-1-2010-0036324-56
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.10.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0482335-35
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2010.12.27 수리 (Accepted) 1-1-2010-0859927-49
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.01.26 수리 (Accepted) 1-1-2011-0062774-13
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.01.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0062781-33
8 등록결정서
Decision to grant		 2011.07.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0410254-59
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계; 상기 버퍼층 상에 금속 알콕사이드를 함유하는 금속 촉매 전구체층을 형성하는 단계: 상기 금속 촉매 전구체층을 어닐링하여 금속 촉매 입자들을 형성하는 단계: 및 상기 금속 촉매 입자들 상에 CNT들을 성장시키는 단계를 포함하되, 상기 버퍼층의 이온화 경향은 상기 금속 촉매 입자들의 이온화 경향보다 큰 탄소나노튜브 형성방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 금속 촉매 전구체층은 스핀 코팅법을 사용하여 형성하는 탄소나노튜브 형성방법
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서, 상기 금속 알콕사이드는 금속 나프테네이트(metal naphthenate)인 탄소나노튜브 형성방법
5 5
제4항에 있어서, 상기 금속 나프테네이트는 철(Fe) 나프테네이트, 니켈(Ni) 나프테네이트, 또는 코발트(Co) 나프테네이트인 탄소나노튜브 형성방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 금속 촉매 전구체층은 금속 알콕사이드와 C4 내지 C20의 알코올을 함유하는 금속 촉매 전구체 용액을 사용하여 형성하는 탄소나노튜브 형성방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 알코올은 펜탄올 또는 데칸올인 탄소나노튜브 형성방법
8 8
삭제
9 9
삭제
10 10
제1항에 있어서, 상기 버퍼층은 Al층, Zn층, 또는 Cr층인 탄소나노튜브 형성방법
11 11
제1항에 있어서, 상기 CNT들을 성장시키는 단계는 CVD법을 사용하여 수행하는 탄소나노튜브 형성방법
12 12
제11항에 있어서, 상기 CVD법은 산소 조력 CVD(oxygen assisted CVD)법인 탄소나노튜브 형성방법
13 13
제12항에 있어서, 상기 산소 조력 CVD법은 WACVD(Water Assisted CVD)법 또는 ACCD(Alcohol Catalytic CVD) 법인 탄소나노튜브 형성방법
14 14
제1항에 있어서, 상기 금속 촉매 전구체층을 어닐링하기 전에 상기 금속 촉매 전구체층을 패터닝하여 금속 촉매 전구체 패턴을 형성하는 단계를 더 포함하는 탄소나노튜브 형성방법
15 15
제14항에 있어서, 상기 금속 촉매 전구체층은 금속 나프테네이트층이고, 상기 금속 촉매 전구체층을 패터닝하는 단계는 전자빔 리소그래피를 사용하여 수행하는 탄소나노튜브 형성방법
16 16
제15항에 있어서, 상기 금속 나프테네이트는 철(Fe) 나프테네이트, 니켈(Ni) 나프테네이트, 또는 코발트(Co) 나프테네이트인 탄소나노튜브 형성방법
17 17
기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계; 상기 버퍼층 상에 금속 나프테네이트를 함유하는 금속 촉매 전구체층을 형성하는 단계; 상기 금속 촉매 전구체층을 어닐링하여 금속 촉매 입자들을 형성하는 단계; 및 상기 금속 촉매 입자들 상에 산소 조력 CVD(oxygen assisted CVD)법을 사용하여 CNT들을 성장시키는 단계를 포함하되, 상기 버퍼층의 이온화 경향은 상기 금속 촉매 입자들의 이온화 경향보다 큰 탄소나노튜브 형성방법
18 18
제17항에 있어서, 상기 금속 나프테네이트는 철(Fe) 나프테네이트, 니켈(Ni) 나프테네이트, 또는 코발트(Co) 나프테네이트인 탄소나노튜브 형성방법
19 19
제17항에 있어서, 상기 금속 촉매 전구체층은 상기 금속 나프테네이트와 펜탄올을 함유하는 금속 촉매 전구체 용액을 사용하여 형성하는 탄소나노튜브 형성방법
20 20
제17항에 있어서, 상기 버퍼층은 Al층인 탄소나노튜브 형성방법
21 21
제17항에 있어서, 상기 산소 조력 CVD법은 WACVD(Water Assisted CVD)법 또는 ACCD(Alcohol Catalytic CVD)법인 탄소나노튜브 형성방법
22 22
제17항에 있어서, 상기 금속 촉매 전구체층을 어닐링하기 전에 상기 금속 촉매 전구체층을 전자빔 리소그래피법을 사용하여 패터닝하여 금속 촉매 전구체 패턴을 형성하는 단계를 더 포함하는 탄소나노튜브 형성방법
23 23
하부 기판 상에 금속 버퍼층을 형성하는 단계; 상기 금속 버퍼층 상에 금속 알콕사이드를 함유하는 금속 촉매 전구체층을 형성하는 단계; 상기 금속 촉매 전구체층을 어닐링하여 금속 촉매 입자들을 형성하는 단계; 상기 금속 촉매 입자들 상에 CNT들을 성장시키는 단계; 및 상기 CNT들 상에 상부 전극과 형광층을 구비하는 상부 기판을 위치시키는 단계를 포함하되, 상기 금속 버퍼층의 이온화 경향은 상기 금속 촉매 입자들의 이온화 경향보다 큰 전계방출소자 제조방법
24 24
제23항에 있어서, 상기 금속 알콕사이드는 금속 나프테네이트인 전계방출소자 제조방법
25 25
제24항에 있어서, 상기 금속 나프테네이트는 철(Fe) 나프테네이트, 니켈(Ni) 나프테네이트, 또는 코발트(Co) 나프테네이트인 전계방출소자 제조방법
26 26
삭제
27 27
제23항에 있어서, 상기 버퍼층은 Al층, Zn층, 또는 Cr층인 전계방출소자 제조방법
28 28
제23항에 있어서, 상기 CNT들을 성장시키는 단계는 산소 조력 CVD법을 사용하여 수행되는 전계방출소자 제조방법
29 29
제28항에 있어서, 상기 산소 조력 CVD법은 WACVD(Water Assisted CVD)법 또는 ACCD(Alcohol Catalytic CVD)법인 전계방출소자 제조방법
30 30
제23항에 있어서, 상기 금속 촉매 전구체층을 어닐링하기 전에 상기 금속 촉매 전구체층을 전자빔 리소그래피법을 사용하여 패터닝하여 금속 촉매 전구체 패턴을 형성하는 단계를 더 포함하는 전계방출소자 제조방법
31 31
제30항에 있어서, 상기 금속 촉매 전구체층은 금속 나프테네이트층이고, 상기 금속 촉매 전구체층을 패터닝하는 단계는 전자빔 리소그래피를 사용하여 수행하는 전계방출소자 제조방법
32 32
제30항에 있어서, 상기 금속 촉매 전구체 패턴을 식각 마스크로 사용하여 상기 금속 버퍼층을 패터닝하여 금속 버퍼 패턴을 형성하는 단계를 더 포함하는 전계방출소자 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.