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촉매층이 형성된 기판을 이용하여 탄소나노튜브를 제조하는 방법에 있어서,
상기 촉매층의 두께를 제어하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 제조방법
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제1항에 있어서,
기판 상에 버퍼 금속층을 증착시키는 단계;
상기 버퍼 금속층 상에 두께를 제어하여 촉매층을 증착시키는 단계; 및
상기 기판을 이용하여 탄소나노튜브를 합성하는 단계를 포함하는 탄소나노튜브의 제조방법
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제2항에 있어서,
기판은 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 다중벽 수의 제어방법
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제2항에 있어서,
버퍼 금속층 또는 촉매층은 전자-빔 증착법(electron-beam evaporation)을 통해 기판에 증착되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 제조방법
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제2항에 있어서,
버퍼 금속층 또는 촉매층의 증착 속도는 0
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제2항에 있어서,
버퍼 금속층 또는 촉매층의 증착 압력은 10-5 torr 이하인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 제조방법
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7
제2항에 있어서,
버퍼 금속층의 두께는 10 내지 30 nm인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 제조방법
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8
제2항에 있어서,
버퍼 금속은 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta) 및 티타늄(Ti)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 제조방법
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제1항에 있어서,
촉매층의 두께는 0
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10
제1항에 있어서,
촉매는 크롬, 망간, 철, 코발트, 니켈 및 구리로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 제조방법
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제2항에 있어서,
탄소나노튜브를 합성하는 단계는 수분 화학기상증착법 (water-assisted chemical vapor deposition)에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 제조방법
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12
제11항에 있어서,
탄소나노튜브의 합성 온도는 700 내지 900℃인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 제조방법
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13
제11항에 있어서,
탄소나노튜브의 합성 압력은 3 Torr 이하인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 제조방법
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14
기판 상에 버퍼 금속층을 증착시키는 단계;
상기 버퍼 금속층 상에 촉매층을 증착시키는 단계; 및
상기 기판을 이용하여 탄소나노튜브를 합성하는 단계를 포함하되,
상기 촉매층의 두께를 제어하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 벽 수의 제어방법
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15
제14항에 있어서,
탄소나노튜브의 벽 수는 2 내지 16개인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 벽 수를 제어하는 방법
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16
기판 상에 버퍼 금속층을 증착시키는 단계;
상기 버퍼 금속층 상에 촉매층을 증착시키는 단계; 및
상기 기판을 이용하여 탄소나노튜브를 합성하는 단계를 포함하되,
상기 촉매층의 두께를 제어하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 높이 및 직경을 제어하는 방법
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17
제16항에 있어서,
탄소나노튜브의 높이 대 직경비는 103 내지 107인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 높이 및 직경을 제어하는 방법
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18
기판 상에 버퍼 금속층을 증착시키는 단계;
상기 버퍼 금속층 상에 촉매층을 증착시키는 단계; 및
상기 기판을 이용하여 탄소나노튜브를 합성하는 단계를 포함하되,
상기 촉매층의 두께를 제어하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브의 배열을 제어하는 방법
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