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선택적 위치 제어를 이용한 전자방출 소자 형성방법
- 기술번호 : KST2014029022
- 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
- 전화번호 : 02-2155-3662
| 요약 | 본 발명은 전자방출 디스플레이의 제조방법에 있어서 선택적 위치 제어를 이용한 전자방출 소자의 형성방법에 관한 것으로, 특히 전극 구조가 형성되기 전에 전자방출 소자인 탄소 나노튜브의 위치를 결정하고 균일하게 성장시키기 위하여, 촉매 금속층을 기판 상부에 형성한 다음, 그 촉매 금속층 상부에 감광성 레지스트를 형성한 후 리소그라피 공정으로 전자방출소자를 성장시킬 위치에만 패턴을 형성하고 나머지 부분의 촉매 금속층과 감광성 레지스트는 제거하며, 그 패턴 상부에 전자방출 소자인 탄소나노튜브를 성장시킴으로써 확산 방지층이 필요없는 전자방출 소자의 형성이 가능하고, 감광성 레지스트를 이용하여 전자방출 소자의 위치와 모양을 용이하게 조절할 수 있으며, 촉매 금속층 상부 이외에 남아있는 감광성 레지스트를 없앰으로써 잔류 레지스터에 의한 2차적인 반응으로 전자방출 소자의 특성이 저하되는 것을 방지할 수 있는 선택적 위치제어를 이용한 전자방출 소자의 형성방법을 제공한다.감광성 레지스트 패터닝, 선택적 성장, 전자방출소자, 전자방출 디스플레이 |
|---|---|
| Int. CL | B82Y 40/00 (2011.01) H01J 9/02 (2011.01) C01B 31/02 (2011.01) H01J 1/304 (2011.01) |
| CPC | H01J 1/304(2013.01) H01J 1/304(2013.01) H01J 1/304(2013.01) H01J 1/304(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020060044794 (2006.05.18) |
| 출원인 | 경희대학교 산학협력단 |
| 등록번호/일자 | 10-0851950-0000 (2008.08.06) |
| 공개번호/일자 | 10-2007-0111692 (2007.11.22) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20080812) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2006.05.18) |
| 심사청구항수 | 12 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 경희대학교 산학협력단 | 대한민국 | 경기도 용인시 기흥구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 박규창 | 대한민국 | 서울 광진구 |
| 2 | 장 진 | 대한민국 | 서울 서초구 |
| 3 | 유제황 | 대한민국 | 서울 동대문구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 오세중 | 대한민국 | 서울시 강남구 테헤란로 ***, **** (역삼동. 성지하이츠 Ⅱ)(해오름국제특허법률사무소) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 주식회사 태피토프 | 서울특별시 용산구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 Patent Application |
2006.05.18 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0347925-11 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2007.02.09 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2007.03.13 | 수리 (Accepted) | 9-1-2007-0016307-28 |
| 4 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2007.04.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2007-5052403-70 |
| 5 | 출원인변경신고서 Applicant change Notification |
2007.04.05 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0264305-89 |
| 6 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2007.04.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2007-5065076-36 |
| 7 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2007.06.25 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2007-0344081-47 |
| 8 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2007.08.24 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2007-0615819-78 |
| 9 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2007.08.24 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0615821-60 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2007.09.07 | 수리 (Accepted) | 4-1-2007-5139506-36 |
| 11 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2007.12.03 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2007-0655660-89 |
| 12 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2007.12.11 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0890175-01 |
| 13 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2007.12.11 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2007-0890173-10 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2008.02.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2008-5020006-08 |
| 15 | 등록결정서 Decision to grant |
2008.05.23 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0277055-44 |
| 16 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.03.09 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5029677-09 |
| 17 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5164254-26 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 기판 상부에 캐소드 전극과 촉매 금속층을 형성하는 단계와; 상기 촉매 금속층 상부에 감광성 레지스트 층을 형성하고 리소그라피 공정에 의해 원하는 위치에 원하는 모양의 패턴으로 전자방출소자 성장부들을 형성하고 나머지 부분의 감광성 레지스트를 제거하는 단계와; 상기 패턴으로 형성된 전자방출소자 성장부들에 전자방출 소자를 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 선택적 위치제어를 이용한 전자방출 소자의 형성방법 |
| 2 |
2 제 1 항에 있어서, 상기 기판은,유리 기판, 석영 기판, 규소(실리콘 웨이퍼) 기판 또는 알루미나(Al2O3) 기판 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 선택적 위치제어를 이용한 전자방출 소자의 형성방법 |
| 3 |
3 제 1 항에 있어서, 상기 감광성 레지스트를 제거한 후, 전자방출 소자 성장부들 이외의 촉매 금속층을 식각하여 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 선택적 위치제어를 이용한 전자방출 소자의 형성방법 |
| 4 |
4 제 1 항에 있어서, 상기 촉매 금속층은,니켈(Ni), 철(Fe) 또는 코발트(Co)와 같은 전이 금속 중 어느 하나이거나, 코발트-니켈, 코발트-철, 니켈-철 또는 코발트-니켈-철 합금 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 선택적 위치제어를 이용한 전자방출 소자 형성방법 |
| 5 |
5 제 1 항에 있어서,상기 촉매 금속층은,열증착(thermal evaporation)법, 스퍼터링(sputtering)법 또는 전자빔증착(electron beam evaporation)법, 화학기상 증착법 중 어느 한 방법을 이용하여 10nm 내지 100nm의 두께로 형성한 것을 특징으로 하는 선택적 위치제어를 이용한 전자방출 소자 형성방법 |
| 6 |
6 제 1 항에 있어서,상기 감광성 레지스트층은,스핀코팅 방법 또는 슬릿 코팅법 으로 0 |
| 7 |
7 제 6 항에 있어서,상기 감광성 레지스트층을 형성하기 위해 사용되는 레지스트는,무기 레지스트, 유기 레지스트 및 유,무기 혼합형 레지스트, 또는 감광형 유리페이스트 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 선택적 위치제어를 이용한 전자방출 소자 형성방법 |
| 8 |
8 제 1 항에 있어서,상기 전자방출소자 성장부의 형성방법은,상기 감광성 레지스트를 100 ~ 250 oC 의 온도로 소결하는 단계와;상기 소결된 감광성 레지스트에 UV와 마스크를 이용하여 필요한 형태의 패턴 노광 과정을 수행한 다음, 이를 현상하여 전자방출소자가 형성될 위치의 패턴 이외 부분의 감광성 레지스트를 제거하는 단계와;상기 패턴 부분의 소결된 감광성 레지스트와 촉매 금속층을 기판의 온도가 200 ~ 800 oC로 유지되는 상태에서 1 ~ 600분간 용융하여 탄소나노튜브 형성을 위한 씨앗(seed)인 전자방출 소자 성장부를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 선택적 위치제어를 이용한 전자방출 소자 형성방법 |
| 9 |
9 제 8 항에 있어서,상기 전자방출 소자 성장부를 형성하는 단계에서,상기 기판의 열처리 시간은 온도가 올라감에 따라 감소하는 것을 특징으로 하는 선택적 위치 제어를 이용한 전자방출 소자 형성 방법 |
| 10 |
10 제 1 항에 있어서,상기 전자방출 소자는,탄소나노튜브인 것을 특징으로 하는 선택적 위치제어를 이용한 전자방출 소자 형성방법 |
| 11 |
11 제 10 항에 있어서,상기 탄소 나노튜브는,상기 기판을 어닐링(열처리)하는 단계와;상기 어닐링된 기판에 탄화수소 기체를 공급하면서 플라즈마 화학기상증착을 실시하는 단계에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 선택적 위치제어를 이용한 전자방출 소자 형성방법 |
| 12 |
12 기판 상부에 촉매 금속층과 감광성 레지스트층을 순차적으로 형성하는 단계와;상기 감광성 레지스트를 100 ~ 250 oC 의 온도로 소결하는 단계와;상기 소결된 감광성 레지스트에 UV와 마스크를 이용하여 필요한 형태의 패턴 노광 과정을 수행한 다음, 이를 현상하여 전자방출소자가 형성될 위치의 패턴 이외 부분의 감광성 레지스트를 제거하는 단계와;상기 패턴 부분의 소결된 감광성 레지스트와 촉매 금속층을 기판의 온도가 200 ~ 800 oC로 유지되는 상태에서 1 ~ 600분간 용융하여 전자방출 소자 형성을 위한 씨앗(seed)인 전자방출 소자 성장부를 형성하는 단계;상기 전자방출 소자 성장부 상부에 전자방출 소자를 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자방출 디스플레이의 제조방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | JP05098048 | JP | 일본 | FAMILY |
| 2 | JP21532844 | JP | 일본 | FAMILY |
| 3 | JP25016498 | JP | 일본 | FAMILY |
| 4 | KR100819446 | KR | 대한민국 | FAMILY |
| 5 | US08172633 | US | 미국 | FAMILY |
| 6 | US20100201251 | US | 미국 | FAMILY |
| 7 | WO2007114655 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | JP2009532844 | JP | 일본 | DOCDBFAMILY |
| 2 | JP2013016498 | JP | 일본 | DOCDBFAMILY |
| 3 | JP5098048 | JP | 일본 | DOCDBFAMILY |
| 4 | US2010201251 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 5 | US8172633 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-0851950-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20060518 출원 번호 : 1020060044794 공고 연월일 : 20080812 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20080523 청구범위의 항수 : 12 유별 : H01J 1/30 발명의 명칭 : 선택적 위치 제어를 이용한 전자방출 소자 형성방법 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 경희대학교 산학협력단 경기도 용인시 기흥구... |
| 2 |
(의무자) 경희대학교 산학협력단 경기도 용인시 기흥구... |
| 2 |
(권리자) 박규창 서울 광진구... |
| 3 |
(권리자) 신경숙 경기도 고양시 일산동구... |
| 3 |
(의무자) 박규창 서울 광진구... |
| 4 |
(의무자) 신경숙 경기도 고양시 일산동구... |
| 4 |
(권리자) 티디에스 주식회사 경기도 고양시 일산동구... |
| 5 |
(의무자) 티디에스 주식회사 경기도 고양시 일산동구... |
| 5 |
(권리자) 주식회사 태피토프 서울특별시 용산구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 303,000 원 | 2008년 08월 07일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 304,000 원 | 2011년 07월 28일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 304,000 원 | 2012년 08월 06일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 304,000 원 | 2013년 08월 02일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 556,000 원 | 2014년 04월 23일 | 납입 |
| 제 8 년분 | 금 액 | 556,000 원 | 2015년 08월 07일 | 납입 |
| 제 9 년분 | 금 액 | 556,000 원 | 2016년 07월 29일 | 납입 |
| 제 10 년분 | 금 액 | 954,000 원 | 2017년 10월 10일 | 납입 |
| 제 11 년분 | 금 액 | 900,000 원 | 2018년 08월 03일 | 납입 |
| 제 12 년분 | 금 액 | 900,000 원 | 2019년 08월 05일 | 납입 |
| 제 13 년분 | 금 액 | 1,020,000 원 | 2020년 08월 04일 | 납입 |
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 | 2006.05.18 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0347925-11 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 | 2007.02.09 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 | 2007.03.13 | 수리 (Accepted) | 9-1-2007-0016307-28 |
| 4 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2007.04.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2007-5052403-70 |
| 5 | 출원인변경신고서 | 2007.04.05 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0264305-89 |
| 6 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2007.04.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2007-5065076-36 |
| 7 | 의견제출통지서 | 2007.06.25 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2007-0344081-47 |
| 8 | [명세서등 보정]보정서 | 2007.08.24 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2007-0615819-78 |
| 9 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2007.08.24 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0615821-60 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2007.09.07 | 수리 (Accepted) | 4-1-2007-5139506-36 |
| 11 | 의견제출통지서 | 2007.12.03 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2007-0655660-89 |
| 12 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2007.12.11 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0890175-01 |
| 13 | [명세서등 보정]보정서 | 2007.12.11 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2007-0890173-10 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2008.02.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2008-5020006-08 |
| 15 | 등록결정서 | 2008.05.23 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0277055-44 |
| 16 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.03.09 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5029677-09 |
| 17 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5164254-26 |
| 기술번호 | KST2014029022 |
|---|---|
| 자료제공기관 | NTB |
| 기술공급기관 | 경희대학교 국제캠퍼스 |
| 기술명 | 선택적 위치 제어를 이용한 전자방출 소자 형성방법 |
| 기술개요 |
본 발명은 전자방출 디스플레이의 제조방법에 있어서 선택적 위치 제어를 이용한 전자방출 소자의 형성방법에 관한 것으로, 특히 전극 구조가 형성되기 전에 전자방출 소자인 탄소 나노튜브의 위치를 결정하고 균일하게 성장시키기 위하여, 촉매 금속층을 기판 상부에 형성한 다음, 그 촉매 금속층 상부에 감광성 레지스트를 형성한 후 리소그라피 공정으로 전자방출소자를 성장시킬 위치에만 패턴을 형성하고 나머지 부분의 촉매 금속층과 감광성 레지스트는 제거하며, 그 패턴 상부에 전자방출 소자인 탄소나노튜브를 성장시킴으로써 확산 방지층이 필요없는 전자방출 소자의 형성이 가능하고, 감광성 레지스트를 이용하여 전자방출 소자의 위치와 모양을 용이하게 조절할 수 있으며, 촉매 금속층 상부 이외에 남아있는 감광성 레지스트를 없앰으로써 잔류 레지스터에 의한 2차적인 반응으로 전자방출 소자의 특성이 저하되는 것을 방지할 수 있는 선택적 위치제어를 이용한 전자방출 소자의 형성방법을 제공한다.감광성 레지스트 패터닝, 선택적 성장, 전자방출소자, 전자방출 디스플레이 |
| 개발상태 | 기술개발완료 |
| 기술의 우수성 | |
| 응용분야 | 전자방출 디스플레이 |
| 시장규모 및 동향 | |
| 희망거래유형 | 기술매매,라이센스, |
| 사업화적용실적 | |
| 도입시고려사항 |
| 과제고유번호 | 1345071389 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 핵06A3701 |
| 연구과제명 | 디스플레이응용을위한프린팅기초기술연구 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국학술진흥재단 |
| 연구주관기관명 | 경희대학교 |
| 성과제출연도 | 2008 |
| 연구기간 | 200603~201302 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | 기타 |
특허성과
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