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하부기판 상부에 캐소드 전극과 촉매 금속층을 형성하고, 그 상부에 전자방출 소자를 형성하는 전자방출 디스플레이의 제조방법에 있어서,상기 촉매 금속층 상부에 포토레지스트를 형성하는 단계와;상기 형성된 포토레지스트 중 전자방출 소자를 형성하고자 하는 위치에 원하는 패턴을 형성하는 단계와;상기 패턴을 제거하여 전자방출 소자 형성홀을 형성하는 단계와;상기 전자방출 소자 형성홀에 전자방출 소자를 형성하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 디스플레이의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 포토레지스트는 스핀코팅에 의해 0
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제 1 항에 있어서,상기 포토레지스트에 패턴을 형성한 다음, 100℃ ~ 250 ℃의 온도에서 고온 열처리를 통하여 소결시키는 것을 특징으로 하는 전자방출 디스플레이의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 전자방출 소자는 탄소 나노튜브인 것을 특징으로 하는 전자방출 디스플레이의 제조방법
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제 4 항에 있어서,상기 탄소 나노튜브는,상기 하부기판을 어닐링하는 단계와;상기 어닐링된 하부 기판에 탄화수소 기체를 공급하면서 플라즈마 화학기상증착을 실시하는 단계를 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 전자방출 디스플레이의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 전자방출 소자를 형성한 다음, 하부기판 상부에 전자방출 소자가 함침되도록 레지스트를 형성하는 단계와;상기 레지스트를 전자방출 소자가 화소단위로 구분되도록 화소와 대응되는 영역의 레지스트를 제거하기 위한 패턴을 형성하는 단계와;상기 패턴을 제거하여 전자방출 소자를 노출시키면서 화소단위로 구분되는 스페이서를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자방출 디스플레이의 제조방법
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제 6 항에 있어서,상기 레지스트는 무기 레지스트, 유기 레지스트, 유·무기 혼합형 레지스트 또는 감광형 유리페이스트 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전자방출 디스플레이의 제조방법
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제 6 항에 있어서,상기 레지스트에 패턴을 형성한 후 250~400℃에서 소결시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자방출 디스플레이의 제조방법
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제 6 항에 있어서,상기 레지스트의 패턴부분을 제거하는 방법은,디벨로퍼 이용법, 건식 에칭법 또는 습식 에칭법 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전자방출 디스플레이의 제조방법
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제 6 항에 있어서,상기 화소와 대응되는 영역의 레지스트를 제거하기 위한 패턴을 형성하는 방법은,선택 성장된 탄소 나노튜브 영역 각각을 여는 방법, 한 픽셀을 여러 부분으로 나누어 여는 방법, 또는 픽셀 영역 전체를 여는 방법 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전자방출 디스플레이의 제조방법
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캐소드 전극과 전자 방출원을 갖는 하부기판과, 애노드 전극과 화소를 갖는 상부기판 및 상기 하부기판과 상부기판의 간격을 유지하고 내부를 밀봉시키기 위한 격벽으로 구성된 전자방출 디스플레이에 있어서,상기 하부기판 상부에 레지스트를 이용하여 전자방출 소자들을 화소 영역으로 구분하는 격벽 겸용 스페이서가 더 형성된 것을 특징으로 하는 전자방출 디스플레이
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삭제
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제 11 항에 있어서,상기 스페이서는 전자방출원인 탄소 나노튜브 영역, 한 픽셀을 여러부분으로 나눈 영역 또는 픽셀 부분 전체영역을 제외한 부분에 형성된 것을 특징으로 하는 전자방출 디스플레이
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14
제 11 항에 있어서,상기 스페이서 중간에 게이트 전극이 더 형성된 것을 특징으로 하는 전자방출 디스플레이
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