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전자방출 소자의 선택적 위치 제어를 이용한 전자방출디스플레이 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015167477
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전자방출 소자의 선택적 위치 제어를 이용한 전자방출 디스플레이의 제조방법에 관한 것으로, 특히 전극 구조가 형성되기 전에 전자방출원인 탄소 나노튜브의 위치를 결정하여 균일하게 성장시키고, 포토레지스트를 사용하여 상기 선택적으로 균일하게 형성된 탄소 나노튜브들을 화소 단위로 구분하는 스페이서를 직접 전극 위에 형성함으로써 화소들간의 상호 간섭 현상인 누화(cross-talk)를 방지하고, 균일한 전자 방출에 의해 화소의 균일도를 향상시킬 수 있는 전자방출 소자의 선택적 위치 제어를 이용한 전자방출 디스플레이 및 그 제조방법을 제공한다.포토레지스트 패턴닝, 선택적 성장, 전자방출 디스플레이, 격벽형 스페이서
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) H01J 9/02 (2011.01) C01B 31/02 (2011.01) H01J 1/304 (2011.01)
CPC H01J 1/304(2013.01) H01J 1/304(2013.01) H01J 1/304(2013.01) H01J 1/304(2013.01)
출원번호/일자 1020060030844 (2006.04.05)
출원인 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0819446-0000 (2008.03.28)
공개번호/일자 10-2007-0099734 (2007.10.10) 문서열기
공고번호/일자 (20080407) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.04.05)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장 진 대한민국 서울 서초구
2 박규창 대한민국 서울 광진구
3 유제황 대한민국 서울 동대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세중 대한민국 서울시 강남구 테헤란로 ***, **** (역삼동. 성지하이츠 Ⅱ)(해오름국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 태피토프 서울특별시 용산구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.04.05 수리 (Accepted) 1-1-2006-0237606-59
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2007.01.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2007.02.09 수리 (Accepted) 9-1-2007-0009376-04
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.04.05 수리 (Accepted) 4-1-2007-5052403-70
5 출원인변경신고서
Applicant change Notification
2007.04.05 수리 (Accepted) 1-1-2007-0264305-89
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2007-5065076-36
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.05.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0293677-63
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2007.07.27 수리 (Accepted) 1-1-2007-0550973-33
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2007.08.29 수리 (Accepted) 1-1-2007-0629518-13
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.09.07 수리 (Accepted) 4-1-2007-5139506-36
11 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2007.10.01 수리 (Accepted) 1-1-2007-0706225-70
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2007.10.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0776507-14
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2007.10.29 수리 (Accepted) 1-1-2007-0776508-60
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.02.05 수리 (Accepted) 4-1-2008-5020006-08
15 등록결정서
Decision to grant
2008.02.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0087523-54
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.09 수리 (Accepted) 4-1-2015-5029677-09
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164254-26
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번호 청구항
1 1
하부기판 상부에 캐소드 전극과 촉매 금속층을 형성하고, 그 상부에 전자방출 소자를 형성하는 전자방출 디스플레이의 제조방법에 있어서,상기 촉매 금속층 상부에 포토레지스트를 형성하는 단계와;상기 형성된 포토레지스트 중 전자방출 소자를 형성하고자 하는 위치에 원하는 패턴을 형성하는 단계와;상기 패턴을 제거하여 전자방출 소자 형성홀을 형성하는 단계와;상기 전자방출 소자 형성홀에 전자방출 소자를 형성하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 디스플레이의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 포토레지스트는 스핀코팅에 의해 0
3 3
제 1 항에 있어서,상기 포토레지스트에 패턴을 형성한 다음, 100℃ ~ 250 ℃의 온도에서 고온 열처리를 통하여 소결시키는 것을 특징으로 하는 전자방출 디스플레이의 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 전자방출 소자는 탄소 나노튜브인 것을 특징으로 하는 전자방출 디스플레이의 제조방법
5 5
제 4 항에 있어서,상기 탄소 나노튜브는,상기 하부기판을 어닐링하는 단계와;상기 어닐링된 하부 기판에 탄화수소 기체를 공급하면서 플라즈마 화학기상증착을 실시하는 단계를 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 전자방출 디스플레이의 제조방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 전자방출 소자를 형성한 다음, 하부기판 상부에 전자방출 소자가 함침되도록 레지스트를 형성하는 단계와;상기 레지스트를 전자방출 소자가 화소단위로 구분되도록 화소와 대응되는 영역의 레지스트를 제거하기 위한 패턴을 형성하는 단계와;상기 패턴을 제거하여 전자방출 소자를 노출시키면서 화소단위로 구분되는 스페이서를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자방출 디스플레이의 제조방법
7 7
제 6 항에 있어서,상기 레지스트는 무기 레지스트, 유기 레지스트, 유·무기 혼합형 레지스트 또는 감광형 유리페이스트 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전자방출 디스플레이의 제조방법
8 8
제 6 항에 있어서,상기 레지스트에 패턴을 형성한 후 250~400℃에서 소결시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자방출 디스플레이의 제조방법
9 9
제 6 항에 있어서,상기 레지스트의 패턴부분을 제거하는 방법은,디벨로퍼 이용법, 건식 에칭법 또는 습식 에칭법 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전자방출 디스플레이의 제조방법
10 10
제 6 항에 있어서,상기 화소와 대응되는 영역의 레지스트를 제거하기 위한 패턴을 형성하는 방법은,선택 성장된 탄소 나노튜브 영역 각각을 여는 방법, 한 픽셀을 여러 부분으로 나누어 여는 방법, 또는 픽셀 영역 전체를 여는 방법 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전자방출 디스플레이의 제조방법
11 11
캐소드 전극과 전자 방출원을 갖는 하부기판과, 애노드 전극과 화소를 갖는 상부기판 및 상기 하부기판과 상부기판의 간격을 유지하고 내부를 밀봉시키기 위한 격벽으로 구성된 전자방출 디스플레이에 있어서,상기 하부기판 상부에 레지스트를 이용하여 전자방출 소자들을 화소 영역으로 구분하는 격벽 겸용 스페이서가 더 형성된 것을 특징으로 하는 전자방출 디스플레이
12 12
삭제
13 13
제 11 항에 있어서,상기 스페이서는 전자방출원인 탄소 나노튜브 영역, 한 픽셀을 여러부분으로 나눈 영역 또는 픽셀 부분 전체영역을 제외한 부분에 형성된 것을 특징으로 하는 전자방출 디스플레이
14 14
제 11 항에 있어서,상기 스페이서 중간에 게이트 전극이 더 형성된 것을 특징으로 하는 전자방출 디스플레이
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP05098048 JP 일본 FAMILY
2 JP21532844 JP 일본 FAMILY
3 JP25016498 JP 일본 FAMILY
4 KR100851950 KR 대한민국 FAMILY
5 US08172633 US 미국 FAMILY
6 US20100201251 US 미국 FAMILY
7 WO2007114655 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP2009532844 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP2013016498 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 JP5098048 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 US2010201251 US 미국 DOCDBFAMILY
5 US8172633 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.