| 1 |
1
기판 상에 금속물을 도포하여 캐소드 전극층을 형성하는 단계; 상기 캐소드 전극층 상에 촉매층을 형성하는 단계; 상기 촉매층 상에 감광성 탄소복합재료를 도포하여 촉매 제어층을 형성하는 단계; 리소그라피 공정에 의해 상기 촉매 제어층의 일부를 제거하여, 상기 촉매층 상에 일정 패턴으로 CNT 성장부를 마련하는 단계; 상기 CNT 성장부에 CNT를 성장시키는 단계; 및반응가스를 공급하여 상기 CNT의 일부를 제거한 후, 상기 CNT 성장부 상에 CNT를 재성장시키는 단계; 를 포함하는 엑스레이 튜브용 에미터의 제조방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 캐소드 전극층을 형성하는 단계는, 상기 기판을 마련하는 과정과, 아세톤, 이소프로필알코올(IPA), DI 워터 중 하나를 이용하여 상기 기판을 클리닝하는 전처리 과정, 및 진공 챔버로 상기 전처리된 기판을 제공하는 과정을 포함하는 엑스레이 튜브용 에미터의 제조방법
|
| 3 |
3
제2항에 있어서, 상기 진공 챔버의 내부 압력은 10-3 ~ 10-6 Torr로 제공되는 엑스레이 튜브용 에미터의 제조방법
|
| 4 |
4
제1항에 있어서, 상기 CNT 성장부를 마련하는 단계는, 400 ~ 1000℃의 온도에서 상기 감광성 탄소복합재료를 소결하는 과정과, 포토마스크를 이용하여 상기 감광성 탄소복합재료를 UV 노광 처리 후에 현상하여 상기 촉매층 상에 일정 패턴의 CNT 성장부를 형성하는 과정과, 상기 촉매층의 일부를 에칭하여 제거하는 과정을 포함하는 엑스레이 튜브용 에미터의 제조방법
|
| 5 |
5
제4항에 있어서,상기 CNT를 성장시키는 단계는,상기 촉매층의 일부를 에칭하여 제거한 다음에 진공상태에서 상기 CNT 성장부 및 상기 촉매층을 600 ~ 1000℃의 온도에서 1~ 600분간 열처리하여 용융하는 과정을 포함하는 엑스레이 튜브용 에미터의 제조방법
|
| 6 |
6
제5항에 있어서, 상기 열처리 후에 상기 촉매층의 촉매가 상기 CNT 성장부 내부로 유입되고, 상기 CNT 성장부 내부에서 CNT 성장을 위한 씨드가 형성되는 엑스레이 튜브용 에미터의 제조방법
|
| 7 |
7
제1항에 있어서, 상기 CNT를 성장시키는 단계는, 상기 CNT 성장부를 어닐링(annealing)하는 과정과,상기 CNT 성장부에 탄화수소 기체를 공급하는 플라스마 화학증착(PECVD, Plasma Enhanced Chemical Vapor De position) 공정 또는 열화학증착공정 (Thermal CVD, Thermal Chemical Vapor Deposition)을 통해 상기 CNT 성장부 상에 CNT를 성장시키는 과정을 포함하는 엑스레이 튜브용 에미터의 제조방법
|
| 8 |
8
제1항에 있어서, 상기 반응가스는 암모니아(NH3) 가스를 포함하는 엑스레이 튜브용 에미터의 제조방법
|
| 9 |
9
제1항에 있어서, 상기 CNT를 재성장시키는 단계는, 800 ~ 1200℃의 온도에서 암모니아(NH3) 가스를 제공하여 상기 CNT의 일부를 제거하는 과정과, 아세틸렌(C2H2) 가스 및 암모니아(NH3) 가스를 제공하여 상기 CNT 성장부에 CNT를 재성장시키는 과정을 포함하는 엑스레이 튜브용 에미터의 제조방법
|
| 10 |
10
제9항에 있어서, 상기 CNT의 제거 과정은 6 ~10Torr의 내부 압력에서 60 ~ 120분 동안 60 ~ 80sccm의 암모니아 가스를 제공하여 이루어지는 엑스레이 튜브용 에미터의 제조방법
|
| 11 |
11
제9항에 있어서, 상기 CNT의 재성장 과정에서 상기 아세틸렌 가스와 상기 암모니아 가스는 7:3의 비율로 제공되는 엑스레이 튜브용 에미터의 제조방법
|
| 12 |
12
제9항에 있어서, 상기 CNT 성장부에 CNT를 재성장시키는 과정 이후, 상기 CNT를 냉각하여 에미터를 획득하는 과정을 더 포함하는 엑스레이 튜브용 에미터의 제조방법
|
| 13 |
13
제1항의 방법에 의해 제조된 엑스레이 튜브용 에미터
|
