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엑스레이 튜브용 에미터 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2020010112
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판에 리소그라피 공정을 통해 패턴을 형성할 필요없이, 금속 기판에 형성한 패턴에 탄소나노튜브를 성장시킨 다음 열처리 과정을 통해 전계 방출 성능이 향상되는 엑스레이 튜브용 에미터에 관한 것으로, 기판을 마련하는 단계와, 상기 기판에 다수의 홀을 천공하여 패턴을 형성하는 단계와, 상기 홀에 의하여 패턴이 형성된 기판에 CNT를 성장시키는 단계 및 상기 기판에 성장된 상기 CNT를 고온으로 열처리하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01J 9/02 (2006.01.01) H01J 35/06 (2006.01.01) H01J 1/304 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020200091045 (2020.07.22)
출원인 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0090715 (2020.07.29) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자 10-2018-0148994 (2018.11.27)
관련 출원번호 1020180148994
심사청구여부/일자 Y (2020.07.22)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 류제황 서울특별시 중랑구
2 여승준 서울특별시 서초구
3 임종민 서울특별시 은평구
4 김우섭 서울특별시 동대문구
5 안정선 서울특별시 동대문구
6 공문규 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김연권 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, ****/****호(문정동, 문정대명벨리온)(시안특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 경기도 용인시 기흥구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2020.07.22 수리 (Accepted) 1-1-2020-0765991-70
2 등록결정서
Decision to grant
2020.09.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0651165-35
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번호 청구항
1 1
기판을 마련하는 단계;상기 기판에 다수의 홀을 천공하여 패턴을 형성하는 단계; 상기 홀에 의하여 패턴이 형성된 기판에 CNT를 성장시키는 단계; 및상기 기판에 성장된 상기 CNT를 고온으로 열처리하는 단계;를 포함하며, 상기 기판에 형성된 상기 다수의 홀 사이의 간격은 상기 기판에 성장된 CNT의 높이의 2배 보다 크며, 상기 다수의 홀 사이의 간격은 10~60μm이고, 상기 기판에 성장된 CNT는 50 내지 100nm의 두께와 1~30μm의 높이로 성장되고, 상기 기판에 CNT를 성장시키는 단계는,상기 기판을 이소 프로필 알콜과 탈 이온수의 순서로 세정하는 단계;상기 기판을 챔버에 넣고, 상기 챔버의 내부를 진공 상태로 조절하는 단계;상기 챔버를 진공 상태에서 20℃/min의 속도로 600℃ 내지 1000℃의 온도로 가열하는 단계; 및상기 챔버에 10~70sccm(Standard Cubic Centimeter per Minute)의 유량으로 암모니아 기체(NH3)를 5~50분간 공급하고, 내부 압력을 200mTorr 내지 20Torr로 유지하여 상기 기판 표면의 산화된 층을 감소시키는 전처리하는 단계;를 포함하며, 상기 전처리 단계를 완료한 상기 기판을 상기 챔버에서 5~70sccm의 아세틸렌(C2H2)과 5~70sccm의 암모니아(NH3) 기체를 30분 동안 공급하고, 내부 압력을 1mTorr 내지 20Torr로 유지하는 단계; 및상기 기판에 CNT가 성장되면, 상기 챔버를 실온으로 냉각시키는 단계;를 포함하는 엑스레이 튜브용 에미터 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 CNT가 성장한 상기 기판을 고온으로 가열하는 단계는,상기 기판을 챔버에 넣고, 진공 상태에서 15분 동안 600℃ 내지 2500℃의 온도로 고온 열처리를 통해 상기 CNT의 결정성이 개선되고, 상기 CNT의 결함이 감소되어 전계 방출 성능이 향상되는 것을 특징으로 하는 엑스레이 튜브용 에미터 제조방법
3 3
제1항에 있어서,상기 기판에 형성되는 패턴은 상기 기판의 일면에 패드와 홀이 교대로 배치되어 스트라이프, 다각형 또는 원형 중 적어도 어느 하나의 형상의 패턴이 형성되는 것을 특징으로 하는 엑스레이 튜브용 에미터 제조방법
4 4
제3항에 있어서,상기 홀은 레이저 에칭 또는 웨트 에칭(wet etching) 공정으로 이루어지는 엑스레이 튜브용 에미터 제조방법
5 5
제1항에 있어서,상기 기판은 니켈, 철, 크롬, 코발트 중 적어도 하나의 금속을 포함하는 금속 합금 재질로 이루어진 엑스레이 튜브용 에미터 제조방법
6 6
일면에 마련된 복수개의 홀이 패턴을 형성하는 금속 재질의 기판;상기 기판에서 성장하는 CNT;를 포함하되,상기 기판에 형성된 상기 다수의 홀 사이의 간격은 상기 기판에서 성장한 상기 CNT 높이의 2배보다 크며, 상기 다수의 홀 사이의 간격은 10~60μm이고, 상기 기판에 성장된 CNT는 50 내지 100nm의 두께와 1~30μm의 높이로 성장되고, 상기 CNT는, 상기 기판을 이소 프로필 알콜과 탈 이온수의 순서로 세정하는 단계, 상기 기판을 챔버에 넣고, 상기 챔버의 내부를 진공 상태로 조절하는 단계, 상기 챔버를 진공 상태에서 20℃/min의 속도로 600℃ 내지 1000℃의 온도로 가열하는 단계, 상기 챔버에 10~70sccm(Standard Cubic Centimeter per Minute)의 유량으로 암모니아 기체(NH3)를 5~50분간 공급하고, 내부 압력을 200mTorr 내지 20Torr로 유지하여 상기 기판 표면의 산화된 층을 감소시키는 전처리하는 단계, 상기 전처리 단계를 완료한 상기 기판을 상기 챔버에서 5~70sccm의 아세틸렌(C2H2)과 5~70sccm의 암모니아(NH3) 기체를 30분 동안 공급하고, 내부 압력을 1mTorr 내지 20Torr로 유지하는 단계 및, 상기 기판에 CNT가 성장되면, 상기 챔버를 실온으로 냉각시키는 단계를 포함하여, 상기 기판에 대해 성장되는 엑스레이 튜브용 에미터
7 7
제6항에 있어서,상기 기판의 표면에 레이저 에칭 또는 웨트 에칭(wet etching) 공정으로 홀을 천공하는 엑스레이 튜브용 에미터
8 8
제6항에 있어서,상기 기판은 니켈, 철, 크롬, 코발트 중 적어도 하나의 금속을 포함하는 금속 합금 재질로 이루어진 엑스레이 튜브용 에미터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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1 과학기술정보통신부 경희대학교 산학협력단 바이오.의료기술개발 멀티빔 엑스선원블록 및 고출력용 고안정 전자방출원 개발