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탄소나노튜브 전계 방출원의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015134686
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 탄소나노튜브 전계방출원 제조 방법은, (a) 전도성 여과막 기판에 탄소나노튜브, 나노입자 및 용매가 혼합된 용액을 도포하는 단계; (b) 상기 용매를 상기 전도성 여과막 기판에 형성된 구멍을 통해 배출시키는 단계; 및(c) 상기 (b) 단계를 수행한 전도성 여과막 기판에 열처리를 수행하여, 상기 나노입자를 소결시키는 단계를 포함하는 한다.
Int. CL H01J 9/02 (2006.01) H01J 35/04 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC H01J 9/025(2013.01)H01J 9/025(2013.01)H01J 9/025(2013.01)H01J 9/025(2013.01)H01J 9/025(2013.01)
출원번호/일자 1020120015408 (2012.02.15)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1323306-0000 (2013.10.23)
공개번호/일자 10-2013-0094059 (2013.08.23) 문서열기
공고번호/일자 (20131029) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.02.15)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 주병권 대한민국 서울 종로구
2 이양두 대한민국 경기 광명시 광복로**번길
3 빈슨 말레이지아 서울 성북구
4 이근수 대한민국 서울 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.02.15 수리 (Accepted) 1-1-2012-0122009-45
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.02.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.03.06 수리 (Accepted) 9-1-2013-0011858-09
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0377910-52
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.07.30 수리 (Accepted) 1-1-2013-0690935-55
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.07.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0690937-46
7 등록결정서
Decision to grant		 2013.09.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0668572-60
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
탄소나노튜브 전계방출원 제조 방법에 있어서,(a) 전도성 여과막 기판에 탄소나노튜브, 나노입자 및 용매가 혼합된 용액을 도포하는 단계;(b) 상기 용매를 상기 전도성 여과막 기판에 형성된 구멍을 통해 배출시키는 단계; 및(c) 상기 (b) 단계를 수행한 전도성 여과막 기판에 열처리를 수행하여, 상기 나노입자를 소결시키는 단계를 포함하되,상기 전도성 여과막 기판은 해당 기판을 통해 전압이 인가되는 것인 탄소나노튜브 전계방출원 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 (b) 단계는 상기 전도성 여과막 기판의 하부에 진공 펌프가 결합된 여과 장치를 구동시켜 상기 용매가 상기 구멍을 통과하도록 유도하는 것인 탄소나노튜브 전계방출원 제조 방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 (c) 단계는 진공 분위기에서 상기 나노 입자의 녹는점에 해당하는 온도를 유지하여 열처리를 수행하는 것인 탄소나노튜브 전계방출원 제조 방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 나노 입자는 금속 나노입자 또는 금속 산화물 나노입자를 포함하는 탄소나노튜브 전계방출원 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국산업기술평가관리원 (주)효성 산업원천기술개발사업 [1차년도]나노소재기반 멀티엑스선원 및 단층합성영상 시스템 기술 개발(고휘도 장수면 전계방출 나노소재 개발)