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화학식 1 및 화학식 2로 표시되는 반복단위를 포함하는 폴리아스팔트아미드 공중합체:003c#화학식 1003e#003c#화학식 2003e#상기 식 중 R1은 을 나타내고,여기서 R4는 탄소수 1 내지 6의 알킬렌을 나타내며, R5 및 R6은 각각 독립적으로 하이드록시기를 나타내고,상기 식 중 R2는 R7-NH2를 나타내며, 여기서 R7은 탄소수 1 내지 6의 알킬렌을 나타낸다
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2 |
2
제 1 항에 있어서, R1은 인 폴리아스팔트아미드 공중합체
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3
제 1 항에 있어서, R4 및 R7은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 4의 알킬렌인 폴리아스팔트아미드 공중합체
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4
화학식 1, 화학식 2 및 화학식 3으로 표시되는 반복단위를 포함하는 폴리아스팔트아미드 공중합체:003c#화학식 1003e#003c#화학식 2003e#003c#화학식 3003e#상기 식 중 R1은 을 나타내고,여기서 R4는 탄소수 1 내지 6의 알킬렌을 나타내며, R5 및 R6는 각각 독립적으로 하이드록시기를 나타내고,상기 식 중 R2는 R7-NH2를 나타내며, 여기서 R7은 탄소수 1 내지 6의 알킬렌을 나타내고
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5
제 4 항에 있어서, R1은 인 폴리아스팔트아미드 공중합체
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6 |
6
제 4 항에 있어서, R4 및 R7은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 4의 알킬렌인 폴리아스팔트아미드 공중합체
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7
제 4 항에 있어서, R8은 탄소수 1 내지 4의 알킬렌인 폴리아스팔트아미드 공중합체
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8
화학식 4로 표시되는 폴리아스팔트아미드 가교 중합체:003c#화학식 4003e#상기 식 중 X는 을 나타내고여기서 R11은 탄소수 1 내지 6의 알킬렌을 나타내며,R12 및 R13은 각각 독립적으로 하이드록시기를 나타내고,R14는 -NH-R15-를 나타내며, R15는 탄소수 1 내지 6의 알킬렌을 나타낸다
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9 |
9
제 8 항에 있어서,X는 인 폴리아스팔트아미드 가교 중합체
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10
제 8 항에 있어서,R11 및 R15는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 4의 알킬렌인 폴리아스팔트아미드 가교 중합체
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11
폴리숙신이미드(PSI)를 화학식 5로 표시되는 화합물과 반응시키는 단계; 및상기 단계에서 제조된 반응물을 화학식 6으로 표시되는 화합물과 반응시키는 단계를 포함하는 폴리아스팔트아미드 공중합체의 제조 방법
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12
제 11 항에 있어서,아스팔트 산을 용매의 존재하에 중합시켜 폴리숙신이미드(PSI)를 제조하는 단계를 추가로 포함하는 폴리아스팔트아미드 공중합체의 제조 방법
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13 |
13
제 11 항에 있어서, 화학식 6으로 표시되는 화합물과의 반응은 0 내지 30℃에서 4 내지 8 시간 동안 수행되는 폴리아스팔트아미드 공중합체의 제조 방법
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제 11 항에 있어서,제조된 폴리아스팔트아미드 공중합체를 석출 및 세척하는 단계를 추가로 포함하는 폴리아스팔트아미드 공중합체의 제조 방법
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15
제 11 항에 있어서,제조된 폴리아스팔트아미드 공중합체를 pH 4 이하로 적정하는 단계를 추가로 포함하는 폴리아스팔트아미드 공중합체의 제조 방법
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16
폴리숙신이미드(PSI)를 화학식 5로 표시되는 화합물과 반응시키는 단계;상기 단계에서 제조된 반응물을 화학식 6으로 표시되는 화합물과 반응시키는 단계; 및상기 단계에서 제조된 반응물을 화학식 7로 표시되는 화합물과 반응시키는 단계를 포함하는 폴리아스팔트아미드 공중합체의 제조 방법
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제 1 항 또는 제 4 항에 따른 폴리아스팔트아미드 공중합체를 pH 8 내지 pH 9에서 산화시키는 단계; 및 상기 산화된 폴리아스팔트아미드 공중합체를 가교시키는 단계를 포함하는 폴리아스팔트아미드 공중합체를 가교시키는 방법
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18
기재; 및상기 기재의 일면 또는 양면에 형성되고, 제 8 항에 따른 폴리아스팔트아미드 가교 중합체를 함유하는 코팅층을 포함하는 표면처리 기판
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19
제 18 항에 있어서, 기재는 금속, 금속 산화물, 합성 폴리머 또는 세라믹인 표면처리 기판
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제 18 항에 있어서, 코팅층의 접촉각은 10 내지 40도인 표면처리 기판
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