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광증폭소자용 어븀착화합물 조성물 및 어븀착화합물 복합체의 패턴형성벙법

  • 기술번호 : KST2014043588
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 리프트오프기술을 이용한 광증폭소자용 고분자/어븀착화합물 복합체 패턴 형성방법 및 광증폭소자용 어븀착화합물 조성물에 관한 것이다.
Int. CL G03F 7/16 (2006.01)
CPC G03F 7/16(2013.01) G03F 7/16(2013.01) G03F 7/16(2013.01) G03F 7/16(2013.01) G03F 7/16(2013.01)
출원번호/일자 1020100018752 (2010.03.03)
출원인 재단법인대구경북과학기술원, 건국대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1131804-0000 (2012.03.23)
공개번호/일자 10-2011-0099817 (2011.09.09) 문서열기
공고번호/일자 (20120330) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.03.03)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대한민국 대구 달성군 현
2 건국대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 광진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김욱현 대한민국 대구광역시 동구
2 한윤수 대한민국 대구광역시 수성구
3 정선주 대한민국 경상북도 구미시
4 이수출 대한민국 대구광역시 달서구
5 최명석 대한민국 서울특별시 광진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김은구 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 **, *층(역삼동, 옥산빌딩)(특허법인(유한)유일하이스트)
2 송해모 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 **, *층(역삼동, 옥산빌딩)(특허법인(유한)유일하이스트)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대구 달성군 현풍면
2 건국대학교 산학협력단 서울특별시 광진구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.03.03 수리 (Accepted) 1-1-2010-0134801-46
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.06 수리 (Accepted) 4-1-2010-5060059-92
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2011-5007932-94
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.03.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.04.15 수리 (Accepted) 9-1-2011-0034962-53
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.09.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0501215-91
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.09.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0713564-24
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.09.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0713574-81
9 등록결정서
Decision to grant		 2012.03.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0164284-04
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.01 수리 (Accepted) 4-1-2012-5116974-69
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2012-5164104-34
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2012-5164108-16
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.11.11 수리 (Accepted) 4-1-2013-5149764-85
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5260250-39
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.18 수리 (Accepted) 4-1-2020-5134633-04
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 제1단계; 수용성 고분자와 용매, 어븀착화합물을 포함하는 어븀착화합물 조성물을 포토레지스트 패턴 상에 도포하는 제2단계으로, 상기 어븀착화합물은 어븀트리플루오로메탄설포네이트(erbium(III) tri-fluoromethanesulfonate), 어븀브로마이드(erbium(III) bromide, ErF3), 어븀클로라이드(erbium(III) chloride, ErCl3), 어븀플로라이드(erbium(III) fluoride, ErBr3), 어븀아이오다이드(erbium(III) iodide, ErI3), 어븀나이트레이트 무수물(erbium(III) nitrate pentahydrate, Er2(NO3)3·5H2O), 어븀설페이트(erbium(III) sulfate, Er2(SO4)3), 어븀아세테이트 무수물(erbium(III) acetate hydrate), 어븀아세틸아세토네이트 무수물(erbium(III) acetylacetonate hydrate, ), 어븀옥살레이트 무수물(erbium(III) oxalate hydrate, Er2(C2O4)3·xH2O), 어븀포스페이트 무수물(erbium(III) phosphate hydrate, ErPO4·xH2O)로 구성된 그룹으로부터 선택된 하나 또는 하나 이상임; 및 리프트오프 용제를 이용하여 포토레지스트 패턴을 제거하여 어븀착화합물 복합체 패턴을 형성하는 제3단계를 포함하는 어븀착화합물 복합체 패턴 형성 방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 수용성 고분자는 폴리비닐피롤리돈(poly(vinylpyrrolidone)), 폴리비닐알콜(poly(vinyl alcohol)), 폴리아크릴 아미드(poly acrylamide), 폴리(2-히드록시에틸 메타아크릴레이트)(poly(2-hydroxyethyl methacrylate))로 구성된 그룹으로부터 선택된 하나 또는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 어븀착화합물 복합체 패턴 형성 방법
3 3
삭제
4 4
제 1항에 있어서, 용매는 물 또는 물과 유기용매가 혼합된 혼합용액이며, 상기 유기용매는 물의 함량대비 1 ~ 45 중량%인 것을 특징으로 하는 어븀착화합물 복합체 패턴 형성 방법
5 5
제 1항에 있어서, 상기 어븀착화합물 조성물은 수용성 고분자 1 ～ 30 중량%, 용매 50 ～ 90 중량%, 및 어븀착화합물 1 ～ 30 중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 어븀착화합물 복합체 패턴 형성 방법
6 6
제 1항에 있어서, 상기 어븀착화합물 조성물은 소포제 및 점증제, 가교제 중 적어도 하나를 추가로 포함하는 것을 특징으로 어븀착화합물 복합체 패턴 형성 방법
7 7
제 1항에 있어서, 상기 제2단계와 상기 제3단계 사이에 산소 분위기에서 자외선 조사하여 처리하는 UVO(UV with oxygen)처리 또는 플라즈마 처리하는 단계를 추가적으로 포함하는 어븀착화합물 복합체 패턴 형성 방법
8 8
제 1항에 있어서, 상기 용제는 아세톤(acetone), 메탄올(methanol), 에탄올(ethanol), 이소프로필알콜(isopropyl alcohol), 메틸에틸케톤(methyl ethyl ketone)로 구성된 그룹으로부터 선택된 하나 또는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 어븀착화합물 복합체 패턴 형성 방법
9 9
수용성 고분자 1 ～ 30 중량%, 용매 50 ～ 90 중량%, 및 어븀트리플루오로메탄설포네이트(erbium(III) tri-fluoromethanesulfonate), 어븀브로마이드(erbium(III) bromide, ErF3), 어븀클로라이드(erbium(III) chloride, ErCl3), 어븀플로라이드(erbium(III) fluoride, ErBr3), 어븀아이오다이드(erbium(III) iodide, ErI3), 어븀나이트레이트 무수물(erbium(III) nitrate pentahydrate, Er2(NO3)3·5H2O), 어븀설페이트(erbium(III) sulfate, Er2(SO4)3), 어븀아세테이트 무수물(erbium(III) acetate hydrate), 어븀아세틸아세토네이트 무수물(erbium(III) acetylacetonate hydrate, ), 어븀옥살레이트 무수물(erbium(III) oxalate hydrate, Er2(C2O4)3·xH2O), 어븀포스페이트 무수물(erbium(III) phosphate hydrate, ErPO4·xH2O)로 구성된 그룹으로부터 선택된 하나 또는 하나 이상인 어븀착화합물 1 ～ 30 중량%를 포함하는 어븀착화합물 조성물
10 10
제 9항에 있어서, 상기 수용성 고분자는 폴리비닐피롤리돈(poly(vinylpyrrolidone)), 폴리비닐알콜(poly(vinyl alcohol)), 폴리아크릴 아미드(poly acrylamide), 폴리(2-히드록시에틸 메타아크릴레이트)(poly(2-hydroxyethyl methacrylate))로 구성된 그룹으로부터 선택된 하나 또는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 어븀착화합물 조성물
11 11
삭제
12 12
제 9항에 있어서, 상기 용매는 물 또는 물과 유기용매가 혼합된 혼합용액이며, 상기 유기용매는 물의 함량대비 1 ~ 45 중량%인 것을 특징으로 하는 어븀착화합물 조성물
13 13
제 9항에 있어서, 소포제 및 점증제, 가교제 중 적어도 하나를 추가로 포함하는 것을 특징으로 어븀착화합물 조성물
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.