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발광다이오드의 효율 측정장치 및 방법

  • 기술번호 : KST2014053111
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 측정 과정을 간소화할 수 있으며, 측정 시간을 단축할 수 있는 발광다이오드의 효율 측정장치 및 방법이 개시된다. 발광다이오드의 효율 측정방법은 발광다이오드의 발열량을 측정하는 단계, 및 발광다이오드의 발열량을 이용하여 광량 효율을 산출하는 단계를 포함한다.
Int. CL G01N 25/20 (2006.01.01) G01M 11/02 (2019.01.01) G01K 7/02 (2006.01.01) G01J 1/02 (2006.01.01)
CPC G01N 25/20(2013.01)G01N 25/20(2013.01)G01N 25/20(2013.01)G01N 25/20(2013.01)
출원번호/일자 1020100091069 (2010.09.16)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1266387-0000 (2013.05.15)
공개번호/일자 10-2012-0029155 (2012.03.26) 문서열기
공고번호/일자 (20130522) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.09.16)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이준식 대한민국 서울특별시 강남구
2 오혁근 대한민국 서울특별시 서초구
3 김경덕 미국 서울특별시 관악구
4 박희재 대한민국 서울특별시 서초구
5 김태욱 대한민국 서울특별시 동작구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 지현조 대한민국 서울특별시 마포구 토정로 ***(신수동) *층(제니스특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.09.16 수리 (Accepted) 1-1-2010-0603830-38
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.01.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.02.17 수리 (Accepted) 9-1-2012-0012353-98
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.04.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0239216-46
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.06.25 수리 (Accepted) 1-1-2012-0504498-07
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.06.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0504458-81
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.11.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0713738-53
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.11.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0986803-12
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.11.28 수리 (Accepted) 1-1-2012-0986804-57
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
12 등록결정서
Decision to grant		 2013.02.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0114559-83
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
발광다이오드(LED)의 효율 측정방법에 있어서,발광다이오드의 발열량을 측정하는 단계; 및상기 발광다이오드의 상기 발열량을 이용하여 광량 효율을 산출하는 단계;를 포함하되,상기 발광다이오드의 광량 효율은 하기 수학식[1]에 의해 산출되고,상기 발광다이오드의 발열량(QLED)은, 제1열방출매체 및 상기 제1열방출매체 상에 적층된 제1열전달매체를 이용하여 특정되되, 상기 발광다이오드를 상기 제1열전달매체의 제1접합면에 위치시키고, 상기 발광다이오드에 의한 열전달이 균일하게 유지되는 경우, 하기 수학식[2]에 의해 산출되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 효율 측정방법
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서,상기 제1열전달매체의 열저항 계수(R)는 미리 특정된 상수인 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 효율 측정방법
5 5
제1항에 있어서,상기 제1열전달매체의 열저항 계수(R)는,상기 발광다이오드의 발열량을 측정하는 조건과 동일한 조건에서, 히터, 제2열방출매체 및 상기 제2열방출매체 상에 적층된 제2열전달매체를 이용하여 특정되되, 상기 히터를 상기 제2열전달매체의 제1접합면에 위치시키고, 상기 히터에 의한 열전달이 균일하게 유지되는 경우,하기 수학식[3]에 의해 산출되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 효율 측정방법
6 6
제5항에 있어서,상기 각 열전달매체 및 상기 각 열방출매체는,동일한 조건에서 상기 발광다이오드 또는 상기 히터에 공용으로 사용되거나, 동일한 조건에서 상기 발광다이오드 및 상기 히터에 각각 개별적으로 제공되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 효율 측정방법
7 7
제6항에 있어서,상기 발광다이오드 및 상기 히터의 상부는 밀봉층(encapsulation layer)에 의해 덮혀지고,상기 발광다이오드 및 상기 히터로부터 발생된 열은 상기 동일한 조건 하에서 상기 발광다이오드 및 상기 히터의 하부에 접합된 상기 제1 또는 제2열전달매체로 전달되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 효율 측정방법
8 8
제5항에 있어서,상기 각 접합면의 온도는 상기 각 접합면에 제공되는 온도센서부에 의해 측정되며,상기 온도센서부는 서모커플(thermocoupl), 서모파일(Thermopile) 및 측온저항체(Resistance Temperature Detector; RTD) 중 어느 하나를 이용한 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 효율 측정방법
9 9
제1항에 있어서,상기 발광다이오드는 복수개가 이격되게 소정 배열을 갖도록 제공되며,복수개의 상기 발광다이오드의 광량 효율을 동시에 측정하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 효율 측정방법
10 10
발광다이오드(LED)의 효율 측정장치에 있어서,상기 발광다이오드에 전원을 공급하는 제1전원공급부;상기 발광다이오드에 접합되는 제1열전달매체;상기 열전달매체에 접합되는 제1열방출매체;상기 발광다이오드에 접합되는 상기 제1열전달매체의 제1접합면 및 상기 제1열방출매체에 접합되는 상기 제1열전달매체의 제2접합면 간의 온도 차이를 측정하기 위한 제1온도센서부; 및상기 발광다이오드의 발열량 및 상기 발광다이오드에 인가되는 입력전력 간의 상관관계로부터 상기 발광다이오드의 광량 효율을 산출하는 제1연산부;를 포함하는 발광다이오드의 효율 측정장치
11 11
제10항에 있어서,상기 제1연산부는 하기 수학식[1] 및 수학식[2]에 의해 상기 광량 효율을 산출하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 효율 측정장치
12 12
제11항에 있어서,상기 발광다이오드와 동일한 조건에서, 상기 제1열전달매체의 열저항 계수(R)를 산출하는 열저항 산출부를 더 포함하되,상기 열저항 산출부는,히터;상기 히터에 전원을 공급하는 제2전원공급부;상기 히터에 접합되는 제2열전달매체;상기 제2열전달매체에 접합되는 제2열방출매체;상기 히터에 접합되는 상기 제2열전달매체의 제1접합면 및 상기 제2열방출매체에 접합되는 상기 제2열전달매체의 제2접합면 간의 온도 차이를 측정하기 위한 제2온도센서부; 및상기 히터의 발열량과 상기 각 접합면의 온도차 간의 상관관계로부터 상기 제2열전달매체의 열저항 계수(R)를 산출하는 제2연산부;를 포함하고,상기 제2연산부는 하기 수학식[3]에 의해 상기 제1열전달매체의 열저항 계수(R)를 산출하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 효율 측정장치
13 13
제12항에 있어서,상기 각 열전달매체, 상기 각 열방출매체 및 상기 각 온도센서부는,동일한 조건에서 상기 발광다이오드 또는 상기 히터에 공용으로 사용되거나, 동일한 조건에서 상기 발광다이오드 및 상기 히터에 따라 각각 개별적으로 제공되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 효율 측정장치
14 14
제13항에 있어서,상기 발광다이오드 및 상기 히터의 상부는 밀봉층(encapsulation layer)에 의해 덮혀지고,상기 발광다이오드 및 상기 히터로부터 발생된 열은 상기 동일한 조건 하에서 상기 발광다이오드 및 상기 히터의 하부에 접합된 상기 제1 또는 제2열전달매체로 전달되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 효율 측정장치
15 15
제12항에 있어서,상기 각 온도센서부는 서모커플(thermocoupl), 서모파일(Thermopile) 및 측온저항체(Resistance Temperature Detector; RTD) 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드의 효율 측정장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.