| 1 |
1
입사된 제1 감마선에 대응된 광신호를 전기 신호로 변환하며 행 x 열 이 (m x n)의 매트릭스 형태로 구성된 복수의 광전소자를 포함하며, 상기 복수의 광전소자는 동일 행의 광전소자끼리 서로 연결되어 각각의 행신호선에 연결되고 동일 열의 광전소자끼리 서로 연결되어 각각의 열신호선에 연결되어 있는 제1 방사선 검출기의 다채널 광전소자부,상기 다채널 광전소자부의 출력단에 연결된 m개의 행신호선에 각각 하나씩 연결되어 상기 광전소자의 출력을 수신하고, 상기 수신된 광전소자의 출력을 제1 설정 전압과 비교하여 제1 디지털 신호로 만들어 출력하는 적어도 m개의 비교기를 포함하는 제1 비교부,상기 다채널 광전소자부의 출력단에 연결된 n개의 열신호선에 각각 하나씩 연결되어 상기 광전소자의 출력을 수신하고, 상기 수신된 광전소자의 출력을 제2 설정 전압과 비교하여 제2 디지털 신호로 만들어 출력하는 적어도 n개의 비교기를 포함하는 제2 비교부,상기 제1 비교부의 각 비교기에 각각 연결되어 상기 제1 디지털 신호의 라이징 에지 시점의 제1 절대시각과 폴링 에지 시점의 제2 절대시각을 측정하는 적어도 m개의 측정기를 포함하는 제1 측정부,상기 제2 비교부의 각 비교기에 각각 연결되어 상기 제2 디지털 신호의 라이징 에지 시점의 제3 절대시각과 폴링 에지 시점의 제4 절대시각을 측정하는 적어도 n개의 측정기를 포함하는 제2 측정부, 그리고상기 제1 측정부의 측정기로부터 수신되는 상기 제1 및 제2 절대 시각을 에너지 측정용 정보로 전송하고, 상기 제2 측정부의 측정기로부터 수신되는 상기 제3 절대 시각을 정밀 시간 차이 측정용 정보로 전송하는 정보관리부를 포함하는 다채널 광전소자를 이용하는 양전자방출 단층촬영장치
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 광전소자는 반도체기반 광전소자이거나 광전자증배관(PMT, Photomultiplier tube)인 것을 특징으로 하는 다채널 광전소자를 이용하는 양전자방출 단층촬영장치
|
| 3 |
3
제2항에 있어서,상기 반도체기반 광전소자는 실리콘 광증배관(SiPM, Silicon Photomultiplier) 또는 Avalanche photo diode(APD) 중 하나인 것을 특징으로 하는 다채널 광전소자를 이용하는 양전자방출 단층촬영장치
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 복수의 광전소자 각각은 입사되는 광신호에 대응하여 상기 행신호선과 열신호선 각각으로 상기 전기 신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 다채널 광전소자를 이용하는 양전자방출 단층촬영장치
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 m개의 비교기의 제1 설정 전압은 수신되는 신호의 에너지와 비례하는 신호의 폭을 결정하는 전압인 것을 특징으로 하는 다채널 광전소자를 이용하는 양전자방출 단층촬영장치
|
| 6 |
6
제5항에 있어서,상기 n개의 비교기의 제2 설정 전압은 상기 제1 설정 전압과 다르게 설정되는 것을 특징으로 하는 양전자방출 단층촬영장치
|
| 7 |
7
제4항에 있어서,상기 제1 측정부의 각 측정기는 상기 제1 디지털 신호로부터 1의 값을 나타내는 시간의 길이를 설정된 시간과 비교하여 설정 시간보다 적으면 수신된 상기 제1 디지털 신호를 무효 처리하는 것을 특징으로 하는 양전자방출 단층촬영장치
|
