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금속산화물 나노구조체 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014054368
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 금속산화물 나노구조체 및 그 제조방법에 관한 것이다. 더욱 구체적으로는 투명기판 상에 형성되는 비정질의 절연막 층의 두께를 조절하여 금속산화물 층에 형성되는 나노구조를 제어할 수 있으며, 균일하고 고밀도의 나노구조를 형성할 수 있는 금속산화물 나노구조체 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 금속산화물 나노구조체 및 그 제조방법은 투명기판 상에 마그네슘을 함유한 전구체 및 산소가 공급되어 비정질의 절연막 층이 형성되는 S1단계 및 절연막 층 상에 아연을 함유한 전구체 및 산소가 공급되어 나노구조의 금속산화물 층이 형성되는 S2단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 1/00 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC H01J 1/304(2013.01)H01J 1/304(2013.01)
출원번호/일자 1020110026123 (2011.03.24)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1331312-0000 (2013.11.13)
공개번호/일자 10-2012-0108369 (2012.10.05) 문서열기
공고번호/일자 (20131120) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.03.24)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조형균 대한민국 경기도 수원시 장안구
2 김동찬 대한민국 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김인철 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길 **, 매강빌딩*층 에이치앤에이치 H&H 국제특허법률사무소 (서초동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.03.24 수리 (Accepted) 1-1-2011-0214286-10
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2011.11.01 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2011-0858052-71
3 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document		 2011.11.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0103350-68
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2011.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2011-0951602-98
5 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2011.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2011-0951533-35
6 서류반려통지서
Notice for Return of Document		 2011.12.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0115900-06
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.03.30 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.04.20 수리 (Accepted) 9-1-2012-0032228-57
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
12 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.02.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0135690-93
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.04.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0362124-95
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.04.24 수리 (Accepted) 1-1-2013-0362125-30
15 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2013.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0603229-68
16 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2013.09.24 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-0863880-45
17 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.09.24 수리 (Accepted) 1-1-2013-0863884-27
18 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2013.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0751489-04
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
투명기판 상에 마그네슘(Mg)을 함유한 전구체 및 산소가 공급되어 두께(t)가 6~24nm인 비정질의 절연막 층이 형성되는 S1단계; 및 상기 절연막 층 상에 아연(Zn)을 함유한 전구체 및 산소가 공급되어 나노구조의 금속산화물 층이 형성되는 S2단계를 포함하며,상기 마그네슘을 함유한 전구체 및 상기 아연을 함유한 전구체는 불활성 기체로 이루어진 캐리어 가스에 의해 공급되며, S1단계는 상기 마그네슘을 함유한 전구체가 5~10μmol/min의 유량으로 5~20분간 공급되고, S2단계는 아연을 함유한 전구체가 5~10μmol/min의 유량으로 20~40분간 공급되고, 상기 캐리어 가스는 400~600℃의 온도에서 1 torr 미만의 압력으로 공급되며,상기 산소는 산소함유 가스에 의해 공급되며, 상기 산소함유 가스는 400~600℃의 온도에서 1 torr 미만의 압력으로 공급되며,상기 절연막 층의 두께(t)가 6nm≤t003c#10nm로 조절되면 나노선이 형성되고, 상기 절연막 층의 두께(t)가 10nm≤t003c#24nm로 조절되면 나노월이 형성되는 것을 특징으로 하는 금속산화물 나노구조체의 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 S1단계의 투명기판은 상부 투명기판 및 하부 투명기판으로 이루어지되, 상기 상부 투명기판은 투명전극인 것을 특징으로 하는 금속산화물 나노구조체의 제조방법
3 3
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4 4
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7 7
제1항에 있어서,상기 나노선은 직경이 15~25nm인 막대 형상인 것을 특징으로 하는 금속산화물 나노구조체의 제조방법
8 8
제1항에 있어서,상기 나노월은 나노선과 나노선 사이에 폭 15~25nm의 막이 형성된 3차원 그물 형상인 것을 특징으로 하는 금속산화물 나노구조체의 제조방법
9 9
제1항에 있어서,상기 나노선 또는 나노월은 상기 S2단계의 금속산화물이 상기 절연막 층 상에서 수직되는 방위로 형성되는 것을 특징으로 하는 금속산화물 나노구조체의 제조방법
10 10
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11 11
제1항에 있어서,상기 마그네슘을 함유한 전구체는 비스-사이클로펜타디닐마그네슘(Cp2Mg), 이오딘화메틸마그네슘(MeMgI) 및 디에틸마그네슘(Et2Mg)으로 이루어진 군으로부터 적어도 하나 선택되는 것을 특징으로 하는 금속산화물 나노구조체의 제조방법
12 12
제11항에 있어서,상기 S1단계에서 공급되는 마그네슘을 함유한 전구체와 산소의 유량비는 1:800~1:1,440인 것을 특징으로 하는 금속산화물 나노구조체의 제조방법
13 13
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14 14
제1항에 있어서,상기 아연을 함유한 전구체는 디메틸아연[Zn(CH3)2], 디에틸아연[Zn(C2H5)2], 아연아세테이트 수화물[Zn(OOCCH3)2H2O], 아연아세테이트 무수물[Zn(OOCCH3)2] 및 아연 아세틸아세토네이트[Zn(C5H7O2)2]으로 이루어진 군으로부터 적어도 하나 선택되는 것을 특징으로 하는 금속산화물 나노구조체의 제조방법
15 15
제14항에 있어서,상기 S2단계에서 공급되는 아연(Zn)과 산소의 유량비는 1:180~1:200인 것을 특징으로 하는 금속산화물 나노구조체의 제조방법
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18 18
제1항에 있어서,상기 산소함유 가스는 산소, 오존, 이산화질소, 수증기 및 이산화탄소로 이루어진 군으로부터 적어도 하나 선택되는 것을 특징으로 하는 금속산화물 나노구조체의 제조방법
19 19
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20 20
제1항에 있어서,상기 절연막 층 및 금속산화물 층은 유기금속 화학기상증착법, 기상 에피택시 및 분자빔 에피택시로 이루어진 군으로부터 선택된 하나의 방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 금속산화물 나노구조체의 제조방법
21 21
제2항에 있어서,상기 투명전극은 ITO(Indium Tin Oxide)이고,상기 투명기판은 ITO를 하부 투명기판 상에 증착시켜 형성되는 것을 특징으로 하는 금속산화물 나노구조체의 제조방법
22 22
제1항에 있어서,상기 나노구조의 금속산화물 층 상에 상부 투명전극이 형성되는 S3단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 금속산화물 나노구조체의 제조방법
23 23
제22항에 있어서,상기 상부 투명전극은 ITO(Indium Tin Oxide)이고,상기 S3단계는 상기 ITO를 스퍼터링(sputtering) 방식으로 상기 금속산화물 층 상에 증착시키는 것을 특징으로 하는 금속산화물 나노구조체의 제조방법
24 24
제23항에 있어서,상기 S3단계에서 스퍼터링은 100~500℃의 온도에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 금속산화물 나노구조체의 제조방법
25 25
제23항에 있어서,상기 S3단계에서 스퍼터링은 3~10mtorr의 압력에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 금속산화물 나노구조체의 제조방법
26 26
제1항, 제2항, 제7항, 제8항, 제9항, 제11항, 제12항, 제14항, 제15항, 제18항 및 제20항 내지 제25항 중 어느 하나의 제조방법에 의하여 제조되는 것을 특징으로 하는 금속산화물 나노구조체
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 성균관대학교 원천기술개발사업-미래유망융합기술파이오니어사업 고효율 와이어 태양전지 제작을 위한 신공정 연구
2 교육과학기술부 성균관대학교 중견연구자지원사업(핵심연구:개인) 친환경 열전소자 응용을 위한 다성분계 신산화물 열전소재 개발 연구