요약 | 본 발명은 핫전자 기반의 나노다이오드 센서 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 광에너지를 측정하기 위해 쇼트키 다이오드 상에 유기염료 분자층이 증착되어 있는 핫전자 기반의 나노다이오드 센서 및 그 제조방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 핫전자 기반의 나노다이오드 센서는 광반응을 쇼트키 다이오드를 이용하여 직접적으로 측정함으로써, 간단한 공정으로 나노다이오드 센서의 신뢰도와 민감도를 향상시킬 수 있고, 우수한 내구성으로 센서의 수명을 증가시킬 수 있다. |
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Int. CL | H01L 27/144 (2006.01) |
CPC | H01L 31/108(2013.01) H01L 31/108(2013.01) H01L 31/108(2013.01) H01L 31/108(2013.01) H01L 31/108(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020120003026 (2012.01.10) |
출원인 | 한국과학기술원 |
등록번호/일자 | 10-1328569-0000 (2013.11.06) |
공개번호/일자 | 10-2013-0081918 (2013.07.18) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20131113) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 소멸 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2012.01.10) |
심사청구항수 | 19 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한국과학기술원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 박정영 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
2 | 이영근 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 이처영 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 언주로 ***, **층 (역삼동, 윤익빌딩)(*T국제특허법률사무소) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한국과학기술원 | 대전광역시 유성구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2012.01.10 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0025012-85 |
2 | 보정요구서 Request for Amendment |
2012.01.12 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2012-0006561-21 |
3 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2012.01.13 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0035371-39 |
4 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2012.10.23 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
5 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2012.11.22 | 수리 (Accepted) | 9-1-2012-0088616-15 |
6 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.02.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5019983-17 |
7 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2013.04.18 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0263383-05 |
8 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2013.05.13 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0419932-84 |
9 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2013.05.13 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-0419934-75 |
10 | 등록결정서 Decision to grant |
2013.08.08 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0549637-26 |
11 | [일부 청구항 포기]취하(포기)서 [Abandonment of Partial Claims] Request for Withdrawal (Abandonment) |
2013.11.06 | 수리 (Accepted) | 2-1-2013-0584904-10 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5158129-58 |
13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157968-69 |
14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157993-01 |
15 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
16 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
17 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
번호 | 청구항 |
---|---|
1 |
1 다음을 포함하는, 핫전자 기반의 나노다이오드 센서 :기판 상에 서로 이격되어 배치된 제 1전극 및 제 2전극;상기 기판상에 배치되며, 상기 제 1전극 일측 경계면에 형성된 산화물 박막층;상기 산화물 박막층과 제 2전극을 연결하는 금속 박막층; 및상기 금속 박막층 상에 증착되어 화학반응 또는 광반응에서 핫전자를 생성하는 유기염료 분자층 |
2 |
2 제1항에 있어서, 상기 제 1전극 또는 제 2전극은 반도체와의 일함수관계를 고려하여 Au/Ti(Ti 위에 Au 증착), Pt/Ti(Ti 위에 Pt 증착), Au/Al(Al 위에 Au 증착) 및 Pt/Al(Al 위에 Pt 증착) 것을 특징으로 하는 핫전자 기반의 나노다이오드 센서 |
3 |
3 제1항에 있어서, 상기 금속 박막층의 두께는 1nm ~ 10nm인 것을 특징으로 하는 핫전자 기반의 나노다이오드 센서 |
4 |
4 제1항에 있어서, 상기 산화물 박막층은 타이타늄 산화물, 갈륨 나이트라이드, 알루미늄 산화물, 지르코늄 산화물, 세륨 산화물 및 나오븀 산화물으로 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 핫전자 기반의 나노다이오드 센서 |
5 |
5 제1항에 있어서, 상기 금속 박막층은 Au, Ag, Ni, Pd 및 Pt로 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 핫전자 기반의 나노다이오드 센서 |
6 |
6 제1항에 있어서, 상기 유기염료 분자층은 메르브로민(Merbromin), 로다민 6G(Rhodamin 6G), 로다민 B(Rhodamin B), cis-Bis(isothiocyanato)bis(2,2'-bipyridyl-4,4'-dicarboxylato)ruthenium(II) 및 술포로다민 B(Sulforhodamine B) 로부터 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 핫전자 기반의 나노다이오드 센서 |
7 |
7 청구항 7은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다 |
8 |
8 청구항 8은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다 |
9 |
9 청구항 9은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다 |
10 |
10 청구항 10은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다 |
11 |
11 청구항 11은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다 |
12 |
12 청구항 12은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다 |
13 |
13 청구항 13은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다 |
14 |
14 청구항 14은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다 |
15 |
15 청구항 15은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다 |
16 |
16 청구항 16은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다 |
17 |
17 청구항 17은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다 |
18 |
18 청구항 18은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다 |
19 |
19 청구항 19은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다 |
지정국 정보가 없습니다 |
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패밀리정보가 없습니다 |
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순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
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1 | 교육과학기술부 | 한국과학기술원 | 한국과학기술원 연구 운영비 지원 | 핫전자 기반의 금속 반도체 나노다이오드를 이용한 태양전지의 개발, Hot Electron Based Photovoltaic Systems using Metal-Semiconductor Nanodio |
특허 등록번호 | 10-1328569-0000 |
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표시번호 | 사항 |
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1 |
출원 연월일 : 20120110 출원 번호 : 1020120003026 공고 연월일 : 20131113 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20130808 청구범위의 항수 : 6 유별 : H01L 27/144 발명의 명칭 : 핫전자 기반의 나노다이오드 센서 및 그 제조방법 존속기간(예정)만료일 : 20181107 |
순위번호 | 사항 |
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1 |
(권리자) 한국과학기술원 대전광역시 유성구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 139,500 원 | 2013년 11월 07일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 120,400 원 | 2016년 10월 26일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 120,400 원 | 2017년 10월 27일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2012.01.10 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0025012-85 |
2 | 보정요구서 | 2012.01.12 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2012-0006561-21 |
3 | [출원서등 보정]보정서 | 2012.01.13 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0035371-39 |
4 | 선행기술조사의뢰서 | 2012.10.23 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
5 | 선행기술조사보고서 | 2012.11.22 | 수리 (Accepted) | 9-1-2012-0088616-15 |
6 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.02.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5019983-17 |
7 | 의견제출통지서 | 2013.04.18 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0263383-05 |
8 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2013.05.13 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0419932-84 |
9 | [명세서등 보정]보정서 | 2013.05.13 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-0419934-75 |
10 | 등록결정서 | 2013.08.08 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0549637-26 |
11 | [일부 청구항 포기]취하(포기)서 | 2013.11.06 | 수리 (Accepted) | 2-1-2013-0584904-10 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5158129-58 |
13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157968-69 |
14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157993-01 |
15 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
16 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
17 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
기술번호 | KST2014063178 |
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자료제공기관 | 미래기술마당 |
기술공급기관 | 한국과학기술원 |
기술명 | 탠덤형 유기/무기 나노다이오드 태양전지 |
기술개요 |
본 발명은 핫전자 기반의 나노다이오드 센서 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 광에너지를 측정하기 위해 쇼트키 다이오드 상에 유기염료 분자층이 증착되어 있는 핫전자 기반의 나노다이오드 센서 및 그 제조방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 핫전자 기반의 나노다이오드 센서는 광반응을 쇼트키 다이오드를 이용하여 직접적으로 측정함으로써, 간단한 공정으로 나노다이오드 센서의 신뢰도와 민감도를 향상시킬 수 있고, 우수한 내구성으로 센서의 수명을 증가시킬 수 있다. |
개발상태 | 유사환경 테스트 |
기술의 우수성 |
1) 에너지와 환경 문제가 이슈화되면서 대체에너지원에 대한 요구가 끊임없이 제기되어왔고, 이러한 요구 속에 태양전지는 다양한 신재생 에너지 기술 중에서도 가장 각광을 받고 있는 분야임 2) 태양전지 기술은 결정형 실리콘 태양전지가 1세대, 화합물 반도체 및 박막형 반도체 태양전지가 2세대, 유기 및 나노 반도체 소재를 이용한 태양전지가 3세대로 분류됨 3) 1세대 기술의 장점은 안정화된 생산 공정 및 높은 효율을 구현하는데 반해 공정비용이 비싸고 추가 비용절감이 어렵다는 단점으로 전체 에너지 관련 시장 확대 방해 요인으로 작용함. 2세대, 3세대 기술인 박막형 태양전지는 1세대 결정형에 비해 생산단가는 저렴하지만 효율이 낮으며 산업화 초기단계라 기술의 안정화가 필요한 상황임 4) 따라서, 에너지전환효율 향상 및 저가 생산이 가능한 기술개발이 필수적임. 이에 본 기술은 핫전자의 생성과 검출원리를 적용하여 광에너지의 손실을 최소화하고 광에너지 전환효율을 증폭시킬 수 있는 고효율의 태양전지를 제작할 수 있음 |
응용분야 |
1) 본 기술은 핫전자의 생성과 검출원리를 적용하여, 광에너지의 손실을 최소화하고 광에너지 전환효율을 증폭시킬 수 있는 새로운 개념의 탠덤형 유기/무기 나노다이오드 및 이를 포함한 태양전지에 관한 기술임 2) 핫전자 기반의 금속 반도체 태양전지는 활성층에 대한 간단한 공정을 통해 빛에 대한 우수한 흡수를 바탕으로 고효율을 얻을 수 있으며, 환경적으로 안정한 금속을 활성층으로 사용하기 때문에 시간에 따른 효율감소가 매우 적어 산업상의 이용 가능성이 매우 우수함 3) 본 기술이 포함된 태양전지가 응용되고 있는 분야는 개인용 전기, 전자 통신 기기의 전원에서 인공위성, 위성 탐사선, 이동통신 기지국 등에 이르기까지 다양함 4) 그 외 전력용으로 각종 규모의 태양광 발전, 미국을 주도로 증설되고 있는 태양광 주택, 태양광 자동차의 전원용 등 점차 다분야에 적용할 수 있는 범위가 넓어지고 있음 |
시장규모 및 동향 |
1. 해외 시장동향 1) 세계 태양광 시장은 2000년대 초반 이후 각국 정부의 지원 정책 및 업체들의 투자 확대로 높은 성장세를 이어오다 2008년 금융 위기에 따른 수요감소로 공급 과잉 현상이 나타나 시장 성장률이 둔화되었고 이후 중국 시장의 성장 및 경기 회복, 2012년 유럽 경제 위기 등의 산업 환경 변화에 따라 시장 구조조정이 이뤄지고 있는 모습임 2) 세계 태양광 시장은 2006~2010년 1.5GW에서 17.5GW로 연평균 85%의 높은 성장세를 지속하며 2011년에는 23.2GW를 기록하였으며, 2015년까지 18%의 연평균 성장률을 기록할 전망 3) 국가별로는 세계 최대 시장은 독일을 비롯한 서유럽이 가장 높은 비중을 차지하고 있고 중국, 일본, 미국이 주요 시장으로 꼽히는데, 2011년 이후 빠르게 시장이 커지고 있는 중국이 2013년 이후에는 세계 최대 시장이 될 것으로 전망 - 2011년 세계 태양광 수요에 72%에 달했던 유럽시장이 2012년 50%, 2013년에는 30%를 하회할 것으로 예측 - 유럽시장의 자리를 아시아 시장이 채울 것으로 예상되며, 2012년 20%에 불과했던 아시아시장 비중이 2013년에는 35%를 상회할 것으로 전망 - 2014년에는 일본, 중국 및 인도를 포함한 아시아 시장 수요가 세계 태양광 수요의 50%에 육박할 것으로 전망 2. 국내 시장동향 1) 국내 태양광발전 산업은 정부의 지속적인 지원에 힘입어 발전량이 꾸준히 증가해왔으며, 최근 5년간의 발전량 추이는 살펴보면 무려 연평균 145.3%의 성장세를 보이고 있음 2) 2004년 누적 설치량 기준 국내 태양광발전 시장규모는 4MW로 전세계 시장의 0.3%에 불과했으나 2005년 이후 유가 급등으로 신재생에너지 부문에 대한 관심이 높아지고 태양광주택 10만호 보금사업, 발전차액지원 제도 도입 등 정부의 적극적인 지원이 확대되면서 가파른 성장세를 보임 3) 매출 기준으로도 2004년 332억원에 불과했으나 2009년에는 72배나 증가한 2조 3,700억원 규모로 확대되었음 |
희망거래유형 | |
사업화적용실적 | |
도입시고려사항 |
과제고유번호 | 1345194375 |
---|---|
세부과제번호 | KAIST_HR_2012_5 |
연구과제명 | 핫전자 기반의 금속 반도체 나노다이오드를 이용한 태양전지의 개발 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 교육과학기술부 |
연구주관기관명 | 한국과학기술원 |
성과제출연도 | 2012 |
연구기간 | 201109~201308 |
기여율 | 0.33333334 |
연구개발단계명 | 응용연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
과제고유번호 | 1345194425 |
---|---|
세부과제번호 | N01120011 |
연구과제명 | 이산화탄소를 이용한 지속가능한 연료생산 인공광합성 기술 개발 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 교육과학기술부 |
연구주관기관명 | 한국과학기술원 |
성과제출연도 | 2012 |
연구기간 | 200901~201212 |
기여율 | 0.33333334 |
연구개발단계명 | 개발연구 |
6T분류명 | ET(환경기술) |
과제고유번호 | 1345196328 |
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세부과제번호 | R31-2012-000-10055-0 |
연구과제명 | 지속가능한 에너지 공학 기술 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 한국과학기술원 |
성과제출연도 | 2012 |
연구기간 | 200812~201308 |
기여율 | 0.33333334 |
연구개발단계명 | 응용연구 |
6T분류명 | ET(환경기술) |
과제고유번호 | 1345161308 |
---|---|
세부과제번호 | KAIST_HR_2011_21 |
연구과제명 | 핫전자 기반의 금속 반도체 나노다이오드를 이용한 태양전지의 개발 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 교육과학기술부 |
연구주관기관명 | 한국과학기술원 |
성과제출연도 | 2011 |
연구기간 | 201109~201208 |
기여율 | 0.5 |
연구개발단계명 | 응용연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
과제고유번호 | 1345212246 |
---|---|
세부과제번호 | R31-2012-000-10055-0 |
연구과제명 | 지속가능한 에너지 공학 기술 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 교육부 |
연구관리전문기관명 | |
연구주관기관명 | |
성과제출연도 | 2013 |
연구기간 | 200812~201308 |
기여율 | 0.5 |
연구개발단계명 | 응용연구 |
6T분류명 | ET(환경기술) |
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