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적층형 금속-반도체 나노다이오드 및 이를 이용한 태양전지

  • 기술번호 : KST2015115931
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 제1반도체층 위에 금속이 적층되고, 상기 금속 위에 제2반도체층이 적층된 구조를 갖는 적층형 금속-반도체 나노다이오드 및 이를 포함하는 태양전지에 관한 것으로, 본 발명의 적층형 금속-반도체 나노다이오드는 두 개의 반도체층을 금속의 양방향에 적층함으로써 다향방에서 오는 광에너지 및 상이한 크기의 광에너지를 효과적으로 흡수할 수 있어 에너지의 손실을 최소화하고 에너지 전환효율의 증폭을 가져올 수 있다. 따라서 본 발명은 적층형 금속-반도체 나노다이오드로 광에너지의 손실을 최소화하고 광전변환 효율을 향상시킬 수 있는 고효율의 태양전지를 제공할 수 있다.
Int. CL H01L 29/861 (2006.01) H01L 31/042 (2006.01)
CPC H01L 31/022425(2013.01) H01L 31/022425(2013.01) H01L 31/022425(2013.01) H01L 31/022425(2013.01) H01L 31/022425(2013.01)
출원번호/일자 1020120056097 (2012.05.25)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1340573-0000 (2013.12.05)
공개번호/일자 10-2013-0132035 (2013.12.04) 문서열기
공고번호/일자 (20131212) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020130129251;
심사청구여부/일자 Y (2012.05.25)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박정영 미국 대전 유성구
2 이영근 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 에이치엠피 대한민국 서울특별시 중구 세종대로*길 **, *층 (서소문동, 부영빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.05.25 수리 (Accepted) 1-1-2012-0421523-82
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.01.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.02.07 수리 (Accepted) 9-1-2013-0009325-83
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.05.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0333522-20
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2013.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0595744-26
7 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)		 2013.09.27 수리 (Accepted) 7-1-2013-0038222-90
8 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2013.10.29 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-0981011-31
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.10.29 수리 (Accepted) 1-1-2013-0981008-04
10 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2013.10.29 수리 (Accepted) 1-1-2013-0981047-74
11 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2013.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0829426-90
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1반도체층 위에 금속이 적층되고, 상기 금속 위에 제2반도체층이 적층된 구조를 갖는 적층형 금속-반도체 나노다이오드로서, 상기 금속은 광흡수층으로 사용되어 표면플라즈몬의 생성을 통해 핫 전자(hot electron)의 생성을 증폭시키는 것을 특징으로 하는 적층형 금속-반도체 나노다이오드
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 금속은 박막금속, 금속나노구조물, 금속나노섬 및 금속나노선으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 적층형 금속-반도체 나노다이오드
4 4
제1항에 있어서, 상기 금속은 금(Au), 알루미늄(Al), 은(Ag) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 적층형 금속-반도체 나노다이오드
5 5
제1반도체층 위에 금속이 적층되고, 상기 금속 위에 제2반도체층이 적층된 구조를 갖는 적층형 금속-반도체 나노다이오드로서, 상기 금속에 양자점 및 유기염료로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 증착시키는 표면처리를 하는 것을 특징으로 하는 적층형 금속-반도체 나노다이오드
6 6
제1항에 있어서, 상기 제1반도체층 및 제2반도체층은 각각 산화물 반도체, 4족 반도체 및 화합물 반도체로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 적층형 금속-반도체 나노다이오드
7 7
제1항에 있어서, 상기 제1반도체층 및 제2반도체층은 각각 티타늄디옥사이드(TiO2), 세리움옥사이드(CeO2), 산화아연(ZnO), 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 실리콘카바이트(SiC), 카드뮴셀레나이드(CdSe), 갈륨포스페이트(GaP) 및 갈륨나이트나이드(GaN)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 적층형 금속-반도체 나노다이오드
8 8
제1항, 제3항 내지 제7항 중의 어느 한 항의 적층형 금속-반도체 나노다이오드를 포함하는 태양전지
9 9
제8항에 있어서,상기 태양전지는 제1반도체층 위에 금속이 적층되고, 상기 금속 위에 제2반도체층이 적층된 구조를 갖는 적층형 금속-반도체 나노다이오드와 제1,2전극층으로 구성되며, 상기 제1전극층은 상기 제1반도체층과 접착되는 투명전극이거나 또는 옴접합이 형성되어 있는 상기 제1반도체층 자체이고, 상기 제2전극층은 상기 금속 자체이거나 상기 금속과 연결되어 있는 전극이며, 상기 금속은 광흡수층으로 사용되어 표면플라즈몬의 생성을 통해 핫 전자(hot electron)의 생성을 증폭시킬뿐만 아니라 동시에 전극으로의 역할도 함께 수행하는 것을 특징으로 하는 태양전지
지정국 정보가 없습니다
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1 KR101474280 KR 대한민국 FAMILY

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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한국과학기술원 중견연구자지원사업(도전) 핫전자 물리 및 화학의 연구