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가변형 캐패시터 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015117048
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 강유전체나 상유전체 등과 같이 전계에 대해서 유전율이 변화하는 성질을 이용한 가변형 평행판 캐패시터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 기판과, 상기 기판의 상면에 형성되는 하부전극과, 상기 하부전극의 말단 부분을 제외한 전체를 감싸도록 상기 하부전극을 포함한 기판 상에 형성되는 유전체층과, 상기 유전체층의 상면에 가장자리 전계가 많이 발생하도록 형성되는 핑거(Finger)형 또는 메쉬(Mesh)형 구조의 상부전극을 포함한다.본 발명에 의하면, 평행판 캐패시터의 상부전극에 의해 전극의 가장자리에서 발생한 가장자리 전계를 가변 유전체에 균일하게 분포시킴으로써, 가변성(Tunability)을 증가시키고 인가전압을 감소시킬 수 있는 효과가 있다.가변형 캐패시터, 평행판 캐패시터, 전극구조, 강유전체, 상유전체
Int. CL H01G 5/011 (2006.01)
CPC H01G 5/011(2013.01) H01G 5/011(2013.01) H01G 5/011(2013.01)
출원번호/일자 1020080033255 (2008.04.10)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2009-0023031 (2009.03.04) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020070087045   |   2007.08.29
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.04.10)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이영철 대한민국 전남 목포시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 최태창 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.04.10 수리 (Accepted) 1-1-2008-0256947-72
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.02.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.03.13 수리 (Accepted) 9-1-2009-0013900-48
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.07.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0287015-42
5 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2009.07.10 수리 (Accepted) 1-1-2009-0422077-05
6 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2009.07.23 수리 (Accepted) 1-1-2009-0448491-92
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.09.08 수리 (Accepted) 1-1-2009-0551608-31
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.09.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0551625-18
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2009.12.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0510866-45
10 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)		 2010.01.11 무효 (Invalidation) 7-1-2010-0001106-32
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판의 상면에 형성되는 하부전극;상기 하부전극의 일측 말단 부분을 제외한 전체를 감싸도록 상기 하부전극을 포함한 기판 상에 형성되는 유전체층; 및상기 유전체층의 상면에 가장자리 전계가 많이 발생하도록 형성되는 핑거(Finger)형 구조의 상부전극을 포함하는 가변형 캐패시터
2 2
기판;상기 기판의 상면에 형성되는 하부전극;상기 하부전극의 일측 말단 부분을 제외한 전체를 감싸도록 상기 하부전극을 포함한 기판 상에 형성되는 유전체층; 및상기 유전체층의 상면에 가장자리 전계가 많이 발생하도록 형성되는 메쉬(Mesh)형 구조의 상부전극을 포함하는 가변형 캐패시터
3 3
기판;상기 기판의 상면에 가장자리 전계가 많이 발생하도록 형성되는 핑거(Finger)형 구조의 하부전극;상기 하부전극의 일측 말단 부분을 제외한 전체를 감싸도록 상기 하부전극을 포함한 기판 상에 형성되는 유전체층; 및상기 유전체층의 상면에 형성되는 상부전극을 포함하는 가변형 캐패시터
4 4
기판;상기 기판의 상면에 가장자리 전계가 많이 발생하도록 형성되는 메쉬(Mesh)형 구조의 하부전극;상기 하부전극의 일측 말단 부분을 제외한 전체를 감싸도록 상기 하부전극을 포함한 기판 상에 형성되는 유전체층; 및상기 유전체층의 상면에 형성되는 상부전극을 포함하는 가변형 캐패시터
5 5
제1 항 내지 제4 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 유전체층은 강유전체 또는 상유전체 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 가변형 캐패시터
6 6
제1 항 내지 제4 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 상부전극 또는 상기 하부전극을 구성하는 선의 폭과 간격은 1㎛ 내지 3㎛ 정도로 이루어진 것을 특징으로 하는 가변형 캐패시터
7 7
기판 상에 일정 두께의 하부전극을 형성하는 단계;상기 하부전극의 일측 말단 부분을 제외한 전체를 감싸도록 상기 하부전극을 포함한 기판 상에 일정 두께의 유전체층을 형성하는 단계; 및상기 유전체층의 상면에 일정 두께의 상부전극을 형성한 후, 가장자리 전계가 많이 발생하도록 핑거(Finger)형 구조로 식각하는 단계를 포함하는 가변형 캐패시터의 제조방법
8 8
기판 상에 일정 두께의 하부전극을 형성하는 단계;상기 하부전극의 일측 말단 부분을 제외한 전체를 감싸도록 상기 하부전극을 포함한 기판 상에 일정 두께의 유전체층을 형성하는 단계; 및상기 유전체층의 상면에 일정 두께의 상부전극을 형성한 후, 가장자리 전계가 많이 발생하도록 메쉬(Mesh)형 구조로 식각하는 단계를 포함하는 가변형 캐패시터의 제조방법
9 9
기판 상에 일정 두께의 하부전극을 형성한 후, 가장자리 전계가 많이 발생하도록 핑거(Finger)형 구조로 식각하는 단계;상기 하부전극의 일측 말단 부분을 제외한 전체를 감싸도록 상기 하부전극을 포함한 기판 상에 일정 두께의 유전체층을 형성하는 단계; 및상기 유전체층의 상면에 일정 두께의 상부전극을 형성하는 단계를 포함하는 가변형 캐패시터의 제조방법
10 10
기판 상에 일정 두께의 하부전극을 형성한 후, 가장자리 전계가 많이 발생하도록 메쉬(Mesh)형 구조로 식각하는 단계;상기 하부전극의 일측 말단 부분을 제외한 전체를 감싸도록 상기 하부전극을 포함한 기판 상에 일정 두께의 유전체층을 형성하는 단계; 및상기 유전체층의 상면에 일정 두께의 상부전극을 형성하는 단계를 포함하는 가변형 캐패시터의 제조방법
11 11
제7 항 내지 제10 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 유전체층은 강유전체 또는 상유전체 물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 가변형 캐패시터의 제조방법
12 12
제7 항 내지 제10 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 상부전극 또는 상기 하부전극을 구성하는 선의 폭과 간격이 1㎛ 내지 3㎛ 정도되도록 식각하는 것을 특징으로 하는 가변형 캐패시터의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.