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게르마늄 나노선 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015125027
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따라서, 순수 게르마늄 또는 거의 순수한 게르마늄에 가까운 실리콘-게르마늄 나노선의 제조 방법이 개시된다. 상기 방법은 (a) 실리콘-게르마늄으로 이루어진 나노선을 제공하는 단계와; (b) 상기 나노선을 산화 분위기 하에 두어, 상기 나노선 상에 방사상으로 실리콘 산화막을 형성하는 단계와; (c) 상기 (b) 단계에서 형성된 실리콘 산화막을 제거하는 단계를 포함한다. 본 발명에 따르면, 실리콘-게르마늄 나노선 중의 실리콘 농도를 선택적으로 조절함으로써, 순수한 게르마늄 나노선 또는 거의 순수한 게르마늄에 가까운 실리콘-게르마늄 나노선을 얻을 수가 있다. 따라서, 이러한 나노선을 트랜지스터와 같은 반도체 소자에 적용하면, 홀의 이동도가 큰 게르마늄으로 인해 빠른 응답 속도를 갖는 반도체 소자를 구현할 수 있다.
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01)
출원번호/일자 1020070076330 (2007.07.30)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2009-0012475 (2009.02.04) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.07.30)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 고대홍 대한민국 경기 고양시 일산서구
2 김상연 대한민국 경기 성남시 분당구
3 손현철 대한민국 서울 강남구
4 조만호 대한민국 서울 용산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김승욱 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로 ***, ***호(서초동, 두산베어스텔)(아이피마스터특허법률사무소)
2 김영희 대한민국 서울특별시 용산구 효창원로**길 *, 네오국제특허법률사무소 (효창동)
3 이채형 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 ** (대치동 동구빌딩 *층) Neo국제특허법률사무소

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.07.30 수리 (Accepted) 1-1-2007-0554184-19
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.07.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.08.08 수리 (Accepted) 9-1-2008-0046937-54
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0601639-65
5 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2009.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0090978-19
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 실리콘-게르마늄으로 이루어진 나노선을 제공하는 단계와;(b) 상기 나노선을 산화 분위기 하에 두어, 상기 나노선 상에 실리콘 산화막을 형성하는 단계와;(c) 상기 (b) 단계에서 형성된 실리콘 산화막을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 순수 게르마늄 나노선 또는 게르마늄의 성분함량이 높은 실리콘-게르마늄 나노선의 제조 방법
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 (b) 단계에서 산화 시간을 조절하여 상기 실리콘 산화막을 성장시켜 상기 실리콘-게르마늄 나노선 중의 실리콘 농도를 제어하는 것을 특징으로 하는 순수 게르마늄 나노선 또는 게르마늄의 성분함량이 높은 실리콘-게르마늄 나노선의 제조 방법
3 3
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 (c) 단계에서 습식 식각에 의해 상기 실리콘 산화막을 제거하는 것을 특징으로 하는 순수 게르마늄 나노선 또는 게르마늄의 성분함량이 높은 실리콘-게르마늄 나노선의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.